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最新专利技术
  • 一种极性液体p-n结的构建方法及其热伏效应
    一种极性液体p-n结的构建方法及其热伏效应_王格林_202511672175.1
    本发明公开了一种极性液体p‑n结的构建方法及其热伏效应。该方法采用极性液体作为液态半导体，将自由电子密度不同的电极P和电极N置于其中，且两者与液体不发生化学反应。在P/L和N/L界面分别形成高、低浓度的偶极子层，从而调节界面电容特性，构成p...
    2026-03-15
  • 一种提升铁电极化和热释电的热压成形方法及产品
    一种提升铁电极化和热释电的热压成形方法及产品_华中科技大学_202511771804.6
    本发明属于柔性热释电材料相关技术领域，更具体地，涉及一种提升铁电极化和热释电的热压成形方法及产品。该方法包括下列步骤：将具有铁电相的聚偏氟乙烯‑四氟乙烯聚合物粉末平铺在基板上；加热所述粉末至熔融态，对所述熔融态的聚偏氟乙烯‑四氟乙烯聚合物进...
    2026-03-15
  • 用于片上超声模组的封装结构及方法
    用于片上超声模组的封装结构及方法_杭州荷声科技有限公司_202511820034.X
    本发明提供了一种用于片上超声模组的封装结构及方法，包括CMOS裸片；封装层，用于封装CMOS裸片；封装层上贯穿设置有用于对CMOS裸片进行扇出的所述金属柱；第一再分布层，第一再分布层形成于所述CMOS裸片正面的封装层上，用于将CMOS裸片的...
    2026-03-15
  • 一种磁性拓扑绝缘体异质结材料及其合成方法
    一种磁性拓扑绝缘体异质结材料及其合成方法_岭南师范学院_202511778969.6
    本发明提供一种磁性拓扑绝缘体异质结材料及其合成方法，涉及拓扑绝缘体异质结材料技术领域。该磁性拓扑绝缘体异质结材料采用“磁性缓冲层‑界面修饰层‑拓扑绝缘体层‑磁性覆盖层”的四层复合结构，以室温铁磁材料Fe3O4为磁性功能层，以(Bi0.8Sb...
    2026-03-15
  • 一种射频开关器件的制备方法
    一种射频开关器件的制备方法_中国人民解放军国防科技大学_202610131138.8
    本申请属于半导体器件技术领域，涉及一种射频开关器件的制备方法，包括：在衬底上沉积相变材料，得到相变材料层；在相变材料层上制备第一电极；在第一电极与相变材料层的连接处沉积导电牺牲层；在相变材料层上制备第二电极，并使第二电极覆盖导电牺牲层；去除...
    2026-03-15
  • 面向高温应用的忆阻器及其制备方法
    面向高温应用的忆阻器及其制备方法_清华大学_202511451238.0
    本申请涉及电子材料及器件技术领域，公开了面向高温应用的忆阻器及其制备方法。忆阻器，包括：导电基板；栅极介质层，所述栅极介质层设置在所述导电基板的至少一个表面；第一封装层，所述第一封装层设置在所述栅极介质层远离所述导电基板的一侧；沟道层，所述...
    2026-03-15
  • 基于单层氧化镓和单层蓝磷的铁电金属调控忆阻器及芯片
    基于单层氧化镓和单层蓝磷的铁电金属调控忆阻器及芯片_安徽大学_202610140324.8
    本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种基于单层氧化镓和单层蓝磷的铁电金属调控忆阻器及芯片。铁电金属调控忆阻器包括从上至下依次接触设置的顶电极层、调控层以及底电极层。其通过利用氧化镓独特的铁电特性和蓝磷二维材料的优异电学性能结合在一起，两者形...
    2026-03-15
  • 一种原位氧化锡掺杂硒化铅提升红外探测性能的材料制备方法
    一种原位氧化锡掺杂硒化铅提升红外探测性能的材料制备方法_电子科技大学_202511450398.3
    本发明公开了一种原位氧化锡掺杂硒化铅提升红外探测性能的材料制备方法，属于红外探测领域。本发明实现从紫外到中红外高性能探测的功能。本发明采用硒化铅(PbSe)和锡(Sn)双靶材磁控共溅射沉积完成硒化铅薄膜锡掺杂过程，并在薄膜沉积过程中通入离化...
    2026-03-15
  • 半导体外延层的制备方法、半导体器件及其制备方法
    半导体外延层的制备方法、半导体器件及其制备方法_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202411143903.5
    本发明公开了一种半导体外延层的制备方法、半导体器件及其制备方法，半导体外延层的制备方法包括：将衬底置于外延反应腔室内；向外延反应腔室内提供半导体外延层材料的反应源，于衬底的一侧形成半导体外延层；其中，半导体外延层形成过程中的中间产物包括至少...
    2026-03-15
  • 一种用于转移金属电极的方法
    一种用于转移金属电极的方法_中国科学院物理研究所_202411161633.0
    本发明提供一种用于转移金属电极的方法，其依次包括以下步骤：(1)提供牺牲基底，在牺牲基底上制备抗蚀剂牺牲层；(2)通过光刻法，使所述抗蚀剂牺牲层形成期望的金属电极形状以获得图案化牺牲层并且使所述图案化牺牲层周边的一部分厚度减小以形成下沉结构...
    2026-03-15
  • 用于在基板形成金属硅化物层的方法和装置
    用于在基板形成金属硅化物层的方法和装置_东京毅力科创株式会社_202511128623.1
    本发明提供一种用于在基板形成金属硅化物层的方法和装置。在该方法中，向露出了硅层的基板供给金属卤化物的气体来形成金属硅化物层。该方法包括以下工序：将露出了硅层的所述基板加热至490℃以上且600℃以下的范围内的温度；预供给原料气体，所述原料气...
    2026-03-15
  • 掩膜板框架及掩膜板组件
    掩膜板框架及掩膜板组件_厦门高光半导体材料有限公司_202512040788.X
    本申请提供一种掩膜板框架及掩膜板组件。其中的掩膜板框架包括：框体，框体中部具有上下贯通的窗口，围绕窗口四周具有边框，边框上侧具有用于连接掩膜板的结合面；以及至少一个支撑部件，支撑部件包括从边框内侧向窗口内延伸的伸出部、设置于伸出部一端的连接...
    2026-03-15
  • n型半导体层的制备方法、半导体器件及其制备方法
    n型半导体层的制备方法、半导体器件及其制备方法_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202411144597.7
    本发明公开了一种n型半导体层的制备方法、半导体器件及其制备方法，n型半导体层的制备方法包括：形成半导体层，并向半导体层的形成环境中提供n型掺杂源，以在半导体层中掺杂n型掺杂杂质，形成n型半导体层；其中，n型掺杂源包括含N元素的化合物。本发明...
    2026-03-15
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_细美事有限公司_202511192090.3
    公开了一种处理基板的方法及基板处理装置，该方法包括：加热操作，利用激光源产生的激光照射基板并加热所述基板，其中所述加热操作包括：激光分束操作，使用光学调制单元将所述激光分成多个子光束；以及激光照射操作，利用所述多个子光束照射所述基板，并且所...
    2026-03-15
  • 基板处理装置和基板处理方法
    基板处理装置和基板处理方法_细美事有限公司_202511193965.1
    本发明公开了一种基板处理方法，包括：将处理液体供应到旋转的基板上；以及通过激光照射组件用激光照射在其上形成有处理液体的液膜的旋转的基板，从而加热基板，其中，基板被划分为一个或多个单位照射区域，激光照射组件指定一个或多个单位照射区域中的任一单...
    2026-03-15
  • 基板表面处理方法
    基板表面处理方法_日扬科技股份有限公司_202510897959.8
    本发明涉及一种基板表面处理方法，包含下列步骤：对基板的表面进行平坦化处理步骤；以及对基板的表面进行电浆处理步骤，其中平坦化处理步骤与电浆处理步骤于基板之表面上非同时地以可调整之顺序进行。此基板表面处理方法可解决传统单一制程或同步式复合制程所...
    2026-03-15
  • 氧化铝硬掩模层的刻蚀方法及半导体工艺设备
    氧化铝硬掩模层的刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511455140.2
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种氧化铝硬掩模层的刻蚀方法及半导体工艺设备。氧化铝硬掩模层的刻蚀方法，包括：向工艺腔室内通入工艺气体并激发形成等离子体，以对工艺腔室内的氧化铝硬掩模层进行刻蚀；其中，工艺气体包括BCl3。半导体工艺...
    2026-03-15
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_细美事有限公司_202510749675.4
    本发明公开了基板处理装置以及基板处理方法。根据本发明的实施例的基板处理装置，用于处理包括第一半导体层和第二半导体层的层叠结构的基板，其特征在于，所述基板处理装置包括：第一工艺模组，用于利用氟气选择性蚀刻所述第二半导体层；第二工艺模组，用于利...
    2026-03-15
  • 半导体图形结构的刻蚀方法
    半导体图形结构的刻蚀方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511746020.8
    本发明公开了一种半导体图形结构的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底至少具有两种半导体材料区，各种半导体材料区中的半导体材料不同。定义出半导体图形结构的形成区域。采用原子层刻蚀对各半导体图形结构的形成区域中的半导体材料进行刻蚀形成各种...
    2026-03-15
  • 一种基于化学刻蚀的微孔微槽正面刻蚀方法
    一种基于化学刻蚀的微孔微槽正面刻蚀方法_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511931442.2
    本发明公开了一种基于化学刻蚀的微孔微槽正面刻蚀方法，包括：在硅基底表面依次沉积Si3N4层、SiO2和SiOxNy层，作为微孔微槽基底；采用感应耦合等离子体刻蚀技术，设置偏置功率为100~240W，通入刻蚀气体，对微孔微槽基底进行HMO刻蚀...
    2026-03-15
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