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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480024070.2
    逆导型IGBT(1、2、3、4)的半导体衬底(10)具有配置在集电区层(11)与漂移层(13)之间的n型的缓冲层(12)。缓冲层(12)具有设置于IGBT区域(102)的第一缓冲层(12a)和设置于边界区域(106)的第二缓冲层(12b)。...
    2025-11-19
  • 用于NAND深接触间隙填充的集成解决方案
    用于NAND深接触间隙填充的集成解决方案_应用材料公司_202480019193.7
    一种填充具有颈缩点的通孔的方法包括：执行预清洁工艺，以从通孔底部处的金属层的暴露表面去除残留物并恢复通孔的内表面，其中通孔在介电层内形成，并且具有在通孔内突出的颈缩点；执行选择性沉积工艺，以从颈缩点下方的金属层的暴露表面用金属填充材料部分地...
    2025-11-19
  • 顶部通孔互连
    顶部通孔互连_国际商业机器公司_202480020414.2
    一种半导体结构，包括：第一金属线，其嵌入在第一介电层中；第二金属线，其嵌入在第二介电层中，其中第二金属线布置在第一金属线上方；顶部过孔，其在第一金属线中的一根金属线和第二金属线中的一根金属线之间延伸，其中顶部过孔自对准到第一金属线中的一根金...
    2025-11-19
  • 用于低氟成核层沉积的脉冲ALD序列
    用于低氟成核层沉积的脉冲ALD序列_朗姆研究公司_202480020494.1
    一种方法包括：提供部分制造的半导体衬底的3D结构至室，所述3D结构包括多个侧壁，在所述侧壁中的多个开口导致多个特征，所述特征具有穿过所述开口而流体可及的多个内部区域；以及使用一个或更多个沉积循环在所述多个特征中沉积钨成核层，每个沉积循环包括...
    2025-11-19
  • 电子装置冷却结构
    电子装置冷却结构_艾德亚半导体接合科技有限公司_202480020658.0
    具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧的冷却结构可通过方法形成，所述方法包含：在第一基板中形成入口及出口；在所述第一基板的所述第二侧上形成至少一个通道，其中所述至少一个通道与所述入口及所述出口流体连通；在第二基板的所述第一侧上形成多个喷嘴；及...
    2025-11-19
  • 具有用于改进板级可靠性的模制后镀镍钨和锡双层的电子装置
    具有用于改进板级可靠性的模制后镀镍钨和锡双层的电子装置_德州仪器公司_202380095735.4
    本申请涉及一种电子装置(100)，其包含半导体管芯(120)、围封所述半导体管芯(120)的封装结构(108)，以及具有第一表面(131)和第二表面(132)的导电引线(110)。所述第一表面(131)具有沿着所述封装结构(108)的一侧(...
    2025-11-19
  • 在焊线系统上切割线材的方法、以及相关的切割刀和焊线系统
    在焊线系统上切割线材的方法、以及相关的切割刀和焊线系统_库利克和索夫工业公司_202480020327.7
    本文中提供一种焊线系统。所述焊线系统包括焊合工具。所述焊线系统还包括邻近所述焊合工具设置的切割刀。所述切割刀在切割刀的一侧上邻近切割刀的末梢部限定有面。所述面被配置为在切割操作之前接触线材。
    2025-11-19
  • 包括抗裂纹背侧钝化结构的三维存储器设备及其形成方法
    包括抗裂纹背侧钝化结构的三维存储器设备及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480020668.4
    一种三维存储器设备包括：绝缘层和导电层的交替叠堆；存储器元件的三维阵列，存储器元件的该三维阵列嵌入在交替叠堆中；介电材料部分，该介电材料部分与交替叠堆相邻定位；连接过孔结构，该连接过孔结构竖直地延伸穿过介电材料部分；背侧连接焊盘腔，该背侧连...
    2025-11-19
  • 半导体装置及树脂组合物
    半导体装置及树脂组合物_纳美仕有限公司_202480017737.6
    提供一种包含拉伸伸长率大的层间绝缘膜的半导体装置及树脂组合物。一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片、覆盖所述半导体芯片的密封材料、以及再布线层，所述再布线层包含将所述半导体芯片和外部端子进行电连接的布线、以及覆盖布线的周围的层间绝缘...
    2025-11-19
  • 半导体元件搭载用基板
    半导体元件搭载用基板_日本特殊陶业株式会社_202480021465.7
    半导体元件搭载用基板具有：基材，其由金属构成；电极，其与半导体元件连接；以及保护层，其配置于基材与电极之间，该保护层由比形成基材的金属硬的材料形成。
    2025-11-19
  • 发热元件的散热结构和热介质加热器
    发热元件的散热结构和热介质加热器_三电株式会社_202480019736.5
    本发明提供一种提高发热元件周边的设计自由度的发热元件的散热结构和热介质加热器。发热元件(40)的散热结构包括对安装于基板(30)的发热元件(40)进行配置的框体(20)，并将发热元件(40)的发热释放到框体(20)，其中，框体(20)具有兜...
    2025-11-19
  • 用于沉积热界面材料的方法以及由其形成的电路组件
    用于沉积热界面材料的方法以及由其形成的电路组件_阿莱卡股份有限公司_202480018582.8
    提供了沉积热界面材料的方法和由其形成的集成电路组件。该方法包括在靠近电路组件的第一层沉积限位结构。该方法包括在电路组件的第一层和电路组件的第二层之间以第一层厚度沉积热界面材料。热界面材料包括液态金属滴和聚合物的乳液。该方法包括压缩电路组件以...
    2025-11-19
  • 功率模块
    功率模块_法雷奥新能源汽车德国有限责任公司_202480022729.0
    本发明涉及一种功率模块(300)，其包括：‑包括一个或多个部分(P+1，P+2)的第一导体(C+)；‑包括一个部分(P‑1)的第二导体(C‑)；‑包括第一部分和第二部分(P~1、P~2)的第三导体(C~)；导体的部分在第一方向(D1)上按以...
    2025-11-19
  • 驱动电路装置
    驱动电路装置_株式会社田村制作所_202480024424.3
    本发明提供一种能够良好地确保输入侧零件与输出侧零件之间的绝缘的驱动电路装置。栅极驱动器包括：驱动器基板101，能够安装在作为驱动对象的外部机器即IGBT模块；输入侧的配线图案301、302，配置在驱动器基板101；输出侧的配线图案303、3...
    2025-11-19
  • 电池制造装置
    电池制造装置_株式会社LG新能源_202480020125.2
    提供了一种电池制造装置，该电池制造装置包括：负极开槽装置，该负极开槽装置被配置成将第一电极ID分配给经开槽的单独电极；第一切割装置，该第一切割装置用于将分配有第一电极ID的单独负极分离；正极开槽装置，该正极开槽装置被配置成将第二电极ID分配...
    2025-11-19
  • 用于能量存储装置的电极
    用于能量存储装置的电极_纳诺拉米克公司_202480022842.9
    本文公开了一种阳极，该阳极包括集电器；设置在该集电器上的阳极活性层，其中该阳极活性层包含阳极活性颗粒、阳极导电材料和阳极粘合剂；其中该阳极粘合剂包含共聚物，该共聚物包含第一重复单元和第二重复单元；其中该第一重复单元来源于包含醚键或包含多个羟...
    2025-11-19
  • 一种电极组件、电池及用电设备
    一种电极组件、电池及用电设备_宁德新能源科技有限公司_202480005723.2
    一种电极组件、电池及用电设备，其中，电极组件为卷绕结构，并包括第一极片和第二极片，第二极片的第二卷绕收尾段相对于第一极片的第一卷绕收尾段远离卷绕结构的卷绕中心；第二卷绕收尾段包括第二卷绕末端；电极组件包括第一卷绕区，第一卷绕区为以卷绕中心为...
    2025-11-19
  • 低压全固态电池
    低压全固态电池_圣戈班陶瓷塑料公司_202380093030.9
    本发明涉及一种全固态电池(ASSB)，其依次包括：包含金属态的锂的阳极、至少一个包含固体电解质材料的固体电解质层，以及包含阴极活性材料和卤化物固体电解质的阴极复合材料，其中所述全固态电池承受包括0.05 MPa至30 MPa的压力。本发明还...
    2025-11-19
  • 非水电解质蓄电元件用负极和非水电解质蓄电元件
    非水电解质蓄电元件用负极和非水电解质蓄电元件_株式会社杰士汤浅国际_202480020264.5
    本发明的一个方面的非水电解质蓄电元件用负极具备包含负极活性物质粒子的负极活性物质层，上述负极活性物质粒子含有天然石墨粒子，上述负极活性物质粒子的内部空隙率为2％以下，上述负极活性物质粒子中的细孔直径7.8nm以下的细孔容积为0.0030cm...
    2025-11-19
  • 正极组合物的制造方法和正极的制造方法
    正极组合物的制造方法和正极的制造方法_电化株式会社_202480020329.6
    本发明的正极组合物的制造方法，包括：准备工序，准备含有炭黑和第一液态介质的第一浆料；和混合工序，将上述第一浆料、粘结材料、碳纳米管和活性物质混合，得到正极组合物，在将上述第一浆料中的上述炭黑的二次粒子和该二次粒子凝聚而成的三次粒子合在一起的...
    2025-11-19
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