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最新专利技术
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202411141652.7
    本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括：衬底、位于衬底上的第一网状结构和第二网状结构，第一网状结构包括第一信号线和第二信号线，多条第一信号线沿第二方向排列并沿第一方向延伸，第二信号线和第一信号线异层设置，在第二方向上，第二...
    2026-03-16
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411164981.3
    本发明提供一种电子装置，包含：衬底，具有主动区；多条扫描线，设置在衬底上且沿第一方向延伸；多条数据线，设置在衬底上且沿第二方向延伸，其中，扫描线与数据线交错形成多个画素，画素呈阵列形式排列且设置在主动区中；多个第一电晶体，分别对应于主动区的...
    2026-03-16
  • 显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置
    显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202511131630.7
    本申请涉及显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置。显示装置包括：衬底，包括显示区域和围绕显示区域的外围区域；第一晶体管，设置在衬底外围区域中并且包括具有第一沟道区的第一有源层以及第一栅电极；第一绝缘层，设置在第一晶体管上；第一...
    2026-03-16
  • 一种Micro-LED显示面板及其制备方法
    一种Micro-LED显示面板及其制备方法_友达光电(昆山)有限公司_202511686201.6
    一种Micro‑LED显示面板及制备方法，具有基板及阵列排布于基板上的多个像素单元，每一像素单元包含驱动用薄膜晶体管，各薄膜晶体管包含半导体层、第一绝缘层、第一图案化金属层、层间介质层及第二图案化金属层；半导体层位于基板上包含多个晶粒；第一...
    2026-03-16
  • 一种半导体集成电路基本单元及其形成方法、布局
    一种半导体集成电路基本单元及其形成方法、布局_北京知识产权运营管理有限公司_202411123972.X
    本申请提供一种半导体集成电路基本单元及其形成方法和布局，所述基本单元包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述半导体衬底包括相互垂直的x方向和y方向；所述第一区域的半导体衬底上形成有沿x方向延伸的若干第一鳍片，所述第二区域...
    2026-03-16
  • 背接触太阳能电池和光伏组件
    背接触太阳能电池和光伏组件_隆基乐叶光伏科技(西咸新区)有限公司_202511621212.6
    本申请公开了一种背接触太阳能电池和光伏组件，背接触太阳能电池包括：半导体基底，半导体基底的第一表面包括：沿第一方向间隔且交替设置的第一区域和第二区域；多个侧面包括与第一方向平行的至少一个第一侧面；第一掺杂层，设于第一区域上；第二掺杂层，设于...
    2026-03-16
  • In掺杂的PbS薄膜在制备碲化镉薄膜电池中的应用
    In掺杂的PbS薄膜在制备碲化镉薄膜电池中的应用_中茂绿能科技(西安)有限公司_202511828670.7
    本发明涉及碲化镉薄膜太阳能电池技术领域，具体来说是In掺杂的PbS薄膜在制备碲化镉薄膜电池中的应用。以In掺杂的PbS薄膜作为碲化镉薄膜电池的背接触层，In掺杂的PbS薄膜中，In的质量百分比为5wt%~10wt%，余量为PbS。本发明主要...
    2026-03-16
  • 一种光伏组件四边装框装置
    一种光伏组件四边装框装置_内蒙古汇达一道新能源科技有限公司_202411167838.X
    本发明公开了一种光伏组件四边装框装置，该装置涉及光伏组件生产技术领域；包括升降输送带，层压件校准机构，边框校准机构，短框夹持机构，长框夹持机构；所述升降输送的短边两侧设有短框夹持机构；所述层压件的长边两侧设有长框夹持机构；并将边框朝向层压件...
    2026-03-16
  • 光伏器件及其制备方法、光伏组件、发电装置和用电装置
    光伏器件及其制备方法、光伏组件、发电装置和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411184275.5
    本申请提供了一种光伏器件及其制备方法、光伏组件、发电装置和用电装置，光伏器件包括电池功能组件、盖体组件、密封组件和汇流组件，电池功能组件包括电极层和光电转换层；盖体组件包括盖主体和设置于盖主体的引出孔，盖主体覆盖电池功能组件；密封组件包括第...
    2026-03-16
  • 一种抗紫外老化的光伏组件封装成型工艺
    一种抗紫外老化的光伏组件封装成型工艺_广德协鑫新能源科技有限公司_202511809336.7
    本发明公开了一种抗紫外老化的光伏组件封装成型工艺，涉及光伏组件制造技术领域，针对现有光伏组件长期暴露于户外紫外环境下，封装材料易发生降解、黄变，导致组件透光率下降、电性能衰减及使用寿命缩短的技术问题，本发明通过一体化工艺设计，实现光伏组件抗...
    2026-03-16
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511758150.3
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：多个电池串，电池串包括沿第一方向间隔排布且相互串联的两个子电池串，多个电池串沿第一方向和第二方向均间隔排布，沿第二方向间隔排布的两个电池串并联构成电池模组；设置有与电池模组一一对应的旁路二极...
    2026-03-16
  • 光伏组件
    光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511793830.9
    本申请的实施例提供了一种光伏组件，涉及光伏发电的技术领域。光伏组件包括第一太阳电池串组和第二太阳电池串组。第一太阳电池串组包括多个并联的第一太阳电池串，第一太阳电池串包括多个沿第二方向排布的第一太阳电池片。第二太阳电池串组包括多个并联的第二...
    2026-03-16
  • 基于势垒高度控制的双端紫外光电探测器及其制备方法
    基于势垒高度控制的双端紫外光电探测器及其制备方法_复旦大学_202511591247.X
    本发明属于光电子器件技术领域，具体为一种基于势垒高度控制的双端紫外光电探测器及制备方法。本发明探测器结构自下而上依次为：衬底，电极，功能层，介质层，透明电极层；基于金属或半导体/绝缘体介质/透明电极结构，实现紫外光谱选择；通过绝缘介质层将功...
    2026-03-16
  • 一种GeSe/Si异质结光电器件及其制备方法
    一种GeSe/Si异质结光电器件及其制备方法_铜陵学院_202511799962.2
    本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种GeSe/Si异质结光电器件及其制备方法，包括底电极、n型硅衬底、GeSe层、顶电极；其中，所述n型硅衬底与所述GeSe层构成范德瓦尔斯异质结，所述GeSe/Si异质结光电器件整体呈三明治结构，所...
    2026-03-16
  • 雪崩光电探测器及其制备方法
    雪崩光电探测器及其制备方法_国科大杭州高等研究院_202610123247.5
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种雪崩光电探测器及其制备方法，探测器包括衬底、外延层、外围p型注入阱、有源区p型注入阱、有源区n型注入阱和表面n型注入区。外延层形成于衬底之上，外围p型注入阱形成于外延层之上的第一区域和第二区域；有源区p型注...
    2026-03-16
  • 一种时空尺度可调的肖特基势垒光电探测器及其制备方法
    一种时空尺度可调的肖特基势垒光电探测器及其制备方法_华中科技大学_202511777475.6
    本发明属于半导体器件相关技术领域，并公开了一种时空尺度可调的肖特基势垒光电探测器，其包括依次叠设的栅极层、栅介质层和沟道层，以及各自叠设于沟道层上的漏源极，其中漏源极分别采用功函数不同的金属材料制成，沟道层采用功函数介于两者之间的半导体材料...
    2026-03-16
  • 图像传感器及其形成方法
    图像传感器及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202411118239.9
    本发明公开了一种图像传感器及其形成方法，该方法包括：提供衬底；刻蚀衬底形成浅沟槽，并填充介质材料形成浅沟槽隔离结构；通过多次刻蚀所述浅沟槽隔离结构的介质材料，在所述浅沟槽隔离结构的介质材料中形成一个沟槽或多个不同深度的沟槽；在沉积多晶硅后，...
    2026-03-16
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511169932.3
    一种图像传感器包括：第一基板，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，并且包括多个像素区组，每个像素区组包括多个像素区，像素区在平行于第一表面的第一方向和第二方向上取向，第二方向与第一方向相交；在第一表面和像素区组上的第一接合焊盘；第一屏蔽...
    2026-03-16
  • 背照式图像传感器的像素隔离结构制备方法及半导体结构
    背照式图像传感器的像素隔离结构制备方法及半导体结构_粤芯半导体技术股份有限公司_202610140645.8
    本申请实施例提供了一种背照式图像传感器的像素隔离结构制备方法及半导体结构，该方法包括：提供衬底，在衬底中形成多个像素结构；在衬底上形成第一介质层薄膜，并在第一介质层薄膜上形成含碳的有机介质层直至填满深沟槽；对有机介质层进行刻蚀直至低于深沟槽...
    2026-03-16
  • 一种单片集成的全斯托克斯偏振探测器及制备方法
    一种单片集成的全斯托克斯偏振探测器及制备方法_上海大学_202511853344.1
    本发明涉及光电子器件技术领域，公开一种单片集成的全斯托克斯偏振探测器及制备方法，全斯托克斯偏振探测器包括多个PIN光电二极管、在多个PIN光电二极管上形成的透明导电层、在透明导电层上形成的氧化钛超表面结构、在透明导电层上形成的顶部电极以及在...
    2026-03-16
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