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最新专利技术
  • 晶圆处理方法及晶圆处理设备
    晶圆处理方法及晶圆处理设备_宁波润华全芯微电子设备有限公司_202511303642.3
    本发明申请涉及晶圆处理方法及晶圆处理设备，属于半导体制造技术领域，晶圆处理方法应用于晶圆处理设备，晶圆处理设备包括匀胶腔体，匀胶腔体内设置载台以及内壳体，所述载台承载晶圆转动，所述内壳体在所述晶圆的背面限定出内腔体，晶圆处理方法包括：在对晶...
    2026-01-25
  • 一种IGBT模块封装自动压盖装置
    一种IGBT模块封装自动压盖装置_深圳市和芯电子有限公司_202511463438.8
    本发明公开了一种IGBT模块封装自动压盖装置，涉及芯片封装技术领域。本发明，包括机架，所述机架上固定安装有堆放区，所述机架内设置有伺服移动台，待加工的IGBT模块基座放置在伺服移动台的活动部上，所述机架的顶面设置有灌封固化组件，以对IGBT...
    2026-01-25
  • 基于氢氧化钾刻蚀清洁阶段使用的多面冲洗水槽结构
    基于氢氧化钾刻蚀清洁阶段使用的多面冲洗水槽结构_联仕新材料(苏州)股份有限公司_202511631516.0
    本发明公开了基于氢氧化钾刻蚀清洁阶段使用的多面冲洗水槽结构，涉及晶圆刻蚀清洗技术领域，具体包括清洗箱和箱门，清洗箱的一侧安装有箱门，清洗箱内开设有旋转喷洗腔和浸泡腔，清洗箱内安装有伸缩控制组件；本发明是通过集成垂直浸泡腔与横向旋转喷洗腔的紧...
    2026-01-25
  • 一种基于等离子体协同调控的半导体刻蚀方法
    一种基于等离子体协同调控的半导体刻蚀方法_徐州美兴光电科技有限公司_202511639783.2
    本发明涉及半导体刻蚀技术领域，尤其涉及一种基于等离子体协同调控的半导体刻蚀方法，该方法通过在待刻蚀半导体上交替使用第一等离子体和第二等离子体以得到预设深宽比的若干沟槽结构，其中，第一等离子体进行刻蚀，第二等离子体进行侧壁残留物清洗；使用激光...
    2026-01-25
  • 一种晶圆清洗单元、设备及方法
    一种晶圆清洗单元、设备及方法_苏州智程半导体科技股份有限公司_202511641675.9
    本发明公开一种晶圆清洗单元、设备及方法。所述清洗单元包括：设置多通道喷头的模块化洁净室；带有连接筒、可上下移动的转接盘及传动座的摆振控制组件；通过万向节与传动座连接的承载台，承载台具有负压吸附孔；同轴双环双频超声换能器，内环工作于MHz、外...
    2026-01-25
  • 一种晶圆传递方法和电子设备
    一种晶圆传递方法和电子设备_浙江晟霖益嘉科技有限公司_202511657911.6
    本发明公开了一种晶圆传递方法和电子设备，涉及半导体制造技术领域，所述方法包括：响应于晶圆传送盒装载的装载信号，根据晶圆传送盒接入的端口和各个晶圆在晶圆传送盒中的位置信息生成各个晶圆的晶圆标识码；响应于传递触发信号，将晶圆标识码封装在晶圆传递...
    2026-01-25
  • 晶圆传输机构及半导体工艺腔室
    晶圆传输机构及半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410718484.7
    本发明提供一种晶圆传输机构及半导体工艺腔室，晶圆传输机构包括支撑部件、旋转驱动组件和传动组件，支撑部件的周向上间隔设置有多个承载位，承载位用于承载晶圆，旋转驱动组件的驱动轴通过传动组件与支撑部件连接，且驱动轴与传动组件通过机械传动结构相配合...
    2026-01-25
  • 一种真空传输装置及其传输方法
    一种真空传输装置及其传输方法_北京金竟科技有限责任公司_202511188638.7
    本发明涉及半导体真空传输技术领域，特别涉及一种真空传输装置及其传输方法。本发明包括底板的底部安装有电动驱动机构，底板两侧设置有第一直线导轨，第一直线导轨设置在电动驱动机构的上端；中间板通过第一直线导轨连接在底板上，中间板两侧设置有第二直线导...
    2026-01-25
  • 一种晶圆输送装置
    一种晶圆输送装置_芯达半导体设备(苏州)有限公司_202511240876.8
    本发明提供一种晶圆输送装置，属于芯片制造技术领域，具体包括工作台、滑台和机械手，在工作台的上方设置有加工平台；机械手用于承载晶圆；机械手包括承载盘和托盘，两者活动连接，托盘位于承载盘的下方，使晶圆位于托盘上；承载盘从加工平台上方经过的过程中...
    2026-01-25
  • 电镀工艺前后进行晶圆传输的方法、缓存机构及电镀设备
    电镀工艺前后进行晶圆传输的方法、缓存机构及电镀设备_江苏无锡经纬天地半导体科技有限公司_202511242546.2
    本发明公开了一种电镀工艺前后进行晶圆传输的方法、缓存机构及电镀设备，属于半导体设备技术领域。电镀工艺前后进行晶圆传输的方法，包括以下步骤：在EFEM内部设计能够缓存晶圆或假片的预设区域；在预设区域内设置能够缓存晶圆或假片的缓存机构，使得EF...
    2026-01-25
  • 引线框架上下料料盒流转装置
    引线框架上下料料盒流转装置_无锡双益精密机械有限公司_202511253275.0
    本发明涉及半导体封装制造技术领域，公开了一种引线框架上下料料盒流转装置，包括底座、托举组件和夹持组件，夹持组件包括第一直角挡条、第二直角挡条、第一压条和第二压条，第一直角挡条与第二直角挡条于X轴方向上对立布置且间距可调，第一压条与第一直角挡...
    2026-01-25
  • 一种立式炉用stocker的晶圆盒运送模块及运送系统
    一种立式炉用stocker的晶圆盒运送模块及运送系统_北京和崎精密科技有限公司_202511621368.4
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种立式炉用stocker的晶圆盒运送模块及运送系统。主要包括晶圆盒传送端口、角度避让结构和控制系统。本申请通过将晶圆盒运送模块设置于立式炉设备的外侧而非内部，能够在不改变设备整体宽度的前提下实现晶圆盒运送...
    2026-01-25
  • 一种用于Wafer的高效传动机构
    一种用于Wafer的高效传动机构_北京和崎精密科技有限公司_202511648585.2
    本发明涉及半导体设备技术领域，公布了一种用于Wafer的高效传动机构，包括CST载体单元，所述CST载体单元包括固定基板和安装在固定基板上的移动组件，且移动组件在固定基板上进行限位滑动，所述固定基板上固定安装有定位组件，且定位组件与移动组件...
    2026-01-25
  • 石蜡固定治具及其固定方法
    石蜡固定治具及其固定方法_湖南德智新材料股份有限公司_202511142371.8
    本申请提供了一种石蜡固定治具及其固定方法，涉及了半导体和光伏技术领域。石蜡固定治具包括载台、流量调节组件、温度调节组件、振动组件及控制组件，载台包括第一凹陷和第二凹陷，围合成第一凹陷的第一侧壁设有与第二凹陷连通的导流通道，朝向第二凹陷的部分...
    2026-01-25
  • 拾取装置及电子零件的安装装置
    拾取装置及电子零件的安装装置_芝浦机械电子装置株式会社_202511602559.6
    本发明提供一种可抑制所产生的颗粒的影响地拾取电子零件的拾取装置及电子零件的安装装置。实施方式的拾取装置包括：拾取夹头，保持并拾取电子零件；臂部，一端设置有拾取夹头且内部具有空间；以及反转驱动部，具有支撑部及旋转轴，并通过利用旋转轴使支撑部旋...
    2026-01-25
  • 等离子体处理装置、基片支承器和环结构
    等离子体处理装置、基片支承器和环结构_东京毅力科创株式会社_202511196154.7
    本发明提供一种等离子体处理装置、基片支承器和环结构。基片支承器包括：主体部、第1环、第2环和升降销。主体部具有基片支承区域和环状区域。环状区域包围基片支承区域。第1环具有贯通孔，配置在环状区域上。第2环配置在第1环上。第2环具有面对基片支承...
    2026-01-25
  • 基片支承台、等离子体处理系统和环状部件的安装方法
    基片支承台、等离子体处理系统和环状部件的安装方法_东京毅力科创株式会社_202511241446.8
    本发明提供基片支承台、等离子体处理系统和环状部件的安装方法。基片支承台包括：载置基片的基片载置面；环状部件载置面，其载置以包围保持于基片载置面的基片的方式配置的环状部件；三个以上的升降部件，其构成为能够从环状部件载置面伸出，并以可调节从环状...
    2026-01-25
  • 一种减振移动夹具
    一种减振移动夹具_恩纳基智能装备(无锡)股份有限公司_202511453494.3
    本发明涉及移动夹具设备技术领域，且公开了一种减振移动夹具，包括固定机台，固定机台上设置有工作台和直线电机，直线电机的动子上安装有移动横梁，移动横梁上安装有夹具，固定机台上设置有阻尼平台，阻尼平台与固定机台阻尼连接，工作台设置在阻尼平台上，移...
    2026-01-25
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511593134.3
    一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成硬掩膜层，硬掩膜层中具有露出部分衬底的刻蚀窗口；以硬掩膜层为掩模，刻蚀刻蚀窗口露出的衬底，在衬底中形成浅沟槽，浅沟槽的顶角为尖角；自硬掩膜层靠近浅沟槽一侧的侧壁回刻蚀硬掩膜层；...
    2026-01-25
  • 半导体元件的制造方法
    半导体元件的制造方法_南亚科技股份有限公司_202411313931.7
    本发明提供了一种半导体元件的制造方法。所述方法包含：提供半导体结构，其中半导体结构包含包覆氮化物层以及氧化物层的数个氮化物部位、位于氮化物部位之间的接触层、设置于氮化物部位上的间隔物层以及位于间隔物层上的图案化硬遮罩层；形成填充材料于接触层...
    2026-01-25
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