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最新专利技术
  • 一种X射线管阴阳极封装精密封中工艺及工装装置
    一种X射线管阴阳极封装精密封中工艺及工装装置_温州市承泰电子有限公司_202510649541.5
    一种X射线管阴阳极封装精密封中工艺及工装装置，通过第一工装夹具将封底玻壳和阳极组件进行封接，得到第一封接组件；通过第二工装夹具将管体中心孔和第一封接组件进行同轴对接，并做可松紧的固定连接；将第二工装夹具连同固定的第一封接组件、管体，一并放置...
    2026-04-02
  • 一种X射线管的管芯组件
    一种X射线管的管芯组件_微睿科技(苏州)有限公司_202511613955.9
    本发明公开了一种X射线管的管芯组件，包括阴极组件、阳极组件、管壳、排气灯丝和吸气件，阴极组件包括阴极底板以及固定在阴极底板上的工作灯丝，工作灯丝用于发射第一电子；阳极组件包括可旋转的阳极靶盘，阳极靶盘包括接收第一电子轰击并产生X射线的环形靶...
    2026-04-02
  • 一种多元合金电极等离子体表面改性处理设备
    一种多元合金电极等离子体表面改性处理设备_北京华易氢元科技有限公司_202511601698.7
    本发明公开了一种多元合金电极等离子体表面改性处理设备，具体涉及等离子体表面改性处理领域，该装置包括真空腔体，真空腔体的外侧设置有箱门，真空腔体的外侧设置有充气机构、真空机构和废气处理机构，真空腔体的内部安装有检测机构、通电机构和限制机构，限...
    2026-04-02
  • 一种离子注入机的故障脉冲补偿系统及补偿方法
    一种离子注入机的故障脉冲补偿系统及补偿方法_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511391605.2
    本发明公开了一种离子注入机的故障脉冲补偿系统，包括扫描电机模块、编码处理模块、IO控制模块和逻辑电路模块；扫描电机模块，用于驱动晶圆靶台运动并反馈位置信号；编码处理模块，用于处理位置信号并生成控制逻辑；IO控制模块，用于区分电源故障信号；逻...
    2026-04-02
  • 离子注入机
    离子注入机_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610056657.2
    本申请提供了一种离子注入机，属于半导体领域，其包括离子源，用于产生阳离子及电子；离子萃取模块，用于从离子源中萃取出阳离子并产生离子束；第一电子萃取模块，用于从离子源中萃取出电子并产生电子束；中和腔室，用于接收离子束和电子束，并利用电子束中和...
    2026-04-02
  • 用于半导体制造的具备优化气流控制的增强型原子层刻蚀工艺
    用于半导体制造的具备优化气流控制的增强型原子层刻蚀工艺_上海原子启智半导体设备有限公司_202511035125.2
    本发明公开了一种用于半导体制造的具备优化气流控制的增强型原子层刻蚀工艺，以改进气体流量控制。该工艺引入了一种在表面改性和溅射步骤中保持恒定惰性气体流量的方法，显著缩短了气体交换时间，并提高了周期效率。通过预先设定的MFCs和阀门的固定设定值...
    2026-04-02
  • 补偿由多馈电系统中的匹配电路引起的参数差异
    补偿由多馈电系统中的匹配电路引起的参数差异_ASMIP私人控股有限公司_202511101627.0
    在一个实施例中，本公开涉及一种用于向具有多个功率信号输入的等离子体室提供能量的系统。电源将输出信号传输到匹配电路。每个匹配电路提供不同的匹配位置。存储器对于每个匹配电路的每个匹配位置并且对于每个输出信号存储匹配电路的输出处的输出信号的参数(...
    2026-04-02
  • 等离子体刻蚀腔室、清洁方法及半导体工艺设备
    等离子体刻蚀腔室、清洁方法及半导体工艺设备_深圳市矩阵多元科技有限公司_202511538080.0
    本发明公开了一种等离子体刻蚀腔室、清洁方法及半导体工艺设备。等离子体刻蚀腔室包括腔室本体、基片台、金属板和压边件。压边件包括第一端部，第一端部抵接金属板背离基片台的一侧，第一端部沿金属板背离基片台的一侧延伸的表面被配置为第一区域。其中，金属...
    2026-04-02
  • 金属栅高介电常数层材料DPN设备及工艺
    金属栅高介电常数层材料DPN设备及工艺_上海稷以科技有限公司_202511688842.5
    本发明提出了一种金属栅高介电常数层材料DPN设备及工艺，该设备包括：腔体和设置在腔体上的谐振线圈，腔体上设有进气口，谐振线圈连接RF射频发生器，RF射频发生器输出具有占空比的射频功率。本发明可尽量避免氮原子穿透高介电常数层进入下层器件区域。
    2026-04-02
  • 多腔室的射频控制系统、半导体器件的工艺设备和方法
    多腔室的射频控制系统、半导体器件的工艺设备和方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511698313.3
    本发明公开了一种多腔室的射频控制系统、半导体器件的工艺设备和方法。该射频控制系统包括：第一组射频调控单元，包括一第一射频电源和第一功率分配器，用于向第一分组内的多个工艺腔中的下电极提供同一目标射频信号；以及第二组射频调控单元，包括一第二射频...
    2026-04-02
  • 微通道板及其腐蚀方法和腐蚀用夹具
    微通道板及其腐蚀方法和腐蚀用夹具_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511353635.4
    本发明公开了一种微通道板及其腐蚀方法和腐蚀用夹具，其中微通道板的基体为皮料玻璃，微通道板的基体的中心区域密布有通道阵列，微通道板的基体的周边区域内密布有形成微通道板支撑部的芯料玻璃，使得微通道板能够保持一定的结构强度，并仅由芯料玻璃和皮料玻...
    2026-04-02
  • 用于质谱仪的离子光学系统高压电源
    用于质谱仪的离子光学系统高压电源_北方工业大学_202511413454.6
    本发明提供一种用于质谱仪的离子光学系统高压电源，涉及高压电源技术领域，所述用于质谱仪的离子光学系统高压电源包括：高压输入模块，输出端与调制电路的第一输入端连接，从而为调制电路提供第一输入电压；低压输入模块，输入端与质谱仪的输出端通信连接，输...
    2026-04-02
  • 一种基于PCB热压合工艺的一体化迁移管
    一种基于PCB热压合工艺的一体化迁移管_营口世纪电子仪器股份有限公司_202511674464.5
    本发明公开一种基于PCB热压合工艺的一体化迁移管，包括：采用覆铜板、半固化片、FR4基材按对称结构堆叠热压成复合基材，经CNC加工圆柱形迁移通道，集成分压电路，离子门、屏蔽栅网、法拉第盘检测器及屏蔽功能。本发明的基于PCB热压合工艺的一体化...
    2026-04-02
  • 一种离子迁移谱仪及其多路复用信号处理方法
    一种离子迁移谱仪及其多路复用信号处理方法_深圳市新邦防护科技有限公司_202511707683.9
    本发明涉及一种离子迁移谱仪，特点是，由两个相同介质电极构成离子源，该介质电极的石英毛细介质管内壁镀覆有金属导电层，该介质管的一个端口密封，该介质电极的金属内电极置于介质管中，金属内电极通过金属丝从介质管另一个端口引出后，再将该端口密封，两个...
    2026-04-02
  • 用于多级解离质谱分析的多模式前体离子处理装置及方法
    用于多级解离质谱分析的多模式前体离子处理装置及方法_常州磐诺仪器有限公司_202511734173.0
    本发明涉及一种用于多级解离质谱分析的多模式前体离子处理装置及方法，涉及串级质谱分析技术领域，该多模式前体离子处理装置包括前体离子筛选单元及三段式线性离子阱模块；所述三段式线性离子阱模块包括第一段线性离子阱、第二段线性离子阱和第三段线性离子阱...
    2026-04-02
  • 一种脉冲氙灯冷却装置
    一种脉冲氙灯冷却装置_合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)_202610024463.4
    本发明提供了一种脉冲氙灯冷却装置，涉及放电管或放电灯领域。所述冷却装置包括：冷却装置主体，所述冷却装置主体的一端设有氙灯阳极放置通道，另一端设有氙灯阴极放置通道，所述脉冲氙灯通过所述氙灯阳极放置通道或所述氙灯阴极放置通道放置到所述冷却装置主...
    2026-04-02
  • 正极极片及其制备方法、电池和用电装置
    正极极片及其制备方法、电池和用电装置_广州塞克第斯新能源科技股份有限公司_202511747399.4
    本申请公开了正极极片及其制备方法、电池和用电装置，属于新能源储能技术领域。所述正极极片包括集流体和依次设置在所述集流体至少一侧的导电层和正极活性层；所述导电层设于所述集流体和正极活性层之间；所述导电层包括第一碳纳米管、第一导电剂和第一粘合剂...
    2026-04-02
  • 一种抑制锌枝晶生长的Cu-HKUST-1涂层的制备方法
    一种抑制锌枝晶生长的Cu-HKUST-1涂层的制备方法_江西省倍特力新能源有限责任公司_202511542834.X
    本发明涉及水系锌离子电池技术领域，具体涉及一种抑制锌枝晶生长的Cu‑HKUST‑1涂层的制备方法，包括在锌阳极表面涂敷一层Cu‑MOF(Cu‑HKUST‑1)涂层，使溶液中的H2O分子不易与Zn直接接触，极大程度的减少了H2O侵蚀带来的一系...
    2026-04-02
  • 一种硫化物固态电池的负极极片及其制备方法和硫化物固态电池
    一种硫化物固态电池的负极极片及其制备方法和硫化物固态电池_中国第一汽车股份有限公司_202511779700.X
    本发明涉及硫化物固态电池负极制备领域，具体而言，涉及一种硫化物固态电池的负极极片及其制备方法和硫化物固态电池。本发明提供的固态电池的负极极片的制备方法，在制备的过程中，在涂覆负极浆料之前或同时，采用高分子保护层对极耳区进行保护，避免负极极片...
    2026-04-02
  • 极片涂布方法及极片涂布装置
    极片涂布方法及极片涂布装置_惠州亿纬锂能股份有限公司_202511860980.7
    本发明属于极片涂布技术领域，公开了极片涂布方法及极片涂布装置，该极片涂布方法中，控制集流体沿其长度方向输送；沿集流体的长度方向对集流体进行跳涂，以形成若干极片区域；其中，极片区域包括沿集流体的长度方向间隔设置的两个涂布区域，两个涂布区域之间...
    2026-04-02
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