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最新专利技术
  • 一种新型异质集成氧化镓晶体管及制造方法
    一种新型异质集成氧化镓晶体管及制造方法_电子科技大学_202511885998.2
    本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种新型异质集成氧化镓晶体管及制造方法。本发明的器件正向导通时，异质半导体P型沟道层反型成电子导电沟道，且异质半导体P型沟道经肖特基阳极金属与源极进行短接，抑制晶体管体效应；阻断状态时，异质半导体P型沟...
    2026-04-08
  • 用于形成源极/漏极接触件的方法
    用于形成源极/漏极接触件的方法_IMEC非营利协会_202511372126.6
    本发明提供一种用于形成源极/漏极接触件的方法，包括：在基板顶上提供至少一个鳍部，该至少一个鳍部包括至少第一组沟道层并且被布置在延伸到基板中的第一和第二浅沟槽隔离STI区域之间；从基板的正面：在该基板中形成邻近该至少一个鳍部的腔体，在该腔体中...
    2026-04-08
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511749356.X
    一种半导体装置及其制造方法，方法包括在半导体基板上沉积多层堆叠，其中半导体基板的顶表面平行于(110)晶面；蚀刻多层堆叠及半导体基板以形成鳍片；在鳍片中邻近虚设栅极形成第一凹槽，其中鳍片中的第一凹槽的底表面与(110)晶面共面；及在第一凹槽...
    2026-04-08
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610226083.9
    本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。本发明之半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上形成有栅叠层；于栅叠层外侧形成第一侧墙及第二侧墙，所述第一侧墙的顶面高度低于所述栅叠层和第二侧墙的顶面高度，形成位...
    2026-04-08
  • 场效应晶体管
    场效应晶体管_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511909373.5
    本发明公开了一种场效应晶体管，第一JFET和第二MOSFET分别形成于禁带宽度不同的第一和第二外延层中。第一JFET的第一栅极区包括多个平行排列的第一埋层，各第一埋层之间为第一沟道区。第一源区和漏区分别形成第一外延层的顶部表面和背面。在各第...
    2026-04-08
  • 集成全环栅(GAA)/FinFET晶体管设备
    集成全环栅(GAA)/FinFET晶体管设备_英特尔公司_202511181880.1
    在本公开内容的实施例中，集成晶体管设备包括位于同一衬底上的全环栅(GAA)晶体管和FinFET晶体管设备。FinFET晶体管包括位于FinFET晶体管的沟道和衬底之间的电介质区域。
    2026-04-08
  • 用于带状场效应晶体管的无缺陷外延源极和漏极结构
    用于带状场效应晶体管的无缺陷外延源极和漏极结构_英特尔公司_202511181886.9
    公开了用于带状场效应晶体管的无缺陷外延源极和漏极结构。本文描述了涉及具有通过在纳米带的相对端处的外延源极和漏极结构接触的纳米带(即，半导体结构)的堆叠体的全环绕栅极场效应晶体管的器件、晶体管结构、系统和技术。晶体管包括垂直地位于纳米带之间的...
    2026-04-08
  • 功率半导体器件及其制备方法、电子设备
    功率半导体器件及其制备方法、电子设备_清华大学_202511799425.8
    本申请提供了一种功率半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，该功率半导体器件包括衬底、突起部、栅极、第一电极、第二电极、沟道层和栅氧化层。其中，突起部设置在衬底上。栅极设置在突起部的远离衬底的表面上。第一电极设置在栅极的远离衬...
    2026-04-08
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_联华电子股份有限公司_202411420060.9
    本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中半导体元件包括一基底，该基底包括一绝缘层以及一元件层设置在该绝缘层上，该元件层包括一主动区。多个栅极结构，设置在该主动区上且互相平行。一凹槽，位于相邻两该栅极结构之间的该主动区中，并且贯穿该元件层。...
    2026-04-08
  • 显示面板
    显示面板_瀚宇彩晶股份有限公司_202411314174.5
    本发明公开了一种显示面板，包括双栅线阵列基板，其包括基板、多条栅线、多条数据线及多个像素结构。栅线、数据线与像素结构设置在基板上。像素结构各自包括薄膜晶体管及像素电极。薄膜晶体管的栅极、源极与漏极分别耦接栅线中的一者、数据线中的一者与像素电...
    2026-04-08
  • 薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置
    薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置_乐金显示有限公司_202510752759.3
    公开了一种薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置。本公开的一个实施方式提供了一种薄膜晶体管基板，包括：基础基板上的第一薄膜晶体管；以及与第一薄膜晶体管间隔开的第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管包括：第一有源层；至少部分地与第一有源...
    2026-04-08
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司_202512036373.5
    本申请涉及一种显示面板及显示装置。显示面板包括：基板；多条数据线，多条数据线沿第一方向并排排布于基板，多条数据线至少包括第一数据线和第二数据线，第一数据线的长度小于第二数据线的长度；控制电路，控制电路包括多个开关电路，开关电路包括栅极、第一...
    2026-04-08
  • 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板
    阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202411321233.1
    本公开提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，该阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括阵列栅极驱动区，所述阵列栅极驱动区包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一多晶硅有源层，所述第一多...
    2026-04-08
  • 阵列基板与显示面板
    阵列基板与显示面板_合肥国显科技有限公司_202511870245.4
    本申请涉及一种阵列基板与显示面板，在衬底的一侧，设计两层有源层，且两个有源层在衬底的正投影存在部分交叠，使得在其上所形成的晶体管在阵列基板的厚度方向上层叠排布，上层有源层形成的晶体管的占用面积覆盖下层有源层形成的晶体管的占用面积。如此设计，...
    2026-04-08
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411312022.1
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：位于阻挡结构两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，沿阻挡结构延伸方向，第一掺杂区包括具有第一型掺杂离子的第一子掺杂区和具有第二型掺杂离子的第二子掺杂区，第二掺杂区包括具有第二型掺杂离子的第三子掺杂区和具有...
    2026-04-08
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202511436838.X
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。太阳电池包括：半导体基底；P型掺杂层，设于所述第一面，且位于所述第一导电区；N型掺杂层，设于所述第一面，且位于所述第二导电区；隔离槽，凹设于所述隔离区的所述第一面；沿所述第一导电区和所述第二导电...
    2026-04-08
  • 异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件
    异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610222348.8
    本申请涉及太阳电池领域，公开一种异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件。异质结太阳电池包括：基底，基底具有相背设置的受光面和背光面，受光面上依次设置有第一钝化层、第一掺杂硅层以及第一电极；其中，第一钝化层包括第一钝化子层，第一掺杂硅层包括第一...
    2026-04-08
  • 一种双玻光伏组件及其制备方法
    一种双玻光伏组件及其制备方法_三一硅能(株洲)有限公司_202511619008.0
    本发明涉及光伏组件技术领域，公开了一种双玻光伏组件及其制备方法，其中的光伏组件包括：第一玻璃；第二玻璃；封装胶膜，连接于第一玻璃与第二玻璃之间；多个电池串，电池串均被包覆于封装胶膜内，电池串均包括串联的多个背接触电池片；若干条汇流条，汇流条...
    2026-04-08
  • 光伏电池玻璃及其制作方法
    光伏电池玻璃及其制作方法_苏州国显创新科技有限公司_202511971262.7
    本申请提供了一种光伏电池玻璃及其制作方法，光伏电池玻璃包括：玻璃基板；减反射层，设置于玻璃基板一侧；减反射层为实心二氧化硅纳米颗粒形成的结构；功能复合层，设置于减反射层远离玻璃基板的一侧；功能复合层包括空心二氧化硅纳米颗粒和二氧化钛纳米粒子...
    2026-04-08
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202610223663.2
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件及其制备方法，该方法包括：多个电池片；多根焊带，焊带包括第一折边、第二折边和折弯角部，折弯角部为第一折边与第二折边之间的连接部，焊带包括第一焊带和第二焊带，第一焊带的第一折边和第二焊带的第一折边沿第...
    2026-04-08
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