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最新专利技术
  • STI沟槽及其内部氟残留的检测方法
    STI沟槽及其内部氟残留的检测方法_重庆芯联微电子有限公司_202511654788.2
    本发明提供了一种STI沟槽及其内部氟残留的检测方法，属于半导体领域。该STI沟槽内部氟残留的检测方法包括提供一半导体基体，所述半导体基体形成有若干STI沟槽。对STI沟槽执行第二清洗，以去除含氟的清洗试剂；向所述STI沟槽内部喷洒检测溶液，...
    2026-03-25
  • 测试装置以及测试方法
    测试装置以及测试方法_北京智慧能源研究院_202511663923.X
    本申请涉及测试装置以及测试方法，装载件开设有检测腔，所述检测腔用于容纳待测晶圆和绝缘油；遮挡件可拆卸安装在所述装载件上；所述检测腔的腔底壁上开设有多个孔槽，多个所述孔槽均贯穿所述装载件；所述遮挡件包括主体，所述主体与所述装载件的外壁贴合。本...
    2026-03-25
  • 一种半切电池片测试分选方法及装置
    一种半切电池片测试分选方法及装置_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511746481.5
    本发明实施例提供一种半切电池片测试分选方法及装置。该方法包括对整片的电池片进行测试，将测试数据分解为至少一个准半切电池片测试数据；基于标准电池片和准半切电池片测试数据，对切割后的半切电池片进行非接触式测试，生成第一非接触式测试数据；对电池片...
    2026-03-25
  • 滤除SiGe concave缺陷信号的方法
    滤除SiGe concave缺陷信号的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511784129.0
    本发明公开了一种滤除SiGe concave信号的方法，首先，将concave缺陷的大量特征修正值归纳为数据库，并将缺陷扫描补丁与数据库补丁进行视觉匹配；再将缺陷坐标与GDS版图联动，通过坐标二次筛选，符合标准则认定为SiGe concav...
    2026-03-25
  • 制备半导体监控片的控制方法、装置、存储介质和电子设备
    制备半导体监控片的控制方法、装置、存储介质和电子设备_珠海格力电子元器件有限公司_202511793032.6
    本申请提供了一种制备半导体监控片的控制方法、装置、存储介质和电子设备，方法，包括：根据多个测试晶圆的基本参数，构建掺杂剂量计算模型，基本参数包括以下之一：测试晶圆第一组电性参数和第二组电性参数，最终方阻为在测试晶圆中注入剂量的离子之后测试晶...
    2026-03-25
  • 封装基板及智能设备
    封装基板及智能设备_浙江创豪半导体有限公司_202511838546.9
    本申请属于半导体封装技术领域，具体公开了一种封装基板及智能设备，封装基板包括基板本体和焊盘，焊盘为多个并形成在基板本体上，多个焊盘中至少一部分被配置为电测探针的测点，任一被配置为测点的焊盘与相邻焊盘之间的间距为L1，L1满足关系式：50μm...
    2026-03-25
  • 晶粒点测方法
    晶粒点测方法_台亚半导体股份有限公司_202411735686.9
    本发明关于一种晶粒点测方法，便于一点测机点测一衬底上的多个晶粒。衬底上各晶粒彼此交错排列且各晶粒的边缘彼此串联成一直线切割道。晶粒点测方法包含以下步骤，首先，等分各晶粒为两个相等区块。其次，重设点测机的一移动距离，其中该移动距离等于两个相等...
    2026-03-25
  • 基板吸附状态检测方法和基板处理装置
    基板吸附状态检测方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202511142499.4
    本发明提供一种基板吸附状态检测方法和基板处理装置。所述基板吸附状态检测方法用于在具备静电保持盘和保持盘电源的基板处理装置中检测被吸附保持于静电保持盘的基板的吸附状态，所述静电保持盘具备具有用于载置所述基板的载置面的电介质层、以及埋设于所述电...
    2026-03-25
  • 一种晶圆盒内晶圆姿态检测方法
    一种晶圆盒内晶圆姿态检测方法_无锡伟测半导体科技有限公司_202511822030.5
    本申请涉及一种晶圆盒内晶圆姿态检测方法，应用在晶圆加工领域，包括获取待测晶圆盒的晶圆盒清晰图像，所述晶圆盒清晰图像为待测晶圆盒内包含若干晶圆的图像；提取所述晶圆盒清晰图像中所有晶圆的轮廓信息，并根据轮廓信息计算每个晶圆的轮廓面积值；将每个晶...
    2026-03-25
  • 一种半导体晶圆双面同步检测设备及检测方法
    一种半导体晶圆双面同步检测设备及检测方法_苏州晶禧半导体科技有限公司_202511882554.3
    本发明涉及晶圆检测技术领域，具体是涉及一种半导体晶圆双面同步检测设备及检测方法，包括机架、视觉检测装置和推进机构；机架内设有用于承载晶圆的支撑盘，支撑盘上开设有用于观测晶圆的缺口；视觉检测装置从支撑盘的缺口处对晶圆的上下表面同时进行检测；推...
    2026-03-25
  • 一种测晶设备
    一种测晶设备_深圳市智立方自动化设备股份有限公司_202511889872.2
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种测晶设备，包括搬运装置、上料装置、检测装置、合格品回收装置和缺陷品回收装置；机台上沿搬运装置的搬运方向依次设置有上料区、测试区、合格品下料区和缺陷品下料区；搬运装置设于机台的中间位置处；上料装置用于在上料...
    2026-03-25
  • 锑化铟<100>向晶片的位错检测方法及位错腐蚀液
    锑化铟<100>向晶片的位错检测方法及位错腐蚀液_广东晶智光电科技有限公司_202511908673.1
    本发明公开了一种锑化铟<100>向晶片的位错检测方法及位错腐蚀液，涉及半导体材料缺陷检测技术领域；位错腐蚀液由氢氟酸、双氧水和去离子水按体积比1：(1.2~1.8)：(4~5)混合得到，将该位错腐蚀液用于锑化铟<100>向晶片的腐蚀，可显现...
    2026-03-25
  • 硅晶圆的厚度补偿方法、装置及存储介质
    硅晶圆的厚度补偿方法、装置及存储介质_西安芯晖检测技术有限公司_202511922098.0
    本公开提供了一种硅晶圆的厚度补偿方法、装置及存储介质。其厚度补偿方法采集当前时刻下待测点位的厚度测量值以及温度测量值，并根据当前时刻的温度测量值与上一时刻的温度测量值计算获得温度变化速率，以消除环境温度变化对测厚精度的影响。通过温度补偿神经...
    2026-03-25
  • 一种电学监测外延层厚度的方法及半导体测试结构
    一种电学监测外延层厚度的方法及半导体测试结构_浙江创芯集成电路有限公司_202511931241.2
    本申请涉及芯片技术领域，公开了一种电学监测外延层厚度的方法及半导体测试结构，其中，所述方法包括：在衬底上的选定区域形成金属硅化物层；在形成有所述金属硅化物层的所述衬底上形成待测叠层，其中，所述待测叠层形成于所述金属硅化物层之上，且包括外延层...
    2026-03-25
  • 用于wafer制备的方法、装置、设备和wafer
    用于wafer制备的方法、装置、设备和wafer_北京芯东来半导体科技有限公司_202610117788.7
    本申请提供一种用于wafer制备的方法，涉及半导体技术领域，方法包括：获取待评估平整度的wafer，将所述待评估平整度的wafer划分为多个测量场，对各测量场，以测量场中心为测量区域的中心，按预设区域划定方式划定测量区域，通过调焦调平分系统...
    2026-03-25
  • 表面检测设备及检测系统
    表面检测设备及检测系统_苏州赛腾精密电子股份有限公司_202610170019.3
    本发明公开了一种表面检测设备及检测系统，包括：夹持装置，包括夹持机构和驱动夹持机构升降的Z轴模组，夹持机构包括多个沿晶圆的周向等间隔分布的夹持单元；第一检测装置，位于夹持装置下方，其包括视觉机构和能够驱动视觉机构沿X轴方向移经夹持装置的第一...
    2026-03-25
  • 一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统
    一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统_苏州中熙精密电机有限公司_202610188952.3
    本申请公开了一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统，所述方法包括以下步骤：根据晶圆区域胶厚差异数据选择特定光照参数进行曝光，并对差异区域的显影结果对应胶体残留情况进行烘烤参数动态调整；对烘烤后的所述晶圆区域光刻胶图形进行分析后预测出刻蚀...
    2026-03-25
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411355764.2
    本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。通过光刻制作工艺在基底上形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层包括第一开口与第二开口。第一开口包括第一倾斜侧壁。使用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对基底进行蚀刻制作工艺，而在基底...
    2026-03-25
  • 一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法
    一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法_拓维光电材料(滁州)有限公司_202511918594.9
    本发明公开一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法，属于OLED显示面板制造领域；方法包括：在基板的A、B两面涂布光刻胶，并使用具有双同心圆环图形的光罩，分别在A、B两面进行压膜、曝光、显影，在目标开口区域外围形成双环形金属区域；...
    2026-03-25
  • 一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用
    一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511840065.1
    本发明提供一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：选取若干个第一半导体晶片，并对第一半导体晶片进行修饰，得到第二半导体晶片；其中，第一半导体晶片的晶体取向误差小于设定误差值，第二半导体晶片的表面粗糙度小于设定粗糙度；...
    2026-03-25
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