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  • 本发明提供了一种基于超声冷压键合工艺的相邻键合点间距校对方法,包括以下步骤:S1、根据键合线的半径、线弧高度计算键合线轴线与基板的间距,根据键合线轴线与基板的间距计算得到第一最小间距;S2、采集设计键合线角度;如果设计键合线角度为0°则以步...
  • 本申请提供了一种键合设备,其包括:夹具,其被配置成支撑基板的外围,其中所述基板具有安装于其上的半导体裸片;顶盖,其可操作地附接到所述夹具且被配置成覆盖所述基板和所述半导体裸片,其中所述顶盖包括:夹持元件,其可操作地附接到所述夹具且被配置成覆...
  • 本申请提供了一种真空系统和操作该真空系统的方法,该真空系统包括:外腔和多个内腔,所述多个内腔位于所述外腔的内部,所述多个内腔包括第一内腔和第二内腔,所述第一内腔和所述第二内腔通过第一孔洞连通,所述第二内腔设置有可开合的第二孔洞,所述第二内腔...
  • 可以提供一种基板清洁装置,该基板清洁装置包括:第一处理室,被配置为对第一基板和第二基板执行等离子处理;基板清洁装置,被配置为清洁第一基板和第二基板;以及第二处理室,被配置为将第一基板和第二基板彼此接合,其中,基板清洁装置还被配置为使用清洁液...
  • 本发明实现基于接合或共晶结合的安装的可靠性提高。接合装置包括:搬送机构,搬送基板;接合工具,对所述基板接合电子零件;抗氧化路,具有沿着所述搬送机构延伸且包围所述搬送机构的壁部,所述抗氧化路具有:导入口,导入所述基板;开口部,能够进行所述接合...
  • 本申请提供了一种半导体结构的制备装置和制备系统,涉及半导体工艺设备技术领域,该半导体结构的制备装置包括:主机台、第一导流管、第二导流管、第三导流管、检测结构和控制阀,其中,主机台用于实现半导体结构的制备,其包括控制组件。第一导流管与主机台导...
  • 本发明公开了一种监控湿法刻蚀清洗机台微环境的方法。该方法包括:提供一具有特定孔阵结构的监控晶圆;将该监控晶圆置于目标机台内进行清洗处理;之后对清洗后的监控晶圆进行增强处理,并对其进行缺陷扫描。该孔阵结构包括设置在衬底上的停止层和待刻蚀层,并...
  • 本发明公开了一种晶圆保护膜贴附的激光自适应裁边系统及方法,所述系统包括晶圆承载台;膜材识别单元,包括光源、红外光谱仪和探测器,基于近红外特征吸收峰识别保护膜类型;激光发射单元,设置在所述晶圆承载台上方,根据所述晶圆保护膜类型自动调整激光裁切...
  • 本发明公开了一种快锁式键合机,包括基座、下腔体和盖板,所述盖板上连接有下压臂,所述下压臂的第一端与基座的支撑臂铰接,所述下压臂的第二端设置锁紧凹槽,所述基座上设有锁紧机构,所述锁紧机构包括锁紧支座,所述锁紧支座上设有门扣式快速夹具,所述门扣...
  • 本发明公开了一种晶圆生产加工的槽式清洗机,本发明涉及清洗机技术领域,包括清洗组件,该清洗组件用于晶圆清洗时清洗液喷淋导流,所述清洗组件的底部固定安装有箱体,所述箱体的表面转动安装有防护门。该晶圆生产加工的槽式清洗机,通过工作人员将放置板与限...
  • 本公开实施例提供一种离子注入方法、制造设备、设备、介质及程序产品,方法包括:获取离子注入机台执行晶圆的多次离子注入处理后,所述晶圆对应的多组电阻信息;其中,一组电阻信息对应晶圆的一次离子注入处理,且每次离子注入处理所对应的工艺参数一致,而晶...
  • 本发明公开了一种半导体器件封装系统及其方法,包括工作台,和固定于工作台上的第一固定架,以及工作台上的送料组件,所述第一固定架内设置有封装组件,所述送料组件包括设置于工作台上直线电机模组,所述直线电机模组用于驱动治具板水平往复移动,所述封装组...
  • 本发明公开了一种基于HF与乙醇混合气体的气相刻蚀系统及其工艺,气相刻蚀系统包括气相刻蚀设备、乙醇气柜、HF气柜与真空传输模块,乙醇气柜、HF气柜分别通过管道与气相刻蚀设备的进气口连通,气相刻蚀设备的出气口还连通设置有第一干式真空泵,气相刻蚀...
  • 本申请公开一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法,包括摆臂;加热夹具、控制装置;加热夹具带动硅片旋转;控制装置执行以下步骤,包括:将硅片刻蚀区域划分为多个同心环形区域;根据硅片膜厚分布数据,确定硅片膜厚均值、环形区域膜厚差异和硅片局部区域膜厚差异;...
  • 本发明属于半导体制造技术领域,具体的说是一种提升晶片背面清洗品质的单片清洗机及清洗方法,包括:底座,所述底座上固定有箱体;支撑组件,设置于箱体内部,所述支撑组件包括支撑盘,所述支撑盘上的边缘位置对称设置有多组限位支撑机构,通过所述限位支撑机...
  • 本发明涉及一种硅片边缘刻蚀装置和硅片边缘刻蚀方法,硅片边缘刻蚀装置包括用于对硅片的边缘进行刻蚀的工艺腔室,工艺腔室包括相对盒设置的第一腔体和第二腔体,第一腔体和第二腔体之间设置有隔离挡墙,使得工艺腔室划分为非刻蚀腔室以及位于非刻蚀腔室外围的...
  • 本申请公开一种半导体工艺设备,所公开的半导体工艺设备包括基板装卸腔室、传输腔室、工艺腔室和前端模块;传输腔室位于基板装卸腔室和工艺腔室下方,基板装卸腔室和工艺腔室分别用于与传输腔室连通,以在基板装卸腔室、传输腔室和工艺腔室之间传输基板,前端...
  • 本发明提供了一种半导体设备及其控制方法,半导体设备包括对接机构、控制模块、晶圆传送装置和若干个机台;对接机构包括若干适配器、安装基座、以及与控制模块连接的对接臂、第一定位组件和第二定位组件,若干适配器的两个接口部分别与晶圆传送装置的第二闸阀...
  • 本发明公开了一种托盘芯片摆放平整度检测系统,涉及半导体制造检测技术领域。该系统包括多角度光学成像模块、光谱共焦测量模块、自适应照明系统、运动控制模块和数据处理与AI决策模块。通过双角度偏振成像快速筛查疑似翘起芯片,再结合光谱共焦传感器进行高...
  • 本发明公开了一种真空升降机构及其升降应用方法,该真空升降机构包括:波纹管、升降轴、抽真空单元,所述抽真空单元包括:法兰圈、密封套管、导向密封件、单向阀,所述波纹管套在升降轴外,所述波纹管一端与升降轴连接、另一端与法兰圈连接,所述法兰圈固定在...
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