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最新专利技术
  • 一种具有应变漂移区的超结MOSFET结构及其制备方法
    一种具有应变漂移区的超结MOSFET结构及其制备方法_陕西电子芯业时代科技有限公司_202511239646.X
    本发明提供一种具有应变漂移区的超结MOSFET结构。包括：高掺杂N型Si衬底、轻掺杂N‑缓冲层、P型SiGe外延层、沟槽、N型Si层、梯形栅极沟槽、Pbody区、高掺杂P+区和高掺杂N+区，所述轻掺杂N‑缓冲层设置于所述高掺杂N型Si衬底上...
    2026-04-29
  • 半导体功率器件及其制备方法
    半导体功率器件及其制备方法_清纯半导体(宁波)有限公司_202511338004.5
    本申请提供一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层在第一方向一侧的漂移层；位于漂移层中的阱区，在第二方向上相邻的阱区之间具有JFET区，JFET区的导电类型和阱区的导电类型相反；其中，JFET区包括...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511367761.5
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法。方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一外延层；向第一外延层中注入第一导电类型的杂质以形成与衬底中埋层连接的第一隔离区；然后在第一外延层上形成第二外延层。本发明通过将传统的单次厚外延和高能注入工艺，分解为两...
    2026-04-29
  • 提升充电电流的升压MOSFET结构及其制造方法
    提升充电电流的升压MOSFET结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511367764.9
    本发明提供一种提升充电电流的升压MOSFET结构及其制造方法。该结构在作为漂移区的N型外延层下方，于P型衬底内增设了N型注入层及位于其内的P型注入层，二者共同构成与漂移区并联的附加电流通路。该设计有效降低了器件的总导通电阻，显著提升了充电电...
    2026-04-29
  • 功率半导体器件
    功率半导体器件_美格纳半导体有限公司_202510930969.7
    本公开内容提供了具有肖特基接触结构的功率半导体器件。该功率半导体器件包括：在第一方向上以预定的间隔间隔开的栅极区；定位在栅极区之间的第一导电型的高掺杂源极区；设置在第一导电型的高掺杂源极区上的源极接触区；在与第一方向相交的第二方向上以预设的...
    2026-04-29
  • 元胞区结构及其制作方法
    元胞区结构及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511240620.7
    本发明公开了一种元胞区结构及其制作方法, 所述元胞区结构，包括 : 自下而上顺序形成在衬底及外延层上的阱注入、源注入和接触孔介质层，屏蔽栅介质层形成在深沟槽中，屏蔽栅多晶硅形成在屏蔽栅介质层中，第二栅多晶硅形成在屏蔽栅多晶硅上方的栅氧化介质...
    2026-04-29
  • 芯片结构及具有其的制作方法、车辆
    芯片结构及具有其的制作方法、车辆_中国第一汽车股份有限公司_202511316163.5
    本发明提供了一种芯片结构及具有其的制作方法、车辆。包括：衬底层和N型漂移层，N型漂移层设置于衬底层的上表面，在N型漂移层上表面设置有Pwell层，Pwell层的外层设置有第一N+层；第一N+层上开设有多个U型沟槽，U型沟槽从第一N+层的上表...
    2026-04-29
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511512774.7
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的半导体器件，包括衬底以及分别设置于衬底相对两侧的漏极金属和漂移层，漂移层包括主元胞区和采样区，主元胞区用于设置VDMOS，采样区设置采样场效应管以及隔离结构，隔离结构包括环...
    2026-04-29
  • 一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法
    一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法_西安龙飞电气技术有限公司_202511923142.X
    本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域，器件从下至上包括：漏极金属、N+型碳化硅衬底、第一N‑型碳化硅外延层、第二本征型碳化硅外延层、层间绝缘介质和源极金属；在第二本征型碳化硅外延层内有P型体区和N+型源区，...
    2026-04-29
  • 一种P型薄膜晶体管及其制备方法
    一种P型薄膜晶体管及其制备方法_北京信息科技大学_202511380434.3
    本发明公开了一种P型薄膜晶体管及其制备方法，属于集成电路微纳电子器件领域。本发明采用锗/铝薄膜周期性交替叠层结构作为有源层，通过后退火工艺促使其结晶，从而实现P型晶体管特性。所制备的薄膜晶体管性能出色，具有实际应用潜力，工艺流程简洁、成本低...
    2026-04-29
  • 一种薄膜晶体管突触器件及其制备方法
    一种薄膜晶体管突触器件及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511505545.2
    本发明公开了一种薄膜晶体管突触器件及其制备方法。该薄膜晶体管包括栅电极、栅介质层、沟道层以及源漏电极；所述沟道层由不同载流子浓度的氧化物薄膜构成，具有N++–N–N++复合结构；所述沟道层包括位于中部的IGZO薄膜以及分别位于两端的IZO薄...
    2026-04-29
  • 一种平台电位神经元晶体管、制备及工作方法
    一种平台电位神经元晶体管、制备及工作方法_浙江大学_202511588856.X
    本发明公开了一种平台电位神经元晶体管、制备及工作方法。结构包括硅衬底、漏电极、源电极、二维半导体沟道材料、绝缘隧穿层、浮栅存储层、绝缘栅介质以及栅电极构成的二维浮栅存储器。在其中浮栅存储器的漏电极上制备一个阈值开关器件，阈值开关器件在低于阈...
    2026-04-29
  • 二极管P+保护环的制备方法和二极管
    二极管P+保护环的制备方法和二极管_北海惠科半导体科技有限公司_202511331829.4
    本申请公开了一种二极管P+保护环的制备方法和二极管，所述二极管P+保护环的制备方法包括步骤：在晶圆上涂覆一层乳胶硼源，并烘干所述乳胶硼源；将所述晶圆和所述乳胶硼源放入具有氮气与氧气混合气体的扩散炉管中，并对所述乳胶硼源进行加热分解，以形成包...
    2026-04-29
  • 高沟槽密度的IGBT
    高沟槽密度的IGBT_无锡华润华晶微电子有限公司_202410892725.X
    本发明提供一种高沟槽密度的IGBT。该IGBT中，多个栅极沟槽设置在基底中且在基底顶面平行伸长，栅电极填充在栅极沟槽内且沿着栅极沟槽伸长的方向伸长，多个发射极接触孔设置在基底上，每个发射极接触孔横跨多个栅极沟槽且部分嵌入栅极沟槽内，发射极接...
    2026-04-29
  • 半超结器件的终端结构
    半超结器件的终端结构_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511419466.X
    本发明公开了一种半超结器件的终端结构中，半超结结构包括：第一和第二外延层，第二外延层中形成超结结构。终端区环绕在有源区的周侧。在终端区中，各超结结构的第二导电类型柱浮置并为浮置柱。在终端区内侧的各第二导电类型柱都为和第一正面电极连接的电极连...
    2026-04-29
  • 降低大功率高压器件导通电阻的电荷节流层结构及方法
    降低大功率高压器件导通电阻的电荷节流层结构及方法_芯派科技股份有限公司_202511473618.4
    本发明提供降低大功率高压器件导通电阻的电荷节流层结构及方法，包括衬底、电荷节流层、N+区和氧化层；电荷节流层、N+区和氧化层自下往上依次生长在衬底上；电荷节流层、N+区均为掺杂区，且N+区的掺杂浓度大于电荷节流层的掺杂浓度。在高压双极型半导...
    2026-04-29
  • 一种无需转移的可控层数石墨炔硅晶圆及其原位制备方法和应用
    一种无需转移的可控层数石墨炔硅晶圆及其原位制备方法和应用_北京大学_202511465374.5
    本发明公开了一种无需转移的可控层数石墨炔晶圆及其原位制备方法，属于碳材料合成技术领域。在超临界反应装置中，将用于生长石墨炔薄膜的硅片基底塞入对折的过渡金属片中，硅片光滑面朝下，与过渡金属片自然贴合；放入盛放配位剂溶液的容器，然后通入超临界二...
    2026-04-29
  • 基于TiNiPt体系栅极金属结构的GaN HEMT及制备方法
    基于TiNiPt体系栅极金属结构的GaN HEMT及制备方法_西安电子科技大学_202511657459.3
    本发明公开了一种基于TiNiPt体系栅极金属结构的GaN HEMT及制备方法，包括：衬底，以及位于衬底上的GaN基外延结构；源电极和漏电极，位于器件两端欧姆接触区域的GaN基外延结构上；隔离区域，位于器件两端；其中，隔离区域通过对器件两端的...
    2026-04-29
  • α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法
    α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法_厦门大学_202511922973.5
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法。本发明将前驱体分散于有机溶剂中，得到前驱体溶液，前驱体含有钼元素和硫元素；将前驱体溶液涂覆于衬底表面，得到带有前驱体湿膜的衬底；将带有前驱体...
    2026-04-29
  • 一种IGBT器件及其制备方法
    一种IGBT器件及其制备方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410888121.8
    本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，该IGBT器件包括半导体层、第一和二沟槽、栅介质层、栅导电层、发射区、层间介质层、接触孔、接触区、集电区及各电极，其中，半导体层包括层叠的衬底及基区；第一沟槽贯穿基区；栅介质层和栅导电层填充第一沟槽；...
    2026-04-29
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