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最新专利技术
  • 半导体装置、半导体系统及半导体系统的操作方法
    半导体装置、半导体系统及半导体系统的操作方法_爱思开海力士有限公司_202510287464.3
    本申请公开一种半导体装置、半导体系统及半导体系统的操作方法。半导体装置包括接收电路、振荡器代码生成电路和控制电路。接收电路接收时钟信号和包括数据的数据信号，将时钟信号延迟时钟延迟时间以生成内部时钟信号，并且使用内部时钟信号捕获数据。振荡器代...
    2026-02-19
  • 半导体装置和半导体系统
    半导体装置和半导体系统_爱思开海力士有限公司_202510306348.1
    本公开涉及一种半导体装置和半导体系统，该半导体装置包括接收电路、振荡器代码生成电路和控制电路。接收电路接收时钟信号和数据，将时钟信号延迟时钟延迟时间以生成内部时钟信号，并利用内部时钟信号捕获数据。振荡器代码生成电路生成周期为时钟延迟时间的N...
    2026-02-19
  • 存储器件及其操作方法
    存储器件及其操作方法_三星电子株式会社_202510507551.5
    本公开提供了一种存储器件及其操作方法，其中，该存储器件包括：多条字线，在半导体衬底上沿竖直方向堆叠，并且包括字线焊盘，多条字线在第一方向上延伸；以及行解码器，被配置为向多条字线提供驱动电压，其中，设置在多条字线之中依次堆叠的多条第一字线的第...
    2026-02-19
  • 铁电存储单元的操作方法及存储器件
    铁电存储单元的操作方法及存储器件_无锡舜铭存储科技有限公司_202511343954.7
    本申请提供一种铁电存储单元的操作方法及存储器件。该操作方法适用于铁电存储单元组，包括：将具有第一数值的第一数据位写入该铁电存储单元组中的第一铁电存储单元；将具有第一数值的符号位写入该铁电存储单元组的第二铁电存储单元；接收读取操作请求或写入操...
    2026-02-19
  • 一种基于忆阻器的动态随机存储器刷新方法
    一种基于忆阻器的动态随机存储器刷新方法_北京大学武汉人工智能研究院_202511363200.8
    本发明公开了一种基于忆阻器的动态随机存储器刷新方法，属于半导体存储技术领域。本发明利用忆阻器的电导随时间漂移特性构建刷新计时器，方法包括：电路系统上电时，将所有忆阻器电导设置为初始值Gi，忆阻器在空闲状态下自然发生电导下降，实现无功耗的被动...
    2026-02-19
  • 存储结构、存储器及控制方法
    存储结构、存储器及控制方法_北京超弦存储器研究院_202410823801.1
    本申请提供了一种存储结构、存储器及控制方法，涉及存储技术领域。该存储结构，包括：多个存储单元、多个位线和控制单元；每个存储单元包括：第一电极板、第二电极板、以及铁电介质层，控制单元被配置为在非易失存储阶段，若存储单元的存储信息为第一存储数据...
    2026-02-19
  • 抗辐射SRAM单元、阵列及存算一体系统
    抗辐射SRAM单元、阵列及存算一体系统_中国海洋大学_202511767104.X
    本发明涉及静态存储技术领域，具体公开了一种抗辐射SRAM单元、阵列及存算一体系统，其通过电路与系统的协同设计实现了抗辐射能力与工程可行性的平衡。其核心采用极性加固的RHCIM‑16T单元结构，通过引入方向性导电约束，将复杂多节点翻转简化为单...
    2026-02-19
  • 基于电流源补偿失调的灵敏放大器、放大电路、芯片
    基于电流源补偿失调的灵敏放大器、放大电路、芯片_安徽大学_202511774663.3
    本发明涉及动态随机存取存储器电路设计技术领域，具体涉及基于电流源补偿失调的灵敏放大器、放大电路、芯片。本发明提供了一种基于电流源补偿失调的灵敏放大器，包括：6个NMOS晶体管MN1~MN6、4个PMOS晶体管MP1~MP4。本发明未使用电容...
    2026-02-19
  • 双面存储器装置及相关联系统及方法
    双面存储器装置及相关联系统及方法_美光科技公司_202510843330.5
    本申请案涉及双面存储器装置及相关联系统及方法。本文中公开系统级封装SiP装置及相关联系统及方法。在一些实施例中，一种SiP装置包含通信地耦合到多个主机装置的高带宽存储器HBM装置。所述HBM装置经由多个相关输入/输出IO电路来通信地耦合到所...
    2026-02-19
  • 数据存储电路、半导体结构及其制备方法
    数据存储电路、半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410831262.6
    一种数据存储电路、半导体结构及其制备方法，该数据存储电路包括：包括多个第一子位线的第一存储阵列；包括多个第二子位线的第二存储阵列；第一选择电路，与至少两个第一子位线电连接，被配置为选择至少两个第一子位线中的一者作为第一目标子位线，并将第一目...
    2026-02-19
  • 基于存储内计算的基因数据压缩编码硬件架构及并行计算方法
    基于存储内计算的基因数据压缩编码硬件架构及并行计算方法_中国科学院计算技术研究所_202511138131.0
    本发明提出一种基于存储内计算的基因数据压缩编码硬件架构，包括：SRAM阵列模块，包括多个并行的SRAM阵列，每个SRAM阵列具有多个SRAM芯片；该SRAM阵列用于存储基因数据并进行列级并行计算或符号级并行计算；外围设计模块，与该SRAM阵...
    2026-02-19
  • 半选鲁棒的内建读写辅助SRAM存储单元电路及装置
    半选鲁棒的内建读写辅助SRAM存储单元电路及装置_上海机电工程研究所_202511200686.3
    本发明提供了一种半选鲁棒的内建读写辅助SRAM存储单元电路及装置，包括：该存储单元由12个晶体管组成，并通过内建读写辅助电路设计保证了该存储单元在低电压下的读写稳定性，应用于位交织阵列结构的低电压存储单元，降低SRAM的工作电压从而降低功耗...
    2026-02-19
  • 记忆体装置、记忆体电路及其操作方法
    记忆体装置、记忆体电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511207108.2
    本揭露的一实施例揭示一种记忆体装置、记忆体电路及其操作方法。在一个态样中，记忆体装置包括耦接至位元线及字元线的记忆体单元。记忆体装置包括第一延迟电路，其经配置以产生第一延迟信号，以根据记忆体单元的位元线转变为逻辑低状态来启动字元线驱动器。记...
    2026-02-19
  • 具有双字线控制的ReRAM存储器单元
    具有双字线控制的ReRAM存储器单元_美高森美SOC公司_202511302248.8
    本发明公开了一种ReRAM存储器单元，该ReRAM存储器单元包括ReRAM装置，该ReRAM装置包括设置在第一离子源电极和第二电极之间的固体电解质层；和选择电路，该选择电路包括与ReRAM装置串联连接的两个串联连接的选择晶体管，该两个串联连...
    2026-02-19
  • 一种NOR存储器电源故障保护电路
    一种NOR存储器电源故障保护电路_恒烁半导体(合肥)股份有限公司_202511307834.1
    本发明公开了一种NOR存储器电源故障保护电路，涉及NOR存储器技术领域，包括第一稳压模块，配合第二稳压模块为主板模块供电，再由主板模块为存储器模块供电，电压检测模块对存储器模块进行电压变化检测，由电源控制模块根据存储器模块所需的工作电压可设...
    2026-02-19
  • 一种SONOS存储器的控制方法
    一种SONOS存储器的控制方法_珠海创飞芯科技有限公司_202511234557.6
    本发明公开了一种SONOS存储器的控制方法。该方法包括：在擦除指令完成之后，根据上电次数获取对应的块；根据对应的块获取编程后的块；筛选出编程后的块中的编程态存储单元；检测编程态存储单元的阈值电压是否降到了校验电压之下；根据检测结果，决定是否...
    2026-02-19
  • NAND FLASH编程脉冲电压的控制方法、系统和装置
    NAND FLASH编程脉冲电压的控制方法、系统和装置_联和存储科技(江苏)有限公司_202511322457.9
    本申请公开一种NAND FLASH编程脉冲电压的控制方法、系统和装置，方法包括：获取对NAND FLASH编程前的初始电压以及进行编程时的目标脉冲电压；根据预设配置将初始电压与目标脉冲电压的电压区间划分为阶梯抬升的N个子脉冲电压，并确定各子...
    2026-02-19
  • 只读存储器程序修正系统及方法
    只读存储器程序修正系统及方法_山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司_202511403180.2
    本申请公开了只读存储器程序修正系统及方法，涉及计算机技术领域，包括程序比对模块、程序修正模块和地址管理模块；程序比对模块用于获取标准签名值与实际签名值并进行对比，得到各段程序分段的比对结果；程序修正模块用于控制片上系统从外部存储设备中获取目...
    2026-02-19
  • 基于包的一次可编程存储器
    基于包的一次可编程存储器_德州仪器公司_202510750266.6
    本公开涉及基于包的一次可编程存储器。一次可编程OTP存储器可耦合到OTP存储器控制器。所述OTP存储器控制器可被配置成将OTP数据以包格式存储(500)在所述OTP存储器内。所述OTP包内的数据可标识相应索引，其中这些索引中的每一个可对应于...
    2026-02-19
  • 只读存储器的快速、低面积自测试
    只读存储器的快速、低面积自测试_意法半导体国际公司_202510779948.X
    本公开涉及只读存储器的快速、低面积自测试。公开了用于执行快速只读存储器(ROM)测试的方法。第一种方法中，通过执行利用扩展读取周期的第一组N次读取操作和随后的利用全速读取周期的第二组N次读取操作来生成签名，其中N是大于或等于2的整数。使用模...
    2026-02-19
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