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  • 本公开内容的实施例总体上涉及外延膜堆叠及用于制备外延膜堆叠的气相沉积工艺。在一个或多个实施例中,所生产的经碳掺杂的硅‑锗和硅微型堆叠具有相对较低的缺陷或晶体瑕疵。将含有多个经碳掺杂的硅‑锗和硅微型堆叠的多层外延堆叠沉积在基板上。各多层外延堆...
  • 示例性半导体处理方法可包括将一种或多种沉积前驱物提供到半导体处理腔室的处理区。所述沉积前驱物可为或包括含钨前驱物。基板可安置在所述半导体处理腔室的所述处理区内。所述方法可包括在所述处理区中形成所述一种或多种沉积前驱物的等离子体。所述等离子体...
  • 范例半导体处理方法可包括:将含硼及卤素前驱物及含氧前驱物提供至半导体制程腔室的处理区域。基板可容置于处理区域中。含金属硬屏蔽材料层可设置于基板上。含硅材料层可设置于含金属硬屏蔽材料层上。所述方法可包括:形成含硼及卤素前驱物及含氧前驱物的电浆...
  • 提供了在目标区域中具有改进掺杂的半导体处理方法及半导体结构。方法包括提供设置在半导体处理腔室内的基板,其中在此基板上形成一或多个未掺杂目标区域。方法包括使此一或多个未掺杂目标区域经受预清洁操作,移除存在于此一或多个未掺杂目标区域上的任何氧化...
  • 本发明提供一种半导体芯片的清洗方法,其包括如下工序:(a)用药液对配置于胶黏剂膜的表面上的区域且贴附于该表面上的切割环内的区域的多个半导体芯片进行清洗;及(b)从表面上拾取清洗后的半导体芯片,药液为选自由溶剂系、酸系及碱系组成的组中的一种药...
  • 一种半导体器件及其制造方法。提供基板。在基板顶部上形成一组或多组层。在至少一组层顶部上形成补偿层。在补偿层顶部上形成至少一个硅层。蚀刻一组或多组层中的一个或多个层的至少一部分。形成半导体器件。
  • 在基板(S)的清洗装置(1)中,具备:臭氧水生成部(2),其将臭氧浓度为50体积%以上且臭氧分压为30kPa(abs)以下的臭氧气体和溶剂收容于气液混合器(21)而生成臭氧水;臭氧水供给部(3),其向基板(S)喷出并供给该臭氧水;以及混溶性...
  • 本发明的一个方式的基片处理装置(14)包括:保持基片的基片保持部(30);对基片的正面(Wa)供给处理液的正面供给部(40);对基片的背面(Wb)供给处理液的背面供给部(50);和控制各部的控制部(15)。另外,控制部(15)执行以下处理,...
  • 在本发明的半导体装置的制造方法中,准备在半导体晶片(11)上具有作为微凸块的微小的铜柱(12)及焊接凸块(13)的半导体部件(10)。然后,以覆盖铜柱(12)及焊接凸块(13)的方式将非导电膜NCF(20)层压于半导体部件(10)。在进行该...
  • 在本发明的半导体装置的制造方法中,准备在半导体晶片(11)上具有作为微凸块的微小的铜柱(12)及焊接凸块(13)的半导体部件(10)。然后,以覆盖铜柱(12)及焊接凸块(13)的方式将底部填充材料涂布于半导体部件(10)上并使其扩展并固化。...
  • 提供一种计算机程序、信息处理装置以及信息处理方法,能够考虑装置固有的热阻、在工艺制程的每个步骤中不同的热通量来决定对于制冷剂的设定温度的补偿值。用于使计算机执行如下处理:关于具备基板载置台和利用从冷却装置供给的制冷剂来冷却基板载置台的冷却基...
  • 本发明关于控制具有多个处理器的排气处理系统的动作的控制装置和控制方法。控制装置(6)控制具有多个处理器(2A至2C)的排气处理系统(1)的动作,具备:多个副控制装置(8A至8C),与多个处理器(2A至2C)对应,个别地控制多个处理器(2A至...
  • 半导体处理的例示性方法可包括将蚀刻剂前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。结构可设置在处理区域内。结构可包括第一含硅材料。结构可包括第二含硅材料、含氧材料、或两者。方法可包括使结构与蚀刻剂前驱物接触。与蚀刻剂前驱物的接触可从结构蚀刻第二含硅...
  • 提供了控制在区域选择性沉积(ASD)工艺中使用的自组装单层(SAM)的形成并且因此在ASD工艺中防止缺陷的方法的各种实施例。在所披露的实施例中,SAM结构经由旋涂工艺形成,该旋涂工艺包括:(a) 旋转涂布步骤,该旋转涂布步骤用于用含有SAM...
  • 方法可涉及在印刷电路面板上支撑多个微电子管芯。多个微电子管芯中的相应微电子管芯可电连接到印刷电路面板的至少一个过孔。微电子器件封装件可从印刷电路面板单切,相应微电子器件封装件包括多个微电子管芯中的至少一个微电子管芯和印刷电路面板的一部分。结...
  • 一种方法包括以下步骤:由处理设备,经由图形用户界面(GUI),接收用于以第一腔室数据模式检视与第一工艺腔室相关联的数据的第一用户输入。该第一腔室数据模式的数据包括在该第一工艺腔室中执行的工艺操作的数据。该方法进一步包括以下步骤:回应于接收该...
  • 本文的实施例提供了一种半导体基板清洁腔室。清洁腔室包括部分限定清洁体积的侧壁、在侧壁内设置的基座、及在基座上方设置的清洁臂。清洁臂包括在清洁臂的喷嘴端上设置的喷嘴组件。喷嘴组件包括外壳、及在外壳内设置并且具有气体端口的主体,该气体端口穿过该...
  • 一种监测处理腔室中的基于等离子体的制程的方法包括:在基于等离子体的制程期间量测与处理腔室相关联的第一位置处的第一温度;以及基于第一温度来决定表示与基于等离子体的制程相关联的第一自由基物质通量的值。方法包括经训练的机器学习模型以决定表示自由基...
  • 提供了一种基板清洁装置,所述基板清洁装置包括:轴,所述轴具有外部主体和内部容积,所述轴具有在第一方向上的长度;以及垫载体组件,所述垫载体组件包括:壳体,所述壳体在相对于所述轴的所述外部主体的固定位置连接至所述外部主体,所述壳体具有内部容积;...
  • 本发明提供一种高压基板处理装置,其中,包括:内腔,被形成为容纳待处理基板;外腔,具备:外壳,用于容纳所述内腔;外门,被形成为在封闭所述外壳的关闭状态和开放所述外壳的打开状态之间移动;以及紧固模块,被形成为在所述关闭状态下用于紧固所述外壳与所...
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