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最新专利技术
  • 一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用
    一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511840065.1
    本发明提供一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：选取若干个第一半导体晶片，并对第一半导体晶片进行修饰，得到第二半导体晶片；其中，第一半导体晶片的晶体取向误差小于设定误差值，第二半导体晶片的表面粗糙度小于设定粗糙度；...
    2026-03-24
  • 一种半导体衬底缺陷修复方法
    一种半导体衬底缺陷修复方法_北京燕东微电子科技有限公司_202511881951.9
    本发明公开了一种半导体衬底界面缺陷的修复方法及低缺陷密度外延层的制备方法。将半导体衬底置于反应腔中，依次进行富硅环境处理与富氧环境处理以修复衬底表面的晶格缺陷。其中，富硅环境处理是向反应腔内通入氢气和含硅源气体，在高温下利用硅原子迁移填补缺...
    2026-03-24
  • 一种芯片-电容器集成组件及其制造方法
    一种芯片-电容器集成组件及其制造方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411288062.7
    本公开涉及一种芯片‑电容器集成组件及其制造方法，该方法包括：在第一刻蚀停止层表面进行第一CVD处理，形成IMD介电层；在IMD介电层表面进行光刻处理以形成芯片图案和电容器图案，得到第一产物；对第一产物进行干刻处理，以在IMD介电层和第一刻蚀...
    2026-03-24
  • 制造半导体元件的方法
    制造半导体元件的方法_南亚科技股份有限公司_202411582360.7
    一种制造半导体元件的方法包括在第一温度下形成第一金属材料衬于沟槽。沟槽位于半导体基材中。方法还包括在第二温度下形成第二金属材料衬于第一金属材料。第二温度高于第一温度。方法还包括对第一金属材料与第二金属材料执行退火工艺。可以更有效地形成具有较...
    2026-03-24
  • 双层原位处理的介电膜
    双层原位处理的介电膜_德州仪器公司_202511189581.2
    本申请涉及双层原位处理的介电膜。本文中公开了一种半导体装置(100)。所述半导体装置包含：第一导电特征(116)，其安置在衬底(102)上方；及氮化硅碳(SiCN)层(130)，其安置在所述第一导电特征上方，其中所述SiCN层具有大于约30...
    2026-03-24
  • 一种硅通孔的缺陷修复方法及缺陷修复装置
    一种硅通孔的缺陷修复方法及缺陷修复装置_上海新微技术研发中心有限公司_202511915306.4
    本发明提供了一种硅通孔的缺陷修复方法及缺陷修复装置，涉及硅通孔的缺陷修复技术领域。本发明先将硅基晶圆放置在载物台上，硅基晶圆具有至少一个目标硅通孔，目标硅通孔为未贯通的缺陷孔，然后获取目标硅通孔的位置信息，之后根据位置信息，控制加液机构移动...
    2026-03-24
  • 一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质
    一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质_粤芯半导体技术股份有限公司_202610195369.5
    本申请提供了一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：在后段铝金属介质层上，依次生成图形转移牺牲层、旋涂型抗反射层以及光刻胶层；利用等离子体刻蚀工艺，对旋涂型抗反射层、图形转移牺牲层以及介质层上进...
    2026-03-24
  • 包括贯通电极的半导体芯片和半导体封装
    包括贯通电极的半导体芯片和半导体封装_爱思开海力士有限公司_202511876821.6
    本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片和半导体封装。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘...
    2026-03-24
  • 包括贯通电极的半导体芯片
    包括贯通电极的半导体芯片_爱思开海力士有限公司_202511876830.5
    本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘层上并且同时...
    2026-03-24
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511049841.6
    一种半导体器件，包括：支撑衬底；接合层，在支撑衬底上；第一前侧布线结构，在接合层上；第二前侧布线结构，在接合层上，其中，第二前侧布线结构在第一方向上与第一前侧布线结构间隔开；前侧布线图案，在第一前侧布线结构和第二前侧布线结构上，其中，前侧布...
    2026-03-24
  • 倾斜互连件
    倾斜互连件_德州仪器公司_202511175519.8
    公开了一种包含倾斜互连件(132a)的微电子装置(100)。示例微电子装置(100)包含电介质层(130)，所述电介质层具有在衬底(102)上方第一高度(186)处的第一表面、在所述衬底(102)上方第二高度(188)处的第二表面，以及连接...
    2026-03-24
  • 芯片封装结构及算力模组组件
    芯片封装结构及算力模组组件_中昊芯英(杭州)科技有限公司_202511988917.1
    本申请实施例涉及封装技术领域，提供一种芯片封装结构及算力模组组件，芯片封装结构包括：封装基板，包括具有相对设置的第一表面和第二表面，第一金属层、接地层、电源层，各层中的第一金属层最接近第一表面。第一计算晶粒，设置于封装基板的第一表面上。第一...
    2026-03-24
  • 扩散阻挡层材料、互连结构及其制备方法与集成电路
    扩散阻挡层材料、互连结构及其制备方法与集成电路_华为技术有限公司_202411283614.5
    本申请提供了一种扩散阻挡层材料、互连结构及其制备方法与集成电路。该扩散阻挡层材料包括Ta、R和M，R包括N和P中的至少一种，M包括S、Se、Te中的至少一种，其中，在扩散阻挡层材料中，R的原子百分比为10％‑70％，M的原子百分占比为5％‑...
    2026-03-24
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411170991.8
    本公开提出了一种半导体结构的制造方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底，位于衬底上的栅极结构，位于栅极结构两侧的源区和漏区，以及覆盖栅极结构、源区和漏区的介质层；在衬底结构上形成硬掩模层，硬掩模层具有初始图案...
    2026-03-24
  • 用于集成电路的互连件修复系统及方法
    用于集成电路的互连件修复系统及方法_安华高科技股份有限公司_202511102617.9
    用于集成电路(例如，3D集成电路、2.5D集成电路等)的互连件修复系统及方法。一种实例集成电路包含第一电路裸片、第二电路裸片及互连层。所述第一电路裸片经由所述互连层向所述第二电路裸片发射测试模式。然后，所述第二电路裸片基于所述测试模式确定第...
    2026-03-24
  • 一种光伏旁路二极管模块加工工艺
    一种光伏旁路二极管模块加工工艺_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511930765.X
    本发明涉及光伏发电技术领域，尤其涉及一种光伏旁路二极管模块加工工艺。包括：首先，组装弹性缓冲散热单元，将第一弹性臂、第二弹性臂分别与对外中心散热平台、焊接脚进行焊接固定；其次，将芯片用焊锡焊接在第一电极负极散热片的对应位置；然后，将弹性缓冲...
    2026-03-24
  • 一种射流液冷器件工艺
    一种射流液冷器件工艺_苏州热晗科技有限公司_202511947959.0
    本发明涉及液冷散热技术领域，且公开了一种射流液冷器件工艺包含前期设计与材料准备、核心部件加工、系统组装、调试与试运行，射流液冷可实现局部热流密度的散热需求，适用于高功率电子设备、聚光光伏等场景，实际开发中需根据具体需求调整参数，并通过实验设...
    2026-03-24
  • 具有散热结构的电子部件
    具有散热结构的电子部件_鹏鼎控股(深圳)股份有限公司_202411188206.1
    本申请提出一种具有散热结构的电子部件。本申请的电子部件，包括柔性电路板、第一导热层、芯片、第一基板、第二基板、第二导热层和塑封层。通过设置第一导热层和第二导热层，对芯片形成一个环绕散热空间，从而使得芯片产生的热量能被第一导热层吸收，再传递至...
    2026-03-24
  • 一种芯片封装组件、电子设备和芯片封装组件的制备方法
    一种芯片封装组件、电子设备和芯片封装组件的制备方法_宁德时代未来能源(上海)研究院有限公司_202411225622.4
    本申请公开了芯片封装组件、电子设备和芯片封装组件的制备方法。该芯片封装组件包括第一基板层组、第二基板层组和封装芯片，第二基板层组和第一基板层组相对且间隔设置；封装芯片位于第一基板层组和第二基板层组之间，封装芯片包括裸芯片、第一电镀层和第二电...
    2026-03-24
  • 一种新型热终端器件
    一种新型热终端器件_电子科技大学_202511851765.0
    本发明提供一种新型热终端器件，在第一N+区与第二N+区之间的沟道上方设置浮空热终端结构，浮空热终端结构贯穿氧化层，该器件利用浮空热终端结构作为导热材料，浮空热终端结构不参与器件的电气连接，仅作为导热结构使用，将器件在工作状态下产生的热量向外...
    2026-03-24
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