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最新专利技术
  • 一种幅相分组调制和数据驱动结合的功率放大器非线性补偿方法及装置
    一种幅相分组调制和数据驱动结合的功率放大器非线性补偿方法及装置_东南大学_202511487012.6
    本发明公开了一种幅相分组调制和数据驱动结合的功率放大器非线性补偿方法及装置。在发射机侧，采用具有幅相约束的分组调制技术对比特信息承载，使用非线性补偿导频符号和数据符号构建帧结构序列。在接收机侧，通过幅相约束对失真的数据符号重构得到初步补偿的...
    2026-02-13
  • 一种带漏电流测量宽量程弱电流放大器、装置和方法
    一种带漏电流测量宽量程弱电流放大器、装置和方法_浙江省辐射环境监测站(生态环境部辐射环境监测技术中心)_202511882400.4
    本申请公开了一种带漏电流测量宽量程弱电流放大器、装置和方法，涉及放大器及电路装置技术领域，放大器的输入信号切换电路用于切换不同放大电路；第一放大电路用于放大低量程范围内的高气压电离室输出信号及漏电流信号；第二放大电路用于放大高量程和中量程范...
    2026-02-13
  • 具有体电阻的宽带放大器
    具有体电阻的宽带放大器_德州仪器公司_202510848230.1
    本申请涉及具有体电阻的宽带放大器。一种集成电路包含第一晶体管(M1，图1)和第二晶体管(M2)。第二晶体管的第一电流路径端子(M2的源极)耦合到参考电压端子(AVss)。第一晶体管的第一电流路径端子(M1的源极)耦合到第二晶体管的第二电流路...
    2026-02-13
  • 一种多级合路射频功率放大器调试方法
    一种多级合路射频功率放大器调试方法_佛仪科技(佛山)有限公司_202511549896.3
    本申请属于射频功率放大器调试技术领域，公开了一种多级合路射频功率放大器调试方法，通过根据待调试多级合路结构构建对应的调试电路，并以射频开关管电路的输出端作为首个调试输出端，采用逐级调试的策略，根据预设的协同调节规则，协同调节与调试输出端关联...
    2026-02-13
  • 一种大功率射频GaN功放模块
    一种大功率射频GaN功放模块_华通芯电(上海)集成电路科技有限公司_202511568353.6
    本发明提供了一种大功率射频GaN功放模块，所述大功率射频GaN功放模块包括信号输入端、输入外匹配电路、功率管输入匹配电路、GaN并联电路、功放管输出匹配电路、输出外匹配电路以及信号输出端，本发明LC谐振结构与四分之一波长线相结合，提高了射频...
    2026-02-13
  • 一种Ka频段2000W固态功率放大器
    一种Ka频段2000W固态功率放大器_中国电子科技集团公司第十研究所_202511342274.3
    本发明公开了一种Ka频段2000W固态功率放大器，涉及功率放大器领域，包括：Ka监控与前级、Ka末级功放和Ka大功率合成网络；所述Ka监控与前级输出端与八个Ka末级功放进行软连接，Ka末级功放利用波导与Ka大功率合成网络进行硬连接。本发明采...
    2026-02-13
  • 一种漏极自调制的功率放大电路及功率放大器件
    一种漏极自调制的功率放大电路及功率放大器件_深圳市时代速信科技有限公司_202511582694.9
    本公开提供了一种漏极自调制的功率放大电路及功率放大器件，包括第一晶体管、检波单元和第二晶体管。第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极连接，第二晶体管的栅极经检波单元与第一晶体管的栅极相连。第一晶体管的栅极接收射频输入信号并进行功率放大，第二晶体...
    2026-02-13
  • 一种低失真度功率放大器
    一种低失真度功率放大器_哈尔滨派立仪器仪表有限公司_202511634419.7
    一种低失真度功率放大器，涉及一种放大器，为了解决现有的正弦信号生成中，为了解决现有的特定频率正弦信号被驱动时，当功放模块接入实际负载后，输出信号失真度较高的问题。本发明的带通滤波电路用于对正弦波基频信号进行带通滤波；功放放大器U3的反相输入...
    2026-02-13
  • 一种多模多频功率放大器和GSM集成式电路
    一种多模多频功率放大器和GSM集成式电路_上海龙旗科技股份有限公司_202511680610.5
    本发明涉及通信技术领域，具体公开了一种多模多频功率放大器和GSM集成式电路。所述多模多频功率放大器内设有低频放大电路和高频功率放大电路。所述低频放大电路被配置为处理包括GSM低频信号的第一射频信号。所述高频放大电路被配置为处理包括GSM高频...
    2026-02-13
  • 功率放大器结构
    功率放大器结构_深圳飞骧科技股份有限公司_202511917344.3
    本发明涉及无线通讯技术领域，提供了一种功率放大器结构，功率放大器结构包括输入匹配电路、多个第一驱动级放大器、第二驱动级放大器、级间匹配电路、多个第一功率级放大器、多个第二功率级放大器、输出匹配电路、第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路...
    2026-02-13
  • 一种功率放大器自激控制装置
    一种功率放大器自激控制装置_成都迅翼卫通科技有限公司_202511469983.8
    本发明公开了一种功率放大器自激控制装置，涉及射频放大器控制领域，包括功率放大模块、耦合模块、漏压控制模块、快速下电模块、功率检波模块、非门和电压比较模块。本发明适用于射频放大器，在放大器出现自激现象时，实现微秒级的复位，减少放大器自激的时间...
    2026-02-13
  • 一种多放大器并联架构的场磨电场传感器信号调理方法
    一种多放大器并联架构的场磨电场传感器信号调理方法_三峡大学_202511246968.7
    一种多放大器并联架构的场磨电场传感器信号调理方法，包括以下步骤：步骤1：由场磨式电场传感器的感应电极采集到的电流信号输入给I‑V转换放大器；步骤2：I‑V转换放大器将输入的电流信号转换为对应的电压信号，并将该电压信号输入给并联优化的放大器；...
    2026-02-13
  • 基于RDL工艺的带通滤波器结构封装方法
    基于RDL工艺的带通滤波器结构封装方法_青岛展诚科技有限公司_202511261399.3
    本发明公开了基于RDL工艺的带通滤波器结构封装方法，涉及电子工程与半导体封装技术领域，具体包括基于RDL技术，在带通滤波器结构的芯片表面构建RDL层、将带通滤波器中的芯片连接器件与芯片连接、在带通滤波器芯片表面铺设局部屏蔽层、对芯片模块和带...
    2026-02-13
  • 基于外部相位均衡的W波段GaAs片上集成波导线性相位滤波网络
    基于外部相位均衡的W波段GaAs片上集成波导线性相位滤波网络_南京理工大学_202511397043.2
    本发明公开了一种基于外部相位均衡的W波段GaAs片上集成波导线性相位滤波网络，通过外部均衡理论和创新的谐振腔布局与耦合机制实现群时延平坦化及尺寸小型化。其核心结构包括：四阶SIW滤波器、3dB电桥、两个单端口反射式开环谐振器。所述的四阶SI...
    2026-02-13
  • 滤波器件、滤波器电路及电子设备
    滤波器件、滤波器电路及电子设备_深圳顺络叠层电子有限公司_202511514548.2
    本申请涉及一种滤波器件、滤波器电路及电子设备。滤波器件包括：主体，配置为绝缘件；滤波谐振组件，设置于主体内，滤波谐振组件包括多个沿第一方向依次设置的内电极，部分内电极之间形成至少一个对地电容；抑制组件，设置于主体内，抑制组件包括抑制电感；以...
    2026-02-13
  • 一种基于弱耦合变压器技术的IPD高选择性带通滤波器
    一种基于弱耦合变压器技术的IPD高选择性带通滤波器_西安电子科技大学_202511407039.X
    一种基于弱耦合变压器技术的IPD高选择性带通滤波器，包括：LC并联谐振回路、LC串联谐振回路、LC并联谐振回路和第四电容C4，其中，LC并联谐振回路和LC并联谐振回路中的电感之间存在弱变压器耦合关系；本发明提出的弱耦合变压器所需要的耦合系数...
    2026-02-13
  • 一种基于砷化镓IPD工艺的中频滤波器芯片
    一种基于砷化镓IPD工艺的中频滤波器芯片_南通大学_202511488710.8
    本发明公开了一种基于砷化镓IPD工艺的中频滤波器芯片，采用具有三层金属层的GaAs IPD工艺，包括六个谐振器、十二个电容及三个金属化接地孔。六个谐振器由电容CC11~CC66与电感LL11~LL66分别通过串/并联组成，且电感均为自建的八...
    2026-02-13
  • 一种手动调节的大功率宽频带衰减控制装置及控制方法
    一种手动调节的大功率宽频带衰减控制装置及控制方法_航宇伟创科技(北京)有限公司_202511108094.9
    本发明涉及一种手动调节的大功率宽频带衰减控制装置及控制方法，第一调节单元提供离散档位对应不同第一衰减值，第二调节单元提供离散档位对应不同第二衰减值。处理模块根据第一、第二调节单元输入信息确定衰减值，计算目标衰减值并转换为6位并行二进制控制码...
    2026-02-13
  • 压电振子及其应用
    压电振子及其应用_华为终端有限公司_202511324223.8
    本申请提供了一种压电振子及其应用。该压电振子包括压电振动体，压电振动体包括至少一层压电材料层，沿压电振动体的厚度方向，压电振动体的至少一侧表面设有绝缘涂层，压电振动体的厚度方向与压电材料层的厚度方向相同；绝缘涂层包括绝缘树脂基体和分散于绝缘...
    2026-02-13
  • 一种嵌入式电极结构的横向激励体声波谐振器
    一种嵌入式电极结构的横向激励体声波谐振器_上海大学_202511322046.X
    本发明涉及一种嵌入式电极结构的横向激励体声波谐振器，属于射频通信技术领域，包括衬底、温度补偿层、压电层，三者存在以下布局中的至少一种：①所述温度补偿层、所述压电层顺次形成在所述衬底上，所述压电层背离所述温度补偿层的一侧刻蚀有凹槽阵列；②所述...
    2026-02-13
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