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最新专利技术
  • 点焊辅助定位装置及应用该装置的焊接设备
    点焊辅助定位装置及应用该装置的焊接设备_昆山英业特电子科技有限公司_202511520586.9
    本申请公开了一种点焊辅助定位装置及应用该装置的焊接设备，涉及焊接定位工装的技术领域，其包括底板和压盖板，所述底板上设置有用于放置印刷电路板的承台，所述压盖板用于将待焊接的线束压紧在印刷电路板上，所述承台上设置有用于对压盖板进行限位的限位件，...
    2026-02-14
  • 一种PCBA线路板智能制造模具
    一种PCBA线路板智能制造模具_苏州华誉智能科技有限公司_202511640313.8
    本发明涉及PCBA线路板制造技术领域，具体为一种PCBA线路板智能制造模具，包括制造框体；模具组件，所述模具组件包括压合框体，所述压合框体固定连接在制造框体的顶部。该PCBA线路板智能制造模具，通过安装模具组件，可实现压合模具会随模具压杆同...
    2026-02-14
  • 一种软硬结合印制电路板衬板组装生产线及光学检测方法
    一种软硬结合印制电路板衬板组装生产线及光学检测方法_江苏晶淮电子有限公司_202411027150.1
    本发明涉及电路板衬板组装平台技术领域，且公开了一种软硬结合印制电路板衬板组装生产线及光学检测方法，包括支撑架，所述支撑架上设置有组装台，所述组装台为矩形平台，所述支撑架的内部设置有推动机构，推动机构包括固定块，所述固定块固定安装在支撑架的内...
    2026-02-14
  • 一种SMT贴片质量检测设备
    一种SMT贴片质量检测设备_武汉世纬技术有限公司_202511412657.3
    本发明涉及smt贴片技术领域，且公开了一种SMT贴片质量检测设备，包括质量检测设备本体，所述质量检测设备本体上设置有检测提升架，所述检测提升架上安装有提升设备本体，本发明通过启动提升设备本体与输送设备本体，使得方形贴片元器件位于第二测温贴片...
    2026-02-14
  • 静态随机存取存储器
    静态随机存取存储器_联华电子股份有限公司_202411106396.8
    本发明提供一种静态随机存取存储器，至少一第一上拉晶体管(PU1)、一第一下拉晶体管(PD1)、一第二上拉晶体管(PU2)、一第二下拉晶体管(PD2)、一第一存取晶体管(PG1)、一第二存取晶体管(PG2)、一第一读取晶体管(RPD)与一第二...
    2026-02-14
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510354966.3
    一种半导体器件可以包括：衬底；在衬底上的第一下片图案；在衬底上的第二下片图案；第一下栅电极，绕第一下片图案延伸；第二下栅电极，绕第二下片图案延伸；在第一下片图案上的中间片图案；在中间片图案上的上片图案；第一下源极/漏极图案和第二下源极/漏极...
    2026-02-14
  • 集成电路器件、其制造方法及生成其布局图的方法
    集成电路器件、其制造方法及生成其布局图的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413281.8
    本申请的实施例公开了集成电路器件、其制造方法及生成其布局图的方法。集成电路器件包括配置为SRAM的CFET，第一CFET包括沿第一方向定位于第一高度处的第一下拉和上拉晶体管，第二和第三CFET包括定位于第一高度处的传输门晶体管，并在垂直于第...
    2026-02-14
  • 存储器器件及其形成方法
    存储器器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511444293.7
    本申请的实施例公开了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括第一、第二、第三和第四晶体管以及第一和第二导体。第一晶体管耦合到第一节点并包括第一栅极。第二晶体管耦合到第一节点并包括第二栅极。第三晶体管耦合到第二节点，并且包括在第一方向上与第一栅...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511448241.7
    提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括：形成第一鳍和第二鳍，第一鳍和第二鳍的每个包括与多个牺牲层交错的多个沟道层；在第一鳍和第二鳍上方分别形成第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件具有不同的栅极长度；形成与第一...
    2026-02-14
  • 芯片封装结构及其制备方法、半导体器件、存储系统、电子设备
    芯片封装结构及其制备方法、半导体器件、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202410985625.1
    本公开提供了一种芯片封装结构及其制备方法、半导体器件、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在降低芯片封装结构的制备工艺难度。芯片封装结构包括衬底、第一导电柱、第一半导体结构和第二导电柱。第一导电柱在衬底内沿第一方向延伸且贯穿衬底，第一...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411019554.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在简化半导体结构的制备工艺。所述半导体结构包括多个电容器、电极层、接触柱、第一键合层、第一键合触点和引出触点。电极层包括电极部，电极部设于多个电容器在第一方...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其制作方法、访问方法、电子设备
    半导体器件及其制作方法、访问方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411035283.3
    本公开涉及一种半导体器件及其制作方法、访问方法、电子设备，制作方法包括：提供衬底，交替形成第一牺牲层和半导体层形成叠层结构；在存储区两端的半导体层形成第一掺杂区、第二掺杂区；定义第一子区，去除第一子区与第一掺杂区之间的第一牺牲层，暴露出第一...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411053609.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统，涉及半导体技术领域，旨在降低半导体结构内的晶体管失效的概率，提升半导体结构的良率。所述半导体结构包括晶体管。所述晶体管包括半导体柱和栅极。半导体柱沿第一方向延伸，所述第一方向为所述半...
    2026-02-14
  • 动态随机存取存储器及其制造方法
    动态随机存取存储器及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411380726.2
    本发明提供了一种动态随机存取存储器及其制造方法，该动态随机存取存储器包括：衬底；位线，设置于衬底上；绝缘结构，设置于衬底上，且位于相邻的位线之间，其中每个绝缘结构的下部具有两个凹口，且凹口沿着每个位线的延伸方向而面向彼此；电容接触件(cap...
    2026-02-14
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510428751.1
    一种半导体存储器装置可包括：位线，在第一平面上在第一水平方向上纵向延伸；沟道结构，在沿竖直方向与第一平面分隔开的第二平面上，沟道结构在平面图中在第二水平方向上偏离位线并在竖直方向上不与位线叠置，并且第二水平方向与第一水平方向正交；绝缘结构，...
    2026-02-14
  • 存储器架构中的多步蚀刻
    存储器架构中的多步蚀刻_美光科技公司_202511033046.8
    本申请案涉及存储器架构中的多步蚀刻。可基于多个蚀刻操作来形成半导体装置。在所述半导体装置中形成导电材料之前，可穿过一或多个材料蚀刻第一组腔体。可穿过所述半导体装置的一组多个沟道中的第一沟道及第二沟道的至少一部分蚀刻每一第一腔体。在形成所述导...
    2026-02-14
  • 具有埋藏数字线的存储器装置
    具有埋藏数字线的存储器装置_美光科技公司_202511056724.2
    本公开涉及具有埋藏数字线的存储器装置。各种应用可包含具有存储器装置的设备，其中所述存储器装置包含耦合到存储器装置的存取晶体管的数字线。所述数字线可至少部分埋藏于所述存取晶体管的衬底单元触点的顶面下方。所述衬底单元触点的所述顶面可定位于衬底的...
    2026-02-14
  • 具有层面内存取线驱动器的存储器装置
    具有层面内存取线驱动器的存储器装置_美光科技公司_202511057636.4
    本申请涉及具有层面内存取线驱动器的存储器装置。各种应用可包含具有三维3D存储器装置的设备，所述3D存储器装置具有嵌入在所述3D存储器装置的存储器阵列中的到存取线的子存取线驱动器。到所述存储器阵列中的存储器单元的层面的存取线的子存取线驱动器可...
    2026-02-14
  • 用于高密度存储器的三维圆柱电容及其制备方法
    用于高密度存储器的三维圆柱电容及其制备方法_西安电子科技大学_202511474361.4
    本发明公开了一种用于高密度存储器的三维圆柱电容及其制备方法，属于半导体存储技术领域，该方法包括：提供衬底；在衬底的表面沉积硬掩膜层，并通过光刻定义圆形开口；以圆形开口作为刻蚀掩模，利用动态气体配比组合的刻蚀工艺在衬底内形成圆柱形沟槽；在圆柱...
    2026-02-14
  • 半导体结构
    半导体结构_福建省晋华集成电路有限公司_202511634914.8
    本发明公开了一种半导体结构，包括阶梯状互连结构，可避免互连结构发生线宽紧缩或断线的问题，确保互连结构的导电品质。
    2026-02-14
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