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最新专利技术
  • 多外延层的生长设备及生长方法
    多外延层的生长设备及生长方法_桂林雷光科技有限公司_202511226985.4
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及多外延层的生长设备及生长方法，包括加工箱、分区隔板、反应通气机构和加热板；加工组件包括转位支架、底架、搁置盘、下隔构件、转位构件和导位构件，转位支架转动安装在加工箱内，多个底架滑动安装在转位支架外侧...
    2026-03-11
  • 一种多频等离子体共振与热梯度协同的异质外延大克拉彩色钻石制备系统及方法
    一种多频等离子体共振与热梯度协同的异质外延大克拉彩色钻石制备系统及方法_哈尔滨工业大学_202511330799.5
    本发明公开了一种多频等离子体共振与热梯度协同的异质外延大克拉彩色钻石制备系统及方法。该系统在MPCVD反应腔室内同步引入2.45GHz与5.8GHz双频微波，实现低能高密度与高能低密度等离子体的叠加，以优化碳簇沉积能量分布。同时，通过温控加...
    2026-03-11
  • 一种石英晶体监测结构及外延工艺设备
    一种石英晶体监测结构及外延工艺设备_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511086740.6
    本发明公开了一种石英晶体监测结构及外延工艺设备，所述石英晶体监测结构包括：石英振荡元件，设有膜厚监测区；连接件，一端与所述石英振荡元件连接，另一端与信号收集显示装置连接，封装外壳，其包覆所述石英振荡元件和所述连接件，所述封装外壳开设有与石英...
    2026-03-11
  • 一种用于半导体的大厚度(111)晶向单晶金刚石的制备方法
    一种用于半导体的大厚度(111)晶向单晶金刚石的制备方法_哈尔滨工业大学_202511521938.2
    一种用于半导体的大厚度(111)晶向单晶金刚石的制备方法，本发明是要解决(111)晶向金刚石生长速率低、生长质量差的问题。单晶金刚石的制备方法：S1、籽晶片置于混酸中进行加热浸泡；S2、使用氢气等离子体对籽晶片进行刻蚀处理；S3、向真空腔内...
    2026-03-11
  • 一种多晶金刚石及其制备方法和应用
    一种多晶金刚石及其制备方法和应用_嘉兴沃尔德金刚石工具有限公司_202511301979.0
    本发明提供了一种多晶金刚石及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：在第一籽晶上进行多晶金刚石异质外延生长，得到多晶金刚石外延层；对多晶金刚石外延层进行激光分层处理后，剥离得到多晶金刚石剥离层；以多晶金刚石剥离层作为第二籽晶，进行多晶金...
    2026-03-11
  • 一种环形结构的硅锭的生产工艺
    一种环形结构的硅锭的生产工艺_宁波硅宁半导体材料有限公司_202511274704.2
    本发明提供一种环形结构的硅锭的生产工艺，属于硅锭铸造技术领域。包括以下步骤：S1、选取内壁涂覆有脱模涂层的圆形或方形坩埚；S2、在坩埚中心放置预设直径的耐高温圆柱形块，所述圆柱形块熔点＞1600℃，材质选自陶瓷石英、石墨、氧化铝、碳化硅、氮...
    2026-03-11
  • 单晶硅棒生长的缺陷控制方法及控制装置
    单晶硅棒生长的缺陷控制方法及控制装置_上海超硅半导体股份有限公司_202511409862.4
    本发明涉及一种单晶硅棒生长的缺陷控制方法及控制装置。所述单晶硅棒生长的缺陷控制方法包括如下步骤：判断石英坩埚内的初始单晶硅棒生长过程中是否出现断棱，若是，则吸杂取出或者回融后再进行单晶硅的生长，形成当前单晶硅棒；获取当前单晶硅棒处于等径生长...
    2026-03-11
  • 一种保温结构、安装方法及晶体生长炉
    一种保温结构、安装方法及晶体生长炉_云南宇泽新能源股份有限公司_202511656606.5
    本发明的实施例提供了一种保温结构、安装方法及晶体生长炉，涉及晶硅生产技术领域。该保温结构包括水冷屏以及固化保温环，水冷屏包括水冷屏本体、进水管以及出水管，进水管和出水管均与水冷屏本体连接，固化保温环上设有第一适配槽以及第二适配槽，第一适配槽...
    2026-03-11
  • 一种高纯度抗激光损伤氟化物晶体的密闭式生长方法
    一种高纯度抗激光损伤氟化物晶体的密闭式生长方法_河南微米光学科技有限公司_202511412197.4
    本申请公开了一种高纯度抗激光损伤氟化物晶体的密闭式生长方法，涉及晶体生长技术领域。其制备方法包括：用HF溶液处理氟化物粉末，再经F2高温焙烧提纯；在强度适宜的匀强磁场辅助下，于布里奇曼炉中生长晶体；最后用CF4与O2混合气体等离子体处理晶体...
    2026-03-11
  • 碱金属铌钽氧氟酸盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用
    碱金属铌钽氧氟酸盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用_同济大学_202511270953.4
    本发明涉及一种碱金属铌钽氧氟酸盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用，所述材料的化学通式为A5(NbOF4)(TaF7)2，其中，A＝K、Rb或Cs，该晶态材料属于四方晶系，空间群为I4cm，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。在106...
    2026-03-11
  • 半导体衬底及其制造方法
    半导体衬底及其制造方法_环球晶圆股份有限公司_202510475717.X
    本发明提供一种半导体衬底及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：建立n型4H碳化硅标准模型；建立半绝缘型4H碳化硅标准模型；利用模拟软件将掺杂元素带入n型4H碳化硅标准模型以及半绝缘型4H碳化硅标准模型中的至少一者以计算经掺杂元素掺杂的4H...
    2026-03-11
  • 一种拓扑绝缘体固溶体吸波材料及其制备方法
    一种拓扑绝缘体固溶体吸波材料及其制备方法_哈尔滨工业大学_202511174955.3
    本发明公开了一种拓扑绝缘体固溶体吸波材料及其制备方法，属于电磁波吸收材料领域。本发明要解决现有拓扑绝缘体吸波材料难以应对复杂的电磁环境问题。本发明的化学表达式为Mn1‑xSnxBi2Te4。本发明通过自发成核生长拓扑绝缘体单晶。本发明通过引...
    2026-03-11
  • 一种基于N型PbSe晶体的高性能热电制冷材料及其制备方法
    一种基于N型PbSe晶体的高性能热电制冷材料及其制备方法_天目山实验室_202511301877.9
    本发明公开了一种基于N型PbSe晶体的高性能热电制冷材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。该材料为Ge固溶以及额外引入Ge的PbSe半导体晶体，Pb、Se、固溶Ge和额外Ge的摩尔比例为(1‑x)：1：x：y；其中，0.004≤x≤0.0...
    2026-03-11
  • 一种碳酸钙晶须及其制备方法
    一种碳酸钙晶须及其制备方法_湖北水心再生资源有限公司_202511328169.4
    本发明涉及无机非金属材料技术领域，公开了一种碳酸钙晶须及其制备方法，包括以下步骤：首先，对含有天然碳酸钙晶须的矿石原料进行粗级破碎得到块料；其次，对所述块料进行关键的热冲击诱导晶界弱化处理，该处理通过将块料快速升温至预定温度并进行保温，然后...
    2026-03-11
  • 一种铵根离子插层二维材料的制备方法
    一种铵根离子插层二维材料的制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511168105.2
    本发明涉及一种铵根离子插层二维材料的制备方法，包括以二维材料单晶作为原料，以碘化铵作为插层剂，将二维材料单晶放入碘化铵溶液中加热处理，冷却后清洗、真空干燥，得到铵根离子插层的二维材料复合物。本发明制备方法简单快捷、绿色环保、效率高且成本低；...
    2026-03-11
  • 一种液态金属辅助制备具有褶皱结构的二维材料的方法和应用
    一种液态金属辅助制备具有褶皱结构的二维材料的方法和应用_清华大学深圳国际研究生院_202511175720.6
    本发明公开了一种液态金属辅助制备具有褶皱结构的二维材料的方法和应用，属于二维材料微纳加工领域。该方法包括以下步骤：S1.将液态金属镓覆盖二维材料的上表面，在冷却条件下使液态金属镓凝固后得到负载二维材料纳米片的金属镓锭；S2.将负载二硫化钼纳...
    2026-03-11
  • 一种基于次固溶法的Ni3Al基单晶合金两级沉淀相组织调控方法
    一种基于次固溶法的Ni3Al基单晶合金两级沉淀相组织调控方法_中国航发南方工业有限公司_202511259468.7
    本发明属于单晶高温合金技术领域，具体涉及一种基于次固溶法的Ni3Al基单晶合金两级沉淀相组织调控方法。本发明将待处理Ni3Al基单晶合金进行固溶处理；然后第一降温进行次固溶处理；然后第二降温进行时效处理，得到热处理后的Ni3Al基单晶合金；...
    2026-03-11
  • 一种抗紫外线功能性涤纶纤维连续生产设备及其生产方法
    一种抗紫外线功能性涤纶纤维连续生产设备及其生产方法_闽江学院_202511257361.9
    本发明属于涤纶纤维加工技术领域，尤其是一种抗紫外线功能性涤纶纤维连续生产设备及其生产方法，针对现有技术中，当过滤装置堵塞后喷丝无法进行，且更换喷丝头需停机等待、更换效率较慢的问题，现提出如下方案，其包括喷丝架以及螺纹连接在喷丝架内的多个喷丝...
    2026-03-11
  • 一种用于熔喷的挤出机结构
    一种用于熔喷的挤出机结构_南京滕达机械设备有限公司_202511537411.9
    本发明涉及用于熔喷的挤出机装置技术领域，且公开了一种用于熔喷的挤出机结构，包括支架组件，支架组件的顶部固定安装有挤出组件，挤出组件的顶部固定安装有传动碾碎组件，且挤出组件的末端固定安装有切断组件。本发明通过在装置的出料口处安装有切断组件，可...
    2026-03-11
  • 一种具有支链结构的聚乙烯复丝制备装置及其方法
    一种具有支链结构的聚乙烯复丝制备装置及其方法_苏州优普益新材料科技有限公司_202511353619.5
    一种具有支链结构的聚乙烯复丝制备装置及其方法，属于聚乙烯加工技术领域。包括框架，框架的两端分别连接有一号牵引辊组件和二号牵引辊组件，二号牵引辊组件的输出端开设有出料孔，框架的外表面对应二号牵引辊组件与一号牵引辊组件之间连接有匀热结构，框架的...
    2026-03-11
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