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最新专利技术
  • 马尔可夫链装置及马尔可夫链装置的控制方法
    马尔可夫链装置及马尔可夫链装置的控制方法_青岛海存微电子有限公司_202511622346.X
    本申请实施例提供一种马尔可夫链装置及马尔可夫链装置的控制方法。马尔可夫链装置包括：电连接的控制单元和存储单元，存储单元包括磁存储器件，磁存储器件包括相邻设置的自旋轨道矩层和磁隧道结；控制单元用于输出周期性脉冲信号，每个周期的脉冲信号包括一个...
    2026-02-13
  • 存储器件
    存储器件_三星电子株式会社_202411903935.0
    一种存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列连接到多条字线；以及行锤击保护器，所述行锤击保护器包括处理电路系统，所述处理电路系统被配置为基于在第一存储体刷新时段期间针对所述多条字线中的每一条字线的相邻字线激活计数，在所述第一存储体刷新时...
    2026-02-13
  • 一种芯片、芯片制造方法、存储器、接口芯片和电子设备
    一种芯片、芯片制造方法、存储器、接口芯片和电子设备_华为技术有限公司_202410761110.3
    本申请涉及一种芯片、芯片制造方法、存储器、接口芯片和电子设备，涉及芯片技术领域。该芯片包括串行接口电路，串行接口电路包括多个金属柱；多个金属柱通过后道工艺形成；多个金属柱作为串行接口电路的负载器件。如此，可以节省芯片电路面积。
    2026-02-13
  • 存储器校准和容限检查
    存储器校准和容限检查_苹果公司_202511267698.8
    本公开涉及存储器校准和容限检查。一种存储器子系统包括存储器和耦合到该存储器的存储器控制器。该存储器控制器包括校准电路，该校准电路被配置为：在初始化过程期间针对多个性能状态中的一些性能状态执行水平存储器校准；以及确定指示该多个性能状态中的成对...
    2026-02-13
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510446168.3
    包含SRAM元件的半导体器件包括：衬底；第一和第二电源线，在衬底上并被施加不同电压；字线，在衬底上沿第一方向延伸；位线和互补位线，在衬底上沿与第一方向相交的第二方向延伸；第一和第二单元，在衬底上沿第二方向布置，第一单元包括并联连接在第一和第...
    2026-02-13
  • 半导体存储装置及其控制方法
    半导体存储装置及其控制方法_华邦电子股份有限公司_202411537087.6
    本发明提供一种半导体存储装置及其控制方法，即使在对于多个页面的每个页面的多个感测放大器执行偏移消除操作序列时，也能够提高感测放大器的感测裕度。半导体存储装置，包括控制部，对于各页面的各感测放大器，执行至少包含一指定操作的偏移消除操作序列，指...
    2026-02-13
  • 配备有电源门控电路的驱动电路
    配备有电源门控电路的驱动电路_美光科技公司_202511634903.X
    本申请涉及配备有电源门控电路的驱动电路。本文公开一种设备，其包含第一缓冲电路、被配置成驱动所述第一缓冲电路的多个第一驱动电路，以及被配置成分别将操作电压供应到所述第一驱动电路的多个第一开关电路。所述第一驱动电路共同布置于第一区中呈矩阵形式，...
    2026-02-13
  • 电子电路
    电子电路_国立研究开发法人科学技术振兴机构_202511207312.4
    一种电子电路，其具有：单元阵列，其具有多个存储器单元，各个存储器单元分别具有双稳态电路和非易失性元件，双稳态电路易失性地存储数据，非易失性元件非易失性地存储双稳态电路中所存储的数据，并将非易失性地存储的数据恢复到双稳态电路中；以及控制电路，...
    2026-02-13
  • 自定时存储器电路
    自定时存储器电路_意法半导体国际公司_202510769395.X
    本公开涉及自定时存储器电路。一种被包括在存储器电路的虚设行中的虚设SRAM单元，存储器电路包括由交叉耦合锁存器电路装置连接的第一和第二数据存储节点。第一传输门晶体管具有连接到第一数据存储节点的第一源极/漏极节点，连接到接地节点的第二源极/漏...
    2026-02-13
  • 一种热辅助磁记录装置
    一种热辅助磁记录装置_北京航空航天大学_202511055066.5
    本发明提供了一种热辅助磁记录装置，包括激光器、分束器、记录单元，记录单元包括光波导、近场换能器、写极，记录单元设置有多个；通过对待写入位置的存储介质进行加热以使其达到居里温度并进行数据的写入，从而降低了写极需要提供的磁场强度，待存储介质冷却...
    2026-02-13
  • 一种热辅助磁记录头
    一种热辅助磁记录头_北京航空航天大学_202511055067.X
    本发明提供了一种热辅助磁记录头，包括激光器、光波导、近场换能器、记录单元，记录单元设置有多个，近场换能器设置于光波导的延伸端且能够接收光波导所传递的光并转换为热，近场换能器包括多个发热端，记录单元的数量不少于发热端的数量，发热端、记录单元朝...
    2026-02-13
  • 用于非易失性存储器初始化的技术
    用于非易失性存储器初始化的技术_美光科技公司_202510766046.2
    本申请涉及非易失性存储器初始化，例如与非NAND初始化。存储器系统的一或多个裸片可在所述存储器系统的一或多个控制器完成唤醒过程之前执行自动触发的初始化过程。例如，所述存储器系统可从空闲状态转变到唤醒状态。因此，所述一或多个裸片可响应于第一电...
    2026-02-13
  • 用于存储器系统的次要接口
    用于存储器系统的次要接口_美光科技公司_202510767015.9
    本申请涉及用于存储器系统的次要接口。一种存储器系统可经由第一接口接收命令，所述第一接口包括第一组一或多个输入/输出I/O引脚且根据包括第一调制方案及第一数据速率的第一通信协议进行操作。所述存储器系统可基于接收到所述命令，经由第二接口接收针对...
    2026-02-13
  • 一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统
    一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410749386.X
    本申请提供了一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统，涉及半导体芯片技术领域。该存储器包括存储阵列和耦接于存储阵列的外围电路，存储阵列包括存储块，存储块通过字线与外围电路耦接。其中，存储块包括已编程存储单元和未编程存储单元，已编程存储单元包...
    2026-02-13
  • 用于非易失性存储器设备的SLC子块模式
    用于非易失性存储器设备的SLC子块模式_闪迪技术公司_202411747728.0
    本公开涉及用于非易失性存储器设备的SLC子块模式。存储器设备包括具有布置在字线中的存储器单元的阵列的存储块，该字线被划分为子块，该子块中的每一者与单独的读取使用阈值相关联。控制电路被配置为：对该字线的该存储器单元进行编程以包括数据；对多个子...
    2026-02-13
  • 在编程-验证操作内暂停以缩短暂停等待时间
    在编程-验证操作内暂停以缩短暂停等待时间_美光科技公司_202510773241.8
    本申请案涉及在编程‑验证操作内暂停以缩短暂停等待时间。一种存储器装置包含具有多个存储器单元的存储器阵列。控制逻辑与所述存储器阵列可操作地耦合。所述控制逻辑在将多种数据状态编程到所述存储器阵列的一组所述多个存储器单元的同时接收暂停命令。所述控...
    2026-02-13
  • 非易失性存储器设备、存储设备以及操作其的方法
    非易失性存储器设备、存储设备以及操作其的方法_三星电子株式会社_202510152594.6
    一种操作包括单元串的非易失性存储器设备的方法包括：对单元串的第一串选择晶体管执行编程操作，基于第一参考电压对第一串选择晶体管执行第一读取操作，以及对单元串的连接到第一串选择晶体管的第二串选择晶体管执行编程操作，以：响应于通过第一读取操作获得...
    2026-02-13
  • 存储器控制方法与存储装置
    存储器控制方法与存储装置_合肥开梦科技有限责任公司_202511275782.4
    本发明提供一种存储器控制方法与存储装置。所述方法包括：检测对应于第一实体单元的读取事件；响应于读取事件，取得对应于第一实体单元的元数据；根据元数据，取得对应于第一实体单元的健康度评估值；根据健康度评估值与临界值之间的相对数值关系，取得电压调...
    2026-02-13
  • 单电源嵌入式闪存启动电路
    单电源嵌入式闪存启动电路_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510625422.6
    本发明公开了一种单电源嵌入式闪存启动电路，包括：单边延时模块，其将原始输入信号上升沿和下降沿分别延时形成第一输入信号和第二输入信号输出至与非门第一输入；与非门，其第二输入连接原始输入信号，其输出连接启动模块输入；启动模块，其用于产生偏置信号...
    2026-02-13
  • 读取电压的决定方法、存储器存储装置与存储器控制电路单元
    读取电压的决定方法、存储器存储装置与存储器控制电路单元_群联电子股份有限公司_202511219412.9
    本发明提出一种读取电压的决定方法、存储器存储装置与存储器控制电路单元。此方法包括：设定第一管理单元以及第二管理单元，其中第一管理单元中字元线的数量大于第二管理单元中字元线的数量，第一管理单元中的字元线对应相同的读取电压组，第二管理单元中的字...
    2026-02-13
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