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  • 本发明涉及工控机技术领域,具体涉及一种全接口抗干扰防护式工控机;它包含外壳体,外壳体中前端一侧位置设有接口面板,接口面板中设有多个用于连接的接口,外壳体内设有分隔板,将外壳体内部分为驱动控制腔,以及连接腔,接口面板即设于连接腔前端;连接腔中...
  • 本申请提供一种磁性薄膜,包括基底和复合层。复合层包括层叠的多个磁性层和绝缘的多个介质层,多个磁性层和多个介质层在所述基底一侧层叠交替排布。每一个磁性层的厚度为2nm‑100nm;每一个介质层的厚度为2nm‑10nm。复合层包括非周期性分布的...
  • 本发明公开一种基于LD谐振的双通带能量选择表面,包括多个周期性分布的单元,每个单元从上到下依次包括第一能选层和第二能选层,所述第一能选层包括第一介质基板以及位于其上表面的多个金属曲折结构和二极管,所述第二能选层包括第二介质基板以及位于其上表...
  • 本发明涉及材料技术领域,公开了一种改性多孔石墨材料及其制备方法和应用,所述改性多孔石墨材料包括质量比为1 : (0.1‑0.4)的多孔石墨和镀镍碳纤维,所述镀镍碳纤维设置于多孔石墨表面,所述镀镍碳纤维为表面镀有镍层的碳纤维,所述镀镍碳纤维与...
  • 本发明提出了一种电磁兼容型电流频率转换模块,包括PCB板和结构屏蔽组件;所述PCB板包括顶层、模拟电路地层、电源层、布线层、数字电路地层以及底层;所述PCB板顶层在空间上划分为模拟电路顶层区域和数字电路顶层区域;所述PCB板电源层在空间上划...
  • 本发明提供一种磁屏蔽单元挂装定位和精度调节工装及安装方法,磁屏蔽单元定位工装包括:与底座外轮廓匹配的下部开口的套接壳体;所述套接壳体中部开设有导向通道;所述导向通道的入口端形成向外扩张的引导结构,引导结构的尾部形成夹合磁屏蔽单元挂钩的定位收...
  • 本发明涉及毫米波雷达技术领域,具体为一种高密度封装电路的多器件电磁兼容协同屏蔽方法,包括封装基板,基板上采用倒装焊连接的方式安装处理器芯片,处理器芯片上方以堆叠的方式安装有DDR3内存芯片,DDR3内存芯片通过引线键合设备连接至基板,处理器...
  • 本发明公开了一种蛋黄壳结构的(磁性金属@碳)@空气@多孔碳复合吸波材料及其制备方法。所制备的蛋黄壳结构的(磁性金属@碳)@空气@多孔碳复合吸波材料中,空腔直径在150‑800nm范围内可调控,外面包裹的碳层厚度在10‑60nm可调控,且复合...
  • 本发明涉及一种界面应力可控的磁电纳米异质结中空微球材料及其制备和应用,采用喷雾干燥与两步煅烧法,合成了一种界面应力可控的磁电纳米异质结中空微球,其中,由磁性碳化铁与半导体氧化锌组成的磁电纳米异质结分散在中空结构的碳层框架中。本发明制备的界面...
  • 本发明提供一种等离子体源的屏蔽结构及其设计方法、等离子体处理设备,涉及电磁屏蔽技术领域,等离子体源包括螺线管,屏蔽结构包括包围所述螺线管的屏蔽体,屏蔽体上设有至少一个基于截止波导理论设计的屏蔽通道,用于在保证物理连通的前提下抑制电磁泄漏。屏...
  • 本发明公开了一种基于仿生蛛网结构的吸波材料及其制备方法与应用,属于功能复合材料技术领域。该材料包括仿生蛛网平板;所述仿生蛛网平板具有类蛛网结构;所述类蛛网结构由n个类扇形区域组成;同时所述类蛛网结构包括骨架和第二纤维搭接而成,其中骨架由n根...
  • 本发明涉及电子制造设备技术领域,公开了一种高速多轴贴片机及其控制系统,包括地脚,所述地脚的顶部设置有设备基座,所述设备基座的顶部转动连接有旋转承载台,所述旋转承载台的顶部设置有料盘,所述旋转承载台的底部设置有旋转切换机构,所述旋转切换机构用...
  • 一种存储器及其访问方法、电子设备,所述存储器包括:至少一个存储阵列、多条公共字线和多条公共位线;存储阵列包括多层存储单元阵列和垂直延伸的位线;存储单元阵列包括:多个存储单元和多条字线;多条所述字线分成多个字线组,每个字线组连接一条公共字线;...
  • 本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备,涉及半导体芯片技术领域,旨在保证接触结构与晶体管之间的对应连接。本申请实施例提供的半导体柱结构包括半导体柱和接触结构,半导体柱位于隔离结构和栅极结构之间,接触结构通过外延工艺...
  • 本公开提供一种使用多层遮罩的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、设置在该基底上多个下电极以及支撑该多个下电极的至少一支撑结构图案。该至少一支撑结构图案界定出一开口区域,该开口区域具有沿一第一方向的一第一尺寸以及沿一第二方向的一第...
  • 本公开提供一种半导体元件。此半导体元件包括:一基板;一下部支撑框架;一上部支撑框架;以及一电容构件。该下部支撑框架设置在该基板之上。该上部支撑框架设置在该下部支撑框架之上并与该下部支撑框架分隔。该电容构件设置在该基板之上。该电容构件包括一下...
  • 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板,具有一主动区域;一凹槽栅极结构,设置于该基板中并与该主动区域相交;一导电柱,设置于该基板之上并电性连接至该主动区域;一着陆垫,设置于该导电柱上并电性连接至该导电柱;以及一介电层堆...
  • 提供了具有绝缘图案的半导体装置。所述半导体装置包括:位线结构;背栅极结构,设置在位线结构上,并且包括背栅电极和覆盖背栅电极的侧表面和下表面的背栅极介电层;字线结构,设置在位线结构上,并且包括字线和覆盖字线的侧表面和下表面的栅极介电层;有源图...
  • 本发明公开了一种半导体存储装置,其包括衬底;衬底内包括多个有源区与浅沟槽隔离;多个埋藏字线,埋设在衬底内,穿过浅沟槽隔离与有源区;多个第一绝缘侧壁与多个存储节点插塞交替排列,设置在衬底上,其中,第一绝缘侧壁位于埋藏字线的正上方,存储节点插塞...
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法,应用于半导体技术领域。在本发明中,同一通道结构两侧壁上的第一栅极和第二栅极通过一接触插塞连接导出,且设置在不同栅极结构上的接触插塞的截面形状可不同。
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