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最新专利技术
  • 波长可调激光器的波长调控方法、装置、设备及存储介质
    波长可调激光器的波长调控方法、装置、设备及存储介质_深圳市维度科技股份有限公司_202511829750.4
    本申请涉及激光器控制技术领域，提供了波长可调激光器的波长调控方法、装置、设备及存储介质。该方法包括构建波长控制参数信息查询表；所述波长控制参数信息查询表包括多个波长与其对应的控制参数信息之间的映射关系；当接收到激光的期望波长时，基于所述波长...
    2026-05-10
  • 激光器运行控制方法、装置、激光器监测电路及存储介质
    激光器运行控制方法、装置、激光器监测电路及存储介质_成都新易盛通信技术股份有限公司_202511995812.9
    本发明实施例提出一种激光器运作控制方法、装置、激光器监测电路及存储介质，涉及光通信技术领域。该方法是通过将激光器阳极连接正电压源、阴极串联电流检测模块，并结合信号调理模块对采样电压进行精确放大，使MCU能够高精度采集并计算实际偏置电流值，并...
    2026-05-10
  • 激光器的TMI效应监测和抑制方法
    激光器的TMI效应监测和抑制方法_四川科锐新激光科技有限公司_202512010544.7
    本申请公开了一种激光器的TMI效应监测和抑制方法，涉及激光器领域，其中，监测方法包括：在激光器工作过程中，采集包层光剥离器的温度变化率，及用于表征输出光束功率的电压时域信号；根据所述电压时域信号，计算获得时域波动幅值，其中，所述时域波动幅值...
    2026-05-10
  • 多路激光器功率反馈的合束方法及系统
    多路激光器功率反馈的合束方法及系统_上海瑞柯恩医疗技术股份有限公司_202512031637.8
    本申请提供一种多路激光器功率反馈的合束方法及系统，所述合束方法，包括：提供多路激光器，各路激光器分时序发射激光，被逐级引导至一级或多级分束镜中，入射至每一级分束镜的激光束，在该级分束镜上被分束为包括外反射激光束与内反射激光束在内的多路子光束...
    2026-05-10
  • 一种激光器输出调整方法、装置、计算设备及存储介质
    一种激光器输出调整方法、装置、计算设备及存储介质_四川科锐新激光科技有限公司_202512028566.6
    本申请提供一种激光器输出调整方法、装置、计算设备及存储介质，其中所述激光器输出调整方法包括：采集环境参数，并基于所述环境参数计算散射系数与吸收系数；基于所述衰减系数与所述吸收系数，计算大气透过率；基于所述大气透过率，确定推荐波长与推荐线宽；...
    2026-05-10
  • 用于大面积键合的激光辅助键合装置和方法
    用于大面积键合的激光辅助键合装置和方法_星科金朋私人有限公司_202411343855.4
    本申请提供了一种激光辅助键合装置，其包括：激光发射器阵列，其具有多个激光发射器单元，其中所述激光发射器单元中的每一者可操作以独立于其它激光发射器单元而接通或断开，使得所述激光发射器阵列能够发射具有可控束形状的激光束；载体，其用于放置衬底，电...
    2026-05-10
  • 一种多模式切换的受激拉曼跃迁激光系统及其使用方法
    一种多模式切换的受激拉曼跃迁激光系统及其使用方法_中科酷原科技(武汉)有限公司_202512030655.4
    本发明涉及冷原子技术领域，特别是涉及一种多模式切换的受激拉曼跃迁激光系统及其使用方法；所述系统包括主激光器、从激光器以及分别设置于主激光和从激光传播路径上的多个开关。主激光器发射的主激光被分为第一主激光和第二主激光，从激光器发射的从激光被分...
    2026-05-10
  • 一种散热组件及半导体激光器组件
    一种散热组件及半导体激光器组件_池州昀海陶电科技有限公司_202411320878.3
    本发明公开了一种散热组件及半导体激光器组件，其中，散热组件包括第一盖体、第二盖体以及多个散热板，第一盖体用于与电子元件连接并为所述电子元件进行热传递；多个散热板层叠设置在所述第一盖体和所述第二盖体之间，多个所述散热板沿层叠方向相互形成间隔；...
    2026-05-10
  • 阵列激光器热隔离封装结构及其制备方法、激光系统
    阵列激光器热隔离封装结构及其制备方法、激光系统_甬江实验室_202511650807.4
    本申请公开了一种阵列激光器热隔离封装结构及其制备方法、激光系统，属于光通信技术领域，旨在提高激光器芯片的热隔离效果及其长期可靠性。该封装结构包括阵列激光器和散热结构。阵列激光器包括多个激光器芯片，相邻两个激光器芯片之间设置有第一沟槽，第一沟...
    2026-05-10
  • 直调激光器
    直调激光器_中国科学院半导体研究所_202411369273.3
    本发明提供一种直调激光器，包括：衬底，外延层，包括依次层叠在衬底上的缓冲层、光栅层、下限制层、有源层、上限制层、腐蚀截止层、包层和接触层；光栅层的结构为具有λ/8相移的凸面光栅结构，光栅层位于N型掺杂侧，具有λ/8相移的凸面光栅结构用于利用...
    2026-05-10
  • 用于高速光电器件的外延生长方法
    用于高速光电器件的外延生长方法_西安唐晶量子科技有限公司_202511641628.4
    本发明提供用于高速光电器件的外延生长方法，通过将材料外延生长、性能表征与器件设计集成在一个闭环反馈系统中，利用实际外延结构的电学与光学性能实测参数来生成激光器电极与波导结构的设计方案，并据此反馈调整外延生长的工艺参数，实现了材料生长与器件设...
    2026-05-10
  • 易跳模激光器开机控制方法及装置
    易跳模激光器开机控制方法及装置_山东中科际联光电集成技术研究院有限公司_202511647305.6
    本发明提供一种易跳模激光器开机控制方法及装置，涉及激光器技术领域。方法包括步骤1：响应开机指令，执行初步控温；步骤2：获取激光器所处环境温度值，以此确定控温参数策略；步骤3：根据控温参数策略执行二次控温；步骤4：执行三次控温；装置包括控制模...
    2026-05-10
  • 一种半导体光电芯片和光通信设备
    一种半导体光电芯片和光通信设备_华为技术有限公司_202411385142.4
    本申请提供一种半导体光电芯片和光通信设备。本申请提供的半导体光电芯片包括：第一半导体光电器件、偏振旋转器和第二半导体光电器件。具体地，在本申请提供的半导体光电芯片中，将第一半导体光电器件在第一方向上对偏振分量的处理过程，与第二半导体光电器件...
    2026-05-10
  • 一种基于氮化硅波导集成石墨烯调制器的高速可调激光器及其制备方法
    一种基于氮化硅波导集成石墨烯调制器的高速可调激光器及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511952880.7
    一种基于氮化硅波导集成石墨烯调制器的高速可调激光器及其制备方法。制备包括：在衬底上制备激光器；生长SiO2钝化层和Si3N4波导层；于Si3N4层上制备光栅与波导结构，光栅位于激光器上方；将石墨烯转移至波导另一端并制备调制器。本发明将石墨烯...
    2026-05-10
  • 一种基于混合腔结构的连续域束缚态激光器及其制备方法
    一种基于混合腔结构的连续域束缚态激光器及其制备方法_南京大学_202610250235.9
    本发明公开了一种基于混合腔结构的连续域束缚态激光器及其制备方法。该激光器沿垂直方向由下至上依次包括衬底、光学限制层、N型间隔层、有源层、P型间隔层、光子晶体层及电流扩展层。底部的光学限制层与顶部的光子晶体层共同构成垂直混合谐振腔，有源层位于...
    2026-05-10
  • 半导体光放大器及其制备方法
    半导体光放大器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202512019758.0
    本发明涉及光放大器技术领域，尤其涉及一种半导体光放大器及其制备方法，堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的衬底、N包层、N型刻蚀停止层、N波导层、有源区、P波导层、P包层以及电极接触层；两个浅沟槽沿第一方向间隔排布，两个浅沟槽之间的堆叠结构作为脊...
    2026-05-10
  • 一种侧向耦合光栅双卡帕半导体激光器
    一种侧向耦合光栅双卡帕半导体激光器_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511859557.5
    本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种侧向耦合光栅双卡帕半导体激光器。包括：衬底、外延叠层以及由外延叠层经刻蚀形成的功能波导区；功能波导区包括脊波导和侧向耦合光栅，脊波导为沿外延叠层厚度方向刻蚀形成的脊型结构，侧向耦合光栅对称分布于脊...
    2026-05-10
  • 窄发散角半导体激光器
    窄发散角半导体激光器_中国科学院半导体研究所_202511941633.7
    本发明提供了一种窄发散角半导体激光器，包括在有源外延结构上刻蚀得到的沿出光方向依次相连的输入脊型波导区，锁相区和近场强度调制区，其中：输入脊型波导区包括侧向周期分布的第一脊型波导阵列，所述第一脊型波导阵列包括多个第一脊型波导；锁相区包括一个...
    2026-05-10
  • 一种多结边发射半导体激光器及其制备方法
    一种多结边发射半导体激光器及其制备方法_吉光半导体科技有限公司_202511994852.1
    本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种多结边发射半导体激光器及其制备方法，制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括从下至上层叠的M层PN结层、位于相邻两层PN结层之间的隧道结层以及位于顶层的盖层；在堆叠结构远离衬底的表面形...
    2026-05-10
  • 发光波长为1178nm的量子阱材料及其制备方法
    发光波长为1178nm的量子阱材料及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511756534.1
    本发明涉及光电子材料技术领域，尤其涉及一种发光波长为1178nm的量子阱材料及其制备方法。包括：在衬底上生长镓砷磷(GaAsP)应变补偿势垒层；在应变补偿势垒层上生长GaAs间隔层；在间隔层上采用低温工艺生长高In组分(35~40%)InG...
    2026-05-10
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