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  • 本发明公开一种N相TLVR集成电感、多相模组,寄生感量小的IPM和半导体芯片的供电系统,所述集成电感,IPM组成多相模组及半导体芯片的供电系统,所述N相集成电感通过设置铜片,使得输入功率回路和辅助绕组环路的寄生感量小,使得所述半导体芯片供电...
  • 线圈部件(1)具备具有透射性的素体(2)、外部导体(3、4)、线圈(5)和内部导体(6、7)。素体(2)包括在方向(D1)上彼此相对的端面(2a、2b)、在方向(D2)上彼此相对的侧面(2c、2d)和在方向(D3)上彼此相对的侧面(2e、2...
  • 本发明提供难以产生线材的断线并且提高线材与端子电极的连接的可靠性的线圈部件。在端子电极(25)中的线材配置面(43)形成金属镀膜(44)。金属镀膜(44)包含成为基底的镍层以及表面的锡层。在线材(21)与线材配置面(43)的连接部分中,线材...
  • 本公开是关于一种共模滤波器及电子设备。共模滤波器包括:第一磁性材料层;第二磁性材料层,第二磁性材料层与第一磁性材料层在第一预设方向上相对设置,第一磁性材料层和第二磁性材料层之间的空间具有多个空间单元,多个空间单元在预设平面上的投影相互分离或...
  • 一种电流互感器的组装引导件。壳体的尺寸和形状被设计成接收电流互感器的芯,该壳体具有形成在外表面中的多个凹槽。凹槽根据预定绕组分布模式间隔开,使得缠绕在芯和壳体周围的绕组部分根据预定绕组分布模式定位在壳体的选择凹槽中。组装引导件还包括卡扣配合...
  • 本发明涉及一种用于单相400kV有载调压变压器的调压绕组结构,两个高压绕组并联,并且每个高压绕组外侧均设有上调压绕组和下调压绕组;每个芯柱对应的上、下调压绕组并联;各个调压绕组均包括多个分接段组,所述分接段组包括两个分接段,第一绕线段前半部...
  • 本发明提供了一种卡扣式共模电感,包括磁芯、骨架及绕组,骨架包括护套和支架,护套包括环形筒和盖板,盖板用于盖合环形筒的端口,以形成容纳磁芯的环形容腔;环形筒的内孔卡接有隔板,以将环形筒分隔为第一绕线部和第二绕线部,绕组包括缠绕于第一绕线部的第...
  • 本发明公开了一种二次一体注塑成型的磁性元器件结构,涉及磁性元器件技术领域。该结构包括底座本体和磁片,所述底座本体由一次成型塑胶件和二次注塑外壳组成;所述磁片直接埋入所述一次成型塑胶件内,所述二次注塑外壳注塑结合于所述一次成型塑胶件的外部,使...
  • 本发明涉及变压器相关技术领域,公开了一种基于降噪调控机构的变压器,包括降噪箱、设置于所述降噪箱内的底板以及安装于所述底板上的变压器本体,还包括:围合组件,设置于所述底板的上侧并围设于所述变压器本体的外周,用于形成所述变压器本体的外部围合空间...
  • 本发明涉及一种层叠线圈部件。层叠线圈部件(1)具备:素体(2),其将多个层(11)沿规定的层叠方向层叠而成;线圈(3),其配置于素体(2)的内部;外部电极(4),其配置于素体(2)的外表面;以及引出导体(5),其将线圈(3)与外部电极(4)...
  • 一种具有导磁屏蔽件的屏蔽式电流互感器。屏蔽件包括导磁杯形壳和用于封闭杯形壳的导磁垫圈形盖,该杯形壳的尺寸和形状设计成接收电流互感器的芯和绕组。屏蔽件构造成将芯与在屏蔽件外部产生的磁场线屏蔽开。
  • 本发明公开了智能温控液冷式精密单相控制变压器及其温度控制方法。该变压器包括变压器本体、液冷循环系统和智能控制系统。液冷循环系统通过三通比例调节阀和半导体制冷组件实现对冷却液的精确控温。智能控制系统采集温度、电压、电流信号,通过前馈‑反馈复合...
  • 本发明涉及一种接入混合储能装置的配电变压器及其控制方法,变压器包括高压一次绕组、低压二次绕组、低压三次绕组;低压二次绕组连接负载,低压三次绕组连接双向变流模块,双向变流模块通过直流母线与直流升降压模块连接,直流升降压模块连接混合储能装置,双...
  • 本发明提供了一种电网用三相变压器以及并网系统,属于变压器技术领域。本发明提供的一种电网用三相变压器,包括箱体、铁心柱及线圈结构,线圈结构均包括相角转换绕组、公共绕组、串联绕组及调压绕组;调压绕组连接至有载调压开关;A相铁心柱对应的一次侧绕组...
  • 本发明涉及电压互感器技术领域,具体涉及一种三相五柱电压互感器,包括外壳,所述外壳的内部装设有互感器本体和防护装置,所述外壳的顶部装设有与所述互感器本体电连接的一次瓷套和二次瓷套,所述防护装置包括回形安装板,储气组件,锁紧组件,排烟组件,切线...
  • 本发明公开了电流互感器,涉及变电设备领域,包括铁芯组件、绕组组件以及外壳组件,所述铁芯组件包括铁芯和绝缘套,所述绝缘套包覆在铁芯外表面上,所述绕组组件包括初级绕组、次级绕组,所述初级绕组与次级绕组依次套装在铁芯组件的外表面上,所述外壳组件包...
  • 本发明提供了一种磁编码器中码盘结构的制备方法,包括:在半导体基底的一侧表面形成沿着第一方向间隔设置的多个牺牲结构,以使第一方向上相邻的任意两个牺牲结构之间具有沟槽;在沟槽中填充磁性塑料材料,以在表面上形成沿着第一方向间隔设置的多个第一块状结...
  • 本发明涉及一种硅钢平面铁心上铁轭自动插片装置及控制方法,属于硅钢平面卷变压器领域。所述硅钢平面铁心上铁轭自动插片装置,包括底座、立柱、可移动横梁和可移动机械夹;底座支撑着立柱,立柱上安装着可移动横梁,可移动横梁下侧安装有可移动机械夹;立柱内...
  • 本发明涉及磁体材料领域,具体公开了一种钕铁硼材料及其制备方法和应用。所述钕铁硼材料的制备方法包括以下步骤:S1、分别将主相材料和辅相材料熔炼、浇注,得到主相速凝片和辅相速凝片;S2、分别对主相速凝片和辅相速凝片进行氢破处理得主相粗粉和辅相粗...
  • 本发明提出一种核聚变用铠装超导线圈去应力系统及方法,在超导线圈绕制生产线的预校直、精校直、喷砂、绕制成形及落模等关键环节集成了超声去应力装置,通过将超声去应力装置加载于各受力滚轮位置,实现了导体变形过程中的同步应力消除。通过超导线圈回转放线...
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