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  • 本申请公开了一种通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料。该材料包含通过二次离子质谱法(SIMS)测量的至少3 ppm的总氮浓度;和低的光学双折射,使得 : 在具有至少1.3 mm×1.3 mm面积的该单晶CVD金刚石材料的样品中,并且使用在1...
  • 本发明涉及单晶硅生产技术领域,具体涉及一种光伏拉制硅单晶液口距自动放置的方法及装置, 其方法包括以下步骤:用CCD相机系统拍摄并获取导流筒下沿图像及导流筒下沿倒影图像;通过CCD相机系统自动识别导流筒下沿倒影,根据导流筒位置以及所需的液口距...
  • 本发明属于半导体材料加工技术领域,具体涉及一种降低重掺杂单晶硅棒滑移线发生率的方法及单晶硅棒,方法包括在单晶硅棒拉制完成后,基于冷却时长内,按预定速率降低功率,逐步降低加热器功率使单晶硅棒冷却,使单晶硅棒在冷却过程中缓慢释放热应力,从而降低...
  • 本发明提供一种热场调节装置、单晶炉和热场调节方法,热场调节装置应用于单晶炉,单晶炉包括炉体,炉体内设置导流筒,导流筒的中心被设置为晶棒提拉区域,热场调节装置设置于导流筒的内侧壁和晶棒提拉区域之间,热场调节装置包括:沿着导流筒的径向方向层叠设...
  • 本申请涉及超导单晶材料技术领域,公开一种Zr‑Ru‑Si基三元超导单晶材料,化学通式为ZrxxRuyySizz,其中x=1.8~2.2,y=2.5~3.5,z=3.5~4.5。该超导单晶材料属于典型的三元过渡金属硅化物体系,引入了Si元素参...
  • 本申请公开了一种中红外三波长激光晶体材料及其制备方法、应用,属于无机功能晶体材料领域。所述中红外三波长激光晶体材料的化学式为KDyYGdF1010。并采用布里奇曼法生长出该晶体。该激光晶体材料具有超宽带吸收和发射性能,在1277nm泵浦下能...
  • 本发明涉及晶体材料加工技术领域,具体涉及一种提升大尺寸晶体材料性能的退火方法,该方法以“氧化锆‑同晶源多晶料”复合填埋材料为退火介质,以“CO‑CO22‑Ar”混合气体为退火气氛。其中,同晶源多晶料提供的热缓冲可实现温度梯度的平缓过渡,降低...
  • 本发明属于合金材料技术领域,具体涉及一种高纯净镍基单晶高温合金及其制备方法和应用。所述高纯净镍基单晶高温合金包括如下质量百分比的化学成分:C:0.12~0.18%,Cr:4.10~5.20%,Al:5.60~6.30%,Co:8.90~10...
  • 本发明涉及一种硫硅镁锂和硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途,硫硅镁锂晶体的化学式为Li22MgSiS44,分子量为194.52,结晶于正交晶系,空间群为PmnPmn211,晶胞参数为a=7.83(2)Å,b=6.599(19) ...
  • 本申请公开了一种氘化溴铅甲胺钙钛矿单晶的制备方法,属于晶体生长技术领域。该制备方法包括溴甲胺多次氘代以及对每次氘代后产生的含溴甲胺和重水的混合溶液进行重水分离回收、氘化溴铅甲胺单晶合成。通过溴甲胺与重水在一定比例下进行多次氘代,生成氘化溴甲...
  • 本发明公开了一种实现有机晶体可控形变的光诱导方法和装置,属于光学技术领域。本发明提供的实现有机晶体可控形变的光诱导方法,包括以下步骤:利用脉冲激光对有机晶体的表面进行定点扫描,使所述有机晶体沿定点扫描形成的扫描路径发生可控形变。本发明的有机...
  • 本发明属于金属材料制备技术领域,特别涉及一种单晶锆铌钨合金及其制备方法。锆铌钨合金元素组成:Nb:20.0wt.%~28.0wt.%,W:8.0wt.%~12.0wt.%,余量为Zr及不可避免的杂质。对锆、铌和钨金属原料进行预处理,将预处理...
  • 本发明属于晶体包覆与压装技术领域,具体公开了一种模块化TKX‑50晶体定向包覆与压装一体机,包括升降底盘,所述升降底盘的上表面固定连接有U形支撑架,所述升降底盘的上表面固定安装有底座,所述底座的中部设置有模具,所述U形支撑架的一侧壁固定连接...
  • 本发明提供了一种二维材料的解理方法,包括:将待解理的材料置于两片聚二甲基硅氧烷膜相向设置的两个热释放面之间,并使它们充分贴合,形成复合结构;将所述复合结构置于有机溶剂的蒸气或者挥发的有机溶剂中进行熏蒸处理;对经所述熏蒸处理的复合结构进行加热...
  • 本发明属于真空应用设备技术领域,具体地说是一种在超高真空环境下使用的多功能加热盘,包括上加热盘组件、下托盘组件、下托盘传动机构及附属功能配件,上加热盘组件固定在真空腔室内的上部,下托盘组件位于真空腔室内的下部、且可以上下运动,下托盘组件通过...
  • 本发明公开了一种实现有机晶体定向跳跃的光操控装置和方法,该光操控装置包括:支撑模块,位于有机晶体下方的一端,用于使所述有机晶体靠近所述支撑模块的一端向上偏转;光源模块,用于产生激光;所述激光照射在所述有机晶体远离所述支撑模块的一端表面;所述...
  • 本申请涉及腐蚀设备领域,公开了一种蒸气腐蚀设备和腐蚀方法,设备包括:具有炉腔和开口的腐蚀炉体,所述炉腔的底部用于盛放腐蚀剂,所述开口位于所述腐蚀炉体的顶部;设于所述炉腔中的载具,用于竖直承载待腐蚀晶圆;设于所述腐蚀炉体的底部外侧的第一加热器...
  • 本申请公开了生长碳化硅晶体的热场装置,该热场装置包括:发热体,发热体包括籽晶固定件、导流筒和凸度调节件,导流筒和凸度调节件设置在籽晶固定件的下侧,且凸度调节件设置在导流筒的外侧;籽晶固定件朝向碳化硅晶体生长区的一侧设置有碳化硅籽晶;导流筒包...
  • 本发明属于基因工程技术领域,涉及一种靶向SARS‑CoV‑2病毒亚基因组的gRNA文库。该文库通过多步理性设计筛选获得,由65条gRNA组成,能特异性识别并靶向病毒ORF3a、E、M、ORF6、ORF7a、ORF7b、ORF8、N及ORF1...
  • 本发明提供了一种循环式羽绒清洗系统及方法,它解决了羽绒连续漂洗脱水等问题,其包括立式清洗缸,立式清洗缸底部转动安装有清洗转盘,立式清洗缸与清洗转盘之间安装有转动驱动组件,立式清洗缸顶部通过抬升组件连接有清洗笼,清洗转盘与清洗笼之间安装有锁紧...
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