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最新专利技术
  • 一种分离栅器件结构、半导体封装结构和电源模块
    一种分离栅器件结构、半导体封装结构和电源模块_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511373236.4
    本申请提供了一种分离栅器件结构、半导体封装结构和电源模块，涉及半导体技术领域，该分离栅器件结构包括：集成设置在同一衬底上的多个功率管，多个功率管分别具有不同的开启阈值；多个功率管的漏极连接同一漏极端，多个功率管的源极连接同一源极端，多个功率...
    2026-01-02
  • 集成电路
    集成电路_三星电子株式会社_202510268059.7
    一种集成电路包括：第一器件区域和第二器件区域，在基底上在第一方向上彼此平行延伸；第一栅电极，在第二方向上延伸，并且与第一器件区域和第二器件区域相交；第一晶体管，在第一器件区域中包括第一栅电极的至少一部分和具有第一导电类型的第一沟道；以及第二...
    2026-01-02
  • 一种三维半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种三维半导体器件及其制造方法、电子设备_中国科学院微电子研究所_202511197206.2
    本发明公开一种三维半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以提高三维半导体器件的集成度和工作性能。三维半导体器件包括半导体基底、第一晶体管、第二晶体管、栅极侧墙和第一隔离结构。第一晶体管和第二晶体管沿半导体基底的厚度方向间隔设...
    2026-01-02
  • 一种单层十字交叉二维沟道逻辑器件
    一种单层十字交叉二维沟道逻辑器件_华东师范大学_202511350014.0
    一种单层十字交叉二维沟道逻辑器件，属于信息工程技术领域，适用于反相器Inverter、或门OR、或非门NOR。包括器件背栅、覆盖于器件背栅上的底部介电层、覆盖于底部介电层上的十字交叉沟道，所述十字交叉沟道由处于同一沟道平面的N型沟道和P型沟...
    2026-01-02
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202511384608.3
    本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。该方法旨在解决现有绝缘体上硅器件制造工艺中，晶边刻蚀步骤直接作用于金属层导致的等离子体感应损伤及良率低下的问题。该方法包括：在绝缘体上硅衬底上形成金属层；在所述金属层...
    2026-01-02
  • 显示面板
    显示面板_瀚宇彩晶股份有限公司_202410785238.3
    本发明公开了一种显示面板，其包括一基板以及一子像素。子像素设置在基板上，其包括一晶体管，且晶体管包括一栅极、一半导体层、一漏极、一源极以及一虚设电极。栅极设置在基板上，半导体层设置在栅极上，其中半导体层包括分开的第一部分和第二部分。漏极设置...
    2026-01-02
  • 包括信号传输填充单元的集成电路
    包括信号传输填充单元的集成电路_三星电子株式会社_202510117463.4
    一种集成电路，包括：第一标准单元，包括在第一方向上延伸的第一多个图案，第一标准单元具有第一间距；第二标准单元，包括在第一方向上延伸的第二多个图案，第二标准单元具有与第一间距不同的第二间距，第二标准单元在第一方向上与第一标准单元间隔开；信号传...
    2026-01-02
  • 一种抗噪声的大电流同步BUCK芯片
    一种抗噪声的大电流同步BUCK芯片_成都锐成芯微科技股份有限公司_202511381264.0
    本发明公开了一种抗噪声的大电流同步BUCK芯片，包括相互隔离设置的高边功率场效应晶体管、低边功率场效应晶体管、驱动模块和控制模块及其他功能模块；将低边功率场效应晶体管和高边功率场效应晶体管相邻设置，两者四周设置有阻断层结构，将其相互隔离的同...
    2026-01-02
  • ESD防护装置及其制备方法
    ESD防护装置及其制备方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511224315.9
    本申请涉及一种ESD防护装置及其制备方法。ESD防护装置包括ESD防护二极管，ESD防护二极管为欧姆接触型p‑GaN基二极管，ESD防护二极管的第一端与待防护增强型晶体管的栅极连接，ESD防护二极管的第二端与待防护增强型晶体管的源极连接；E...
    2026-01-02
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510622596.7
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳电池包括硅衬底，硅衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，第一表面依次层叠有第一钝化层和N型掺杂硅层，第二表面依次层叠有第二钝化层和P型掺杂硅层；N型掺杂硅层和P型掺杂硅层中的至少一...
    2026-01-02
  • 彩色光伏组件及其制备方法
    彩色光伏组件及其制备方法_江苏秀强玻璃工艺股份有限公司_202511112206.8
    本申请提供了一种彩色光伏组件及其制备方法，属于彩色光伏组件技术领域。本申请采用无机纳米结构色与树脂基材通过共混造粒，再熔融挤出，得到彩色胶膜，再将彩色胶膜与其他层材料进行真空层压，得到彩色光伏组件，该彩色光伏组件无需额外使用透明釉料类连接材...
    2026-01-02
  • 一种柔性薄膜太阳电池组件层压-互连一体化封装工艺
    一种柔性薄膜太阳电池组件层压-互连一体化封装工艺_中国电子科技集团公司第十八研究所_202511206436.0
    本发明提供一种柔性薄膜太阳电池组件层压‑互连一体化封装工艺，包括将上封装层、薄膜电池电路层、下封装层按顺序叠放；真空加热固化，使热固化封装胶和高透过封装膜熔融流动，并使太阳电池片之间、太阳电池片与预埋线路柔性基板之间形成金属‑金属接触。本发...
    2026-01-02
  • 一种基于中空结构的光伏组件
    一种基于中空结构的光伏组件_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202511296786.0
    本公开提出一种基于中空结构的光伏组件，包括：第一透光板、第二透光板、电池片组和多个透光支撑件；其中，第一透光板和第二透光板沿光伏组件的厚度方向间隔分布，且第一透光板和第二透光板之间形成密封的中空腔室，中空腔室内充入第一预设压力的惰性气体；电...
    2026-01-02
  • 一种仿口琴管流道型PVT组件及一次成型加工工法
    一种仿口琴管流道型PVT组件及一次成型加工工法_大连理工大学_202511625931.5
    本发明属于太阳能开发利用技术领域，公开了一种仿口琴管流道型PVT组件及一次成型加工工法，包括由光伏玻璃盖板、光伏电池片、TPT背板、仿口琴管流道换热板、保温板和防护板；仿口琴管流道换热板包括仿口琴管、集液管、螺纹接头、金属导热垫板。本发明采...
    2026-01-02
  • 待层压的叠层组件、层压件、光伏组件和层压设备
    待层压的叠层组件、层压件、光伏组件和层压设备_天合光能股份有限公司_202511736898.3
    本申请实施例提供一种待层压的叠层组件、层压件、光伏组件和层压设备，属于光伏组件的制备技术领域。其中，待层压的叠层组件包括：由第一封装玻璃、第一封装胶膜、电池串、第二封装胶膜、第二封装玻璃依顺序叠设的初始叠层组件；胶膜垫条，初始叠层组件包括至...
    2026-01-02
  • 一种太阳能电池组件、光伏系统及其制备方法
    一种太阳能电池组件、光伏系统及其制备方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511739613.1
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池组件、光伏系统及其制备方法，该太阳能电池组件包括：第一电池串、第二电池串、第一焊带、第二焊带、汇流条及绝缘层；第一电池串包括若干串联的第一电池片，其中包括第一端部电池片，第二电池串包括若干串联的...
    2026-01-02
  • 一种红外成像探测器及制备方法
    一种红外成像探测器及制备方法_长三角集成电路工业应用技术创新中心_202511399698.3
    本发明涉及红外成像探测器技术领域，公开了一种红外成像探测器及制备方法，红外成像探测器包括透光N型衬底；透光N型衬底的顶面从下往上依次设主吸收层、能级过渡层和可见光补充吸收层；可见光补充吸收层的顶面设有导模共振光栅，导模共振光栅表面设有微透镜...
    2026-01-02
  • 光电探测器及其制备方法
    光电探测器及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511377253.5
    本公开提供了一种光电探测器及其制备方法，应用于半导体技术领域，该光电探测器包括：氧化镓光吸收层；二维范德华材料层，设置于氧化镓光吸收层之上，通过范德华力与氧化镓光吸收层结合形成垂直异质结；金属电极，形成于氧化镓光吸收层和二维范德华材料层表面...
    2026-01-02
  • 半导体器件及其制造方法、半导体器件阵列及激光雷达
    半导体器件及其制造方法、半导体器件阵列及激光雷达_上海禾赛科技有限公司_202410799371.4
    半导体器件及其制造方法、半导体器件阵列及激光雷达被公开。半导体器件包括衬底、光电转换结构、电阻层、第一金属结构，和第二金属结构。光电转换结构形成于衬底内；电阻层、第一金属结构，和第二金属结构形成于衬底上。第一金属结构与电阻层的第一端电连接，...
    2026-01-02
  • 雪崩光电探测器外延结构
    雪崩光电探测器外延结构_湖北九峰山实验室_202511729406.8
    本发明提供了一种雪崩光电探测器外延结构，包括依次叠设的衬底，缓冲层，吸收层，过渡层，电荷控制层，扩散停止层，帽层，欧姆接触层，所述扩散停止层为本征InP外延层。本发明通过插入合适厚度的扩散停止层，可以在相同的扩散条件下形成两层浓度与深度不同...
    2026-01-02
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