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最新专利技术
  • 一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件
    一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件_福建省金石能源股份有限公司_202511821810.8
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件，包括依次设置的晶体硅基板、非晶硅层，其中非晶硅层的远离晶体硅基板的一侧表面具有交替形成的N型掺杂区和P型掺杂区、以及在N型掺杂区和P型掺杂区之间设置的隔离区...
    2026-01-20
  • 一种电池阵列和电池系统
    一种电池阵列和电池系统_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410866098.2
    本申请公开了一种电池阵列和电池系统，电池阵列包括多个叠层组件，每个叠层组件包括依次设置的第一发电单元、第二发电单元；若干个第一发电单元经过电连接形成一个第一光伏组串，若干个第二发电单元经过电连接形成一个第二光伏组串；一个第一光伏组串的正输出...
    2026-01-20
  • 一种单极化宽带信号增透发电玻璃、刻蚀方法与安装方法
    一种单极化宽带信号增透发电玻璃、刻蚀方法与安装方法_深圳大学_202511814059.9
    本发明公开了一种单极化宽带信号增透发电玻璃、刻蚀方法与安装方法，涉及通讯与光伏发电技术领域，所述发电玻璃包括：包括超白玻璃基体和设于所述超白玻璃基体的夹层中的若干串联的单节薄膜太阳能电池，所述单节薄膜太阳能电池包括正电极、发电薄膜层和背电极...
    2026-01-20
  • 一种光伏组件非玻璃前板及其制备方法和应用
    一种光伏组件非玻璃前板及其制备方法和应用_苏州赛伍应用技术股份有限公司_202511387099.X
    本发明提供一种光伏组件非玻璃前板及其制备方法和应用，所述光伏组件非玻璃前板包括透明氟膜、截止型阻燃胶膜和透明复合板；所述透明复合板包括PVDF氟膜、第一胶黏剂层、阻水膜、第二胶黏剂层、透明PET膜和透明涂层；所述透明复合板中的PVDF氟膜与...
    2026-01-20
  • 一种光伏组件及其制造方法
    一种光伏组件及其制造方法_英利能源发展有限公司_202511721115.4
    本发明公开了一种光伏组件及其制造方法，解决了现有技术中由于反光膜对电池片边缘产生应力的问题，具有在层压过程中有效降低反光膜对电池片的机械应力的问题，具体方案如下：一种光伏组件，包括依次设置的第一玻璃、反光膜组、第一胶膜、第二胶膜、电池片组、...
    2026-01-20
  • 一种高阻水太阳能电池背板及其制备方法
    一种高阻水太阳能电池背板及其制备方法_苏州弘道新材料有限公司_202511814503.7
    本发明涉及太阳能光伏背板技术领域，具体涉及一种高阻水太阳能电池背板及其制备方法。所述太阳能电池背板的结构从下到上依次为耐候层、纳米复合阻水层、基体支撑层和粘结层；所述纳米复合阻水层的制备原料包括纳米材料、多层石墨烯、饱和脂肪族聚酯多元醇和固...
    2026-01-20
  • 背接触电池组件和光伏系统
    背接触电池组件和光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511394872.5
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池组件和光伏系统，在背接触电池组件中，每个背接触电池的背面上均设有若干第一互联焊带和若干第二互联焊带，若干第一互联焊带和若干第二互联焊带沿第二方向交替间隔排布且均沿第一方向延伸，第一互联焊带...
    2026-01-20
  • 背接触电池组件和光伏系统
    背接触电池组件和光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511395072.5
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池组件和光伏系统，在背接触电池组件中，第一焊盘上连接有第一汇流栅线，第一汇流栅线与位于第一焊盘和第一边缘之间的第一细栅连接。第二焊盘上连接有第二汇流栅线，第二汇流栅线与位于第二焊盘和第一边缘...
    2026-01-20
  • 一种高可靠性光伏焊带及其制备方法
    一种高可靠性光伏焊带及其制备方法_常州九天新能源科技股份有限公司_202511458580.3
    本发明涉及光伏组件制造技术领域，尤其涉及一种高可靠性光伏焊带及其制备方法，所述焊带包括铜包铝基材和锡基合金镀层；所述基材由铝芯、无氧铜层及界面锌中间层构成，铝芯为含Zr0.08%~0.12%的微合金，内含纳米级Al3Zr强化相，锌层厚度为5...
    2026-01-20
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511813925.2
    本申请涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括电池串层和背板层，背板层位于电池串层的一侧，其中，电池串层包括：多个电池串列，各电池串列沿第一方向排布，并且各电池串列分别包括沿第二方向排布的两个电池串，其中，第一方向和第二方向相交，第一方向和第二...
    2026-01-20
  • 单载流子光电二极管及其制备方法、以及探测芯片
    单载流子光电二极管及其制备方法、以及探测芯片_弥尔光半导体(北京)有限公司_202511454157.6
    本公开提供了一种光电二极管及其制备方法、以及探测芯片，一实施例的光电二极管包括：衬底，衬底的材料为SiC；通过键合方式与衬底结合的外延层；形成在外延层远离衬底一侧的电极；与电极绑定的散热基板。该实施方式的光电二极管通过提供与外延层键合的、S...
    2026-01-20
  • 一种使用空气腔的高响应度光电探测器
    一种使用空气腔的高响应度光电探测器_电子科技大学_202511407739.9
    本发明公开了一种使用空气腔的高响应度光电探测器，在该器件中将稀释波导、空气腔、光电探测器集成在半绝缘衬底上，其中空气腔是通过刻蚀与晶圆键合的方式在稀释波导层内部获取的，最后再按常规工艺流程刻蚀出过渡波导和光电探测器台面。光电探测器工作时，侧...
    2026-01-20
  • 一种多孔氮化镓/铯化铅溴异质结及其制备方法和应用
    一种多孔氮化镓/铯化铅溴异质结及其制备方法和应用_太原理工大学_202511496895.7
    本发明公开了一种多孔氮化镓/铯化铅溴异质结及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。采用蓝宝石衬底，镁掺杂的p型GaN片，利用高温退火技术制备多孔GaN结构，增加GaN材料的比表面积和孔隙率，增加了GaN的表面浸润性，使溶液更方便成膜，为Cs...
    2026-01-20
  • 一种硒化锑光电探测器阵列及其制备方法
    一种硒化锑光电探测器阵列及其制备方法_南开大学_202511361779.4
    本发明提供了一种硒化锑光电探测器阵列，包括：依次层叠设置的衬底、底电极、N型导电层、P型吸收层、倍增层和顶电极，其中，所述P型吸收层、所述倍增层之间构设异质结能带。本发明提供的硒化锑光电探测器阵列及制备方法，其形成的单独吸光层与倍增层可以使...
    2026-01-20
  • 背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
    背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511797745.X
    本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底，于衬底的背面形成第一半导体层，第一半导体层内包括间隔排布的多个底光敏叠层，底光敏叠层包括沿背离衬底的方向依次层叠的第一子光敏层、第二子光敏层及第...
    2026-01-20
  • 基于亚波长多晶硅光栅的全集成多色可见光探测器与其制备方法
    基于亚波长多晶硅光栅的全集成多色可见光探测器与其制备方法_天津城建大学_202410855298.8
    本发明属于可见光探测技术领域，为实现对多色可见光的精确探测与多波长接收机的单片集成，本发明提出一种基于亚波长多晶硅光栅的全集成多色可见光探测器.该探测器包含可以实现分别对蓝色、绿色和红色三色信号的选择性探测的三个探测器。其原理是多色探测器中...
    2026-01-20
  • 图像感测装置的制造方法及图像感测装置
    图像感测装置的制造方法及图像感测装置_同欣电子工业股份有限公司_202410856289.0
    一种图像感测装置的制造方法包括至少下列步骤：将一图像感测芯片固定于一承载基板的上表面；提供多条金属接线分别连接图像感测芯片的多个芯片接垫与承载基板的多个基板接垫；提供一盖板，于盖板的底面生成一限位坝墙，限位坝墙通过热可塑材料邻接盖板；将限位...
    2026-01-20
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_上海华力微电子有限公司_202410867374.7
    本发明公开了一种图像传感器的单元结构，包括：半导体衬底。光电转换二极管，形成于半导体衬底中。在半导体衬底的背面区域中形成有一个以上的凹槽，凹槽的剖面呈顶点朝下的三角形或者呈倒梯形。在凹槽中填充有第一介质层，第一介质层的折射率小于半导体衬底的...
    2026-01-20
  • 背照式图像传感器及其制备方法
    背照式图像传感器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511797938.5
    本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，包括：衬底，衬底包括位于第一表面上，且沿平行于第一表面的第一方向交替排列的光电二极管及隔离结构；隔离结构包括沿背离衬底的第二方向交替层叠的SiB层及氧化层；光电二极管内包括沿背离衬底的第二方向排列...
    2026-01-20
  • 芯片封装方法和芯片封装结构
    芯片封装方法和芯片封装结构_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511804402.1
    本申请提供的一种芯片封装方法和芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。该芯片封装方法包括提供贴装有芯片的基板；其中，芯片远离基板的一侧具有功能区；芯片和基板电连接。在功能区外围形成围栏；其中，围栏包括多个间隔设置的立柱；相邻的立柱之间具有第一...
    2026-01-20
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