Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件
    背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511536594.2
    本申请涉及光伏领域，提供了一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件，背接触电池的本体的背光面设置有细栅、边缘焊盘和边缘连接线；细栅包括第一细栅和第二细栅；边缘焊盘位于本体沿第二方向的两端，第一细栅与边缘焊盘相连接，边缘焊盘沿第一方向的两侧分...
    2025-11-30
  • 光电突触器件及其制备方法、用途
    光电突触器件及其制备方法、用途_北京理工大学_202511194138.4
    本发明的实施例公开一种光电突触器件，其中，上述光电突触器件在从可见光到红外光的520 nm到2000 nm的光谱响应范围内具有光学突触特性，其中，上述光电突触器件包括由上层石墨烯/CrOCl/下层石墨烯构成的范德华异质结，CrOCl作为中间...
    2025-11-30
  • 一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法
    一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法_湖南大学_202511512099.8
    本发明公开了一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法。该光电探测器由下至上依次为基底材料、光伏层和电极层；所述光伏层由下至上依次为Si层、SiO2层，Au层、氧化铝层、MoS2层、PtSe2层、MoS2层、和光栅层；所述PtSe2层...
    2025-11-30
  • 硅紫外光光电二极管及其制造方法
    硅紫外光光电二极管及其制造方法_原相科技股份有限公司_202411326260.8
    本发明提供了一种硅紫外光光电二极管及其制造方法。该硅紫外光光电二极管包括：一N型区，形成于硅基板的上表面下方并与其接触；一P+区，形成于N型区下方并与其接触；一深N型阱区，形成于该P+区下方并与其接触；以及一N型导电通道，连接至深N型阱区，...
    2025-11-30
  • 一种宽光谱InGaAs探测器结构
    一种宽光谱InGaAs探测器结构_中国科学院上海技术物理研究所_202511182479.X
    本发明涉及一种宽光谱InGaAs探测器，为台面型、正照射结构，包括InP衬底、N+型InP缓冲层、i型InGaAs吸收层、P+型InP帽层、NiOx透明导电帽层、金属电极以及台面位置的SiNx介质钝化层。NiOx透明导电帽层位于InP帽层的...
    2025-11-30
  • 一种长波超晶格红外探测器
    一种长波超晶格红外探测器_武汉高芯科技有限公司_202511026362.2
    本发明提供了一种长波超晶格红外探测器，包括衬底以及由衬底向上依次生长的缓冲层、下接触层、电子势垒层、吸收层、上接触层和盖层，所述下接触层和电子势垒层之间生长非故意掺杂的超晶格的隔离层，以使得所述电子势垒层与所述吸收层的价带偏差近零。该发明通...
    2025-11-30
  • 一种nBn型红外探测器材料及其制备方法
    一种nBn型红外探测器材料及其制备方法_武汉高芯科技有限公司_202511050167.3
    本发明提供了一种nBn型红外探测器材料，包括衬底，以及在所述衬底上由下至上依次生长的缓冲层、下接触层、电子势垒层、吸收层、上接触层和盖层；所述电子势垒层与所述吸收层之间设置空间电荷区调制层，所述空间电荷区调制层为N型重掺杂的半导体材料。该n...
    2025-11-30
  • 一种光电晶体管及其制备方法
    一种光电晶体管及其制备方法_北京大学深圳研究生院_202410621328.9
    本申请涉及一种光电晶体管，包括衬底；位于所述衬底上方的控制极；位于所述衬底和所述控制极上方的介质层；位于所述介质层上方的有源层；位于所述有源层上方与有源层接触的第一电极，以及位于所述有源层上方、至少部分与所述有源层接触的第二电极；其中所述第...
    2025-11-30
  • 光检测传感器
    光检测传感器_三星电子株式会社_202510530736.8
    提供了一种光检测传感器，所述光检测传感器包括：基底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中，第二表面是光入射表面；深沟槽隔离件，在基底中的深沟槽内并且限定像素区域；至少一个凹陷，从第二表面到像素区域中；透明电极，在第二表面和所述至少一...
    2025-11-30
  • 具有分离光电检测像素和正方形光电检测像素两者的混合图像传感器
    具有分离光电检测像素和正方形光电检测像素两者的混合图像传感器_苹果公司_202510630866.9
    公开了用于混合像素阵列的各种结构。该混合像素阵列包括正方形光电二极管(PD)像素结构和分离PD像素结构的组合。正方形PD像素结构每像素单元包括一个光电二极管，而分离PD像素结构每像素单元包括两个光电二极管。在某些实例中，在该混合像素阵列中，...
    2025-11-30
  • 一种短中波硅基红外探测器的背面增透薄膜制备方法
    一种短中波硅基红外探测器的背面增透薄膜制备方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511005509.X
    本申请公开了一种短中波硅基红外探测器的背面增透薄膜制备方法。所述方法包括：将固定有红外探测器的夹具装入镀膜设备的腔室中；对腔室进行抽真空；在腔室满足预设条件的情况下，以一氧化硅为薄膜材料在红外探测器的预设区域制备背面增透薄膜；其中，腔室包括...
    2025-11-30
  • 一种感光芯片封装结构及方法
    一种感光芯片封装结构及方法_宁波金晟芯影像技术股份有限公司_202511029164.1
    本发明公开了一种感光芯片封装结构及方法，包括电路板、固定填充胶层、CIS感光芯片、支撑胶层、包裹填充胶层、滤光片及多个焊盘。CIS感光芯片通过固定填充胶层固定于电路板上方，感光区域由设置于其外沿的支撑胶层与上方滤光片共同构成密封芯片内腔；感...
    2025-11-30
  • 一种内级联激光电池阵列及其制作工艺
    一种内级联激光电池阵列及其制作工艺_中国电子科技集团公司第十八研究所_202510995478.0
    本发明提供一种内级联激光电池阵列及其制作工艺，所述电池阵列包括衬底，所述衬底上设有多个内级联横向子单元，所述多个内级联横向子单元可串并联输出不同的电压，相邻的所述内级联横向子单元之间设有隔离槽，所述内级横向子单元包括在所述衬底上自下而上逐层...
    2025-11-30
  • 半导体装置
    半导体装置_李学能_202511191835.4
    本发明提供一种半导体装置，包括介电层以及半导体基底。介电层具有凸出部或凹陷部。半导体基底包括依序堆叠在介电层上的第一型半导体层以及第二型半导体层。第一型半导体层设置在凸出部或凹陷部上。第一型半导体层的顶面及底面根据凸出部而凸出或根据凹陷部而...
    2025-11-30
  • 包括单光子雪崩二极管的图像传感器及制造该图像传感器的方法
    包括单光子雪崩二极管的图像传感器及制造该图像传感器的方法_三星电子株式会社_202510633750.0
    一种图像传感器，包括：形成在衬底中的多个单光子雪崩二极管(SPAD)元件。多个SPAD元件中的每一个包括：沟槽，将一个SPAD元件与另一SPAD元件分离；第一导电类型半导体层，形成在沟槽的侧壁上；绝缘膜，形成在沟槽内部并且覆盖第一半导体层的...
    2025-11-30
  • 光电转换器、感测装置、电子设备及其制造方法
    光电转换器、感测装置、电子设备及其制造方法_阜时科技有限公司_202511005973.9
    本公开提供一种光电转换器、感测装置及其制造方法，属于半导体技术领域。光电转换器包括衬底；多个光电转换单元，形成于衬底内，光电转换单元包括第一半导体区和第二半导体区，第一半导体区和第二半导体区之间的接触界面形成PN结；隔离结构，设于相邻的两个...
    2025-11-30
  • CIS传感器用堆叠键合晶圆及CIS传感器
    CIS传感器用堆叠键合晶圆及CIS传感器_北京芯力技术创新中心有限公司_202511060686.8
    本发明提供一种CIS传感器用堆叠键合晶圆及CIS传感器。CIS传感器用堆叠键合晶圆具有与感光晶圆堆叠键合的逻辑晶圆，在所述逻辑晶圆的背面具有包括介电层和硅的多层层叠结构膜，所述多层层叠结构膜是硅基底层+第一SiO2+SiN/SiCN+第二S...
    2025-11-30
  • 一种P型硅背结钝化双面电池的制备方法
    一种P型硅背结钝化双面电池的制备方法_常州时创能源股份有限公司_202410569888.4
    本发明公开了一种P型硅背结钝化双面电池的制备方法，本发明针对低温硼扩导致的电池效率低、背面硼硅玻璃防护力弱等问题提出了此工艺。首先在P型硅片上制绒并涂覆80‑100nm薄膜(二氧化硅或氮化硅)，通过激光开模精确分区，增强非电极区域抗硼扩散和...
    2025-11-30
  • 太阳能电池的制备方法
    太阳能电池的制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202410617351.0
    本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括一次硼扩散工艺及氧化工艺；所述硼扩散工艺包括：沉积步骤，向扩散炉中通入硼源、氧气及氮气，在硅衬底的第一表面进行硼原子沉积；推进步骤，向扩散炉中通入氮气，将硅衬底第一表面沉积的硼原子向第一...
    2025-11-30
  • 一种太阳电池金属化方法、太阳电池单元
    一种太阳电池金属化方法、太阳电池单元_陕西众森电能科技有限公司_202410621618.3
    本发明涉及包含专门适用于制造或处理阳电池或其部件的方法，具体涉及一种太阳电池金属化方法、太阳电池单元，用于解决制备栅线的原料中采用银或锡包覆铜粉导致生产成本较高，而使用纯铜粉存在在空气中容易氧化导致导电性下降，以及栅线附着力差，易脱落的不足...
    2025-11-30
首页 上一页 14 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证