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最新专利技术
  • 光学增益腔、光学系统和控制光学增益腔的方法
    光学增益腔、光学系统和控制光学增益腔的方法_清华大学_202411126256.7
    本公开涉及一种光学增益腔、光学系统及控制光学增益腔的方法。本公开的光学增益腔包括多个反射镜和可调孔径光阑，其中多个反射镜被配置为放大射入光学增益腔的激光光束的功率，可调孔径光阑被部署在光学增益腔内的激光光束的光路上，并且该可调孔径光阑被配置...
    2026-04-12
  • 采用压电螺钉与闭环反馈的激光位置及角度指向锁定系统
    采用压电螺钉与闭环反馈的激光位置及角度指向锁定系统_山西大学_202511732891.4
    本发明公开了采用压电螺钉与闭环反馈的激光位置及角度指向锁定系统，属于激光自动反馈控制技术领域。本发明通过引入压电螺钉并结合实时图像识别技术，实现了对激光光束质心位置与角度指向的高精度控制。相较于传统手动调整光学元件的方法，本系统在控制精度和...
    2026-04-12
  • 激光装置以及电子器件的制造方法
    激光装置以及电子器件的制造方法_大学共同利用机关法人自然科学研究机构_202510915516.7
    提供激光装置以及电子器件的制造方法。激光装置具备：光谐振器，其包括输出镜和光栅；激光腔室，其配置于光谐振器的光路上，包含对激光增益介质施加电压的一对第一电极；电源；以及第一棱镜，其设置于激光腔室与光栅之间，将从激光腔室射出的光束放大并朝向光...
    2026-04-12
  • 激光装置、激光系统以及电子器件的制造方法
    激光装置、激光系统以及电子器件的制造方法_大学共同利用机关法人自然科学研究机构_202510915913.4
    提供激光装置、激光系统以及电子器件的制造方法。激光装置具备：第一激光光源，其输出具有183nm以上且300nm以下的波长的第一脉冲激光；以及第一电光元件，其包含第一电光元件用材料和配置于第一电光元件用材料的一对第一电极，所述第一电光元件用材...
    2026-04-12
  • 基于泵浦脉冲时域调制的OPO光束质量优化方法及系统
    基于泵浦脉冲时域调制的OPO光束质量优化方法及系统_山东大学_202610113430.7
    本公开提供了基于泵浦脉冲时域调制的OPO光束质量优化方法及系统，涉及激光调制技术领域，包括：获取半导体连续光种子源；利用信号发生器与光调制器对种子光进行脉冲调制预补偿；将预补偿后的种子光经过光纤‑固体多级放大，获得近衍射极限的时域平顶光脉冲...
    2026-04-12
  • 一种孤子分子自动锁模控制方法、系统及装置
    一种孤子分子自动锁模控制方法、系统及装置_西安邮电大学_202511926954.X
    本发明公开了一种孤子分子自动锁模控制方法、系统及装置，涉及光纤激光器技术领域，方法包括：根据历史光谱图像数据分别构建孤子分子数据集、普通锁模数据集和未锁模状态数据集；根据孤子分子数据集训练光谱图像分类算法得到孤子分子识别模型；对实时光谱图像...
    2026-04-12
  • 残余泵浦光在线监测装置、方法及光纤激光器
    残余泵浦光在线监测装置、方法及光纤激光器_四川科锐新激光科技有限公司_202511743789.4
    本申请公开了一种残余泵浦光在线监测装置、方法及激光器，涉及激光器领域，其中，监测装置包括：第一合束器、衰减器和光电探测器；所述第一合束器用于分离增益光纤中的部分残余泵浦光；所述衰减器用于对分离出的残余泵浦光进行衰减；所述光电探测器用于检测衰...
    2026-04-12
  • 光源装置、系统及水窗波段全相干自由电子激光产生方法
    光源装置、系统及水窗波段全相干自由电子激光产生方法_深圳先进光源研究院_202610121806.9
    本发明公开了光源装置、系统及水窗波段全相干自由电子激光产生方法，装置包括：用于接入电子束与种子激光并产生低次谐波的谐波产生单元；至少两级级联的放大器单元，与谐波产生单元连接，用于接入低次谐波辐射并产生相干的谐波辐射，并用于将相干的谐波激光调...
    2026-04-12
  • 一种改进的大面积界面检测方法和装置
    一种改进的大面积界面检测方法和装置_武汉光迅科技股份有限公司_202411176726.0
    本发明涉及激光器芯片检测技术领域，特别是涉及一种改进的大面积界面检测方法和装置，本发明通过获取激光器芯片出光面的电致发光光子，对这些电致发光光子进行相应的处理得到光强分布图像，并根据所述光强分布图像得到所述激光器芯片出光面的质量情况。本发明...
    2026-04-12
  • 一种基于超短外腔调制光反馈的宽带线性调频微波源
    一种基于超短外腔调制光反馈的宽带线性调频微波源_南京邮电大学_202511819801.5
    本发明提供一种基于超短外腔调制光反馈的宽带线性调频微波源，涉及微波光子学领域。主半导体激光器产生的连续光经调节后注入从激光器，使其工作于周期振荡状态；从激光器与电吸收调制器、反射镜集成构成超短外腔，反馈光强度由外接信号源调控，以实现腔模频率...
    2026-04-12
  • 一种基于光电芯片的集成纳秒光源
    一种基于光电芯片的集成纳秒光源_中国科学院上海光学精密机械研究所_202411152916.9
    本发明涉及一种基于光电芯片的集成纳秒光源，主要应用SOA斩波技术，使用SOA级联斩波替代传统EOM、AOM级联的结构，本发明包括：DFB光源、斩波模块1、斩波模块2、准直器。本发明基于光电混合封装工艺，将DFB芯片、SOA芯片集成在一个基板...
    2026-04-12
  • 基于铌酸锂平台的高功率窄线宽片上激光器及其制备方法
    基于铌酸锂平台的高功率窄线宽片上激光器及其制备方法_华东师范大学_202511842784.7
    本发明公开了一种基于铌酸锂平台的高功率窄线宽片上激光器及其制备方法，其特点是采用宽波导法布里‑珀罗半导体激光器与薄膜铌酸锂外腔芯片混合集成的片上激光器结构，实现高功率和窄线宽的输出，所述宽波导法布里‑珀罗半导体激光提供多模激光；所述铌酸锂外...
    2026-04-12
  • 激光器和激光系统
    激光器和激光系统_甬江实验室_202511500403.7
    本申请提供了一种激光器和激光系统，涉及光电技术领域，该激光器包括外延结构、脊波导、发热结构和第一电隔离层。其中，外延结构包括有源层；脊波导设置在外延结构上，且沿第一方向延伸，第一方向平行于有源层；发热结构覆盖在脊波导的至少一个表面上，且发热...
    2026-04-12
  • 一种可调谐半导体激光器用精确锁波装置
    一种可调谐半导体激光器用精确锁波装置_无锡市德科立光电子技术股份有限公司_202511740820.9
    本发明公开了一种可调谐半导体激光器用精确锁波装置，涉及激光器技术领域，该装置包括：分光棱镜、两个光电探测器以及位于线路底板上的Etalon和加热器；对于单波长准直激光束，经分光棱镜分光，一路光束直接被第一光电探测器接收，起到功率监测的作用；...
    2026-04-12
  • 一种基于锥形波导的单横模或准单横模激光器输出光束整形方法
    一种基于锥形波导的单横模或准单横模激光器输出光束整形方法_华中科技大学_202511717664.4
    本发明涉及一种基于锥形波导的单横模或准单横模激光器输出光束整形方法，属于光束整形技术。单横模或准单横模的半导体激光器输出光束，直接耦合进入锥形光波导；所述锥形光波导的输入端截面为矩形，所述输入端用于耦合所述单横模或准单横模的半导体激光器输出...
    2026-04-12
  • 垂直腔面发射激光器结构及其制备方法
    垂直腔面发射激光器结构及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511775615.6
    本发明公开了一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法。所述垂直腔面发射激光器包括：衬底和依次设置在衬底上的底部DBR、第一电流扩展层、有源区和p侧接触堆栈；通孔，开设在p侧接触堆栈、有源区、第一电流扩展层和底部DBR内，且通孔底部位于衬底内部...
    2026-04-12
  • 一种新型长波长垂直面发射激光器
    一种新型长波长垂直面发射激光器_福建慧芯激光科技有限公司_202610122887.4
    本发明公开了一种新型长波长垂直面发射激光器，涉及激光器技术领域，包括自下而上依次设置的衬底、底部GaAs基DBR、第一范德华缓冲层、长波长谐振腔、第二范德华缓冲层和顶部GaAs基DBR；所述第一范德华缓冲层和第二范德华缓冲层均为石墨烯。本发...
    2026-04-12
  • 一种新型磷化铟基垂直面发射激光器
    一种新型磷化铟基垂直面发射激光器_福建慧芯激光科技有限公司_202610122888.9
    本发明公开了一种新型磷化铟基垂直面发射激光器，涉及激光器技术领域，包括InP基外延层、二维材料层和GaAs基外延层；InP基外延层包括InP衬底、底部N型DBR、N型掺杂层、有源区和第一P型掺杂层；GaAs基外延层包括氧化限制层、第二P型掺...
    2026-04-12
  • 一种具有光场引导层的半导体激光器及其制备方法
    一种具有光场引导层的半导体激光器及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202610113587.X
    本发明涉及一种具有光场引导层的半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。所述半导体激光器，沿外延生长方向依次包括GaAs衬底、缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层和GaAs欧姆接触层，所述GaAs欧姆接触...
    2026-04-12
  • 紫外激光器结构
    紫外激光器结构_中国科学院半导体研究所_202511853298.5
    本申请提供了一种紫外激光器结构，涉及激光器领域。该激光器结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层和下限制层；下限制层的一部分表面自下而上依次层叠有下波导层、有源区、上波导层、合金插入层和上限制层，下限制层的另一部分表面层叠有n侧接触电极；...
    2026-04-12
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