Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 用于基板处理系统的多孔喷头
    用于基板处理系统的多孔喷头_希尔福克斯有限公司_202480019173.X
    多孔喷头包含多孔顶表面、多孔底表面、以及多个层。这些层堆叠于该多孔顶表面与该多孔底表面之间。这些层被设置成连接至基板处理系统的喷头组件的分配板。这些层的最上层具有该多孔顶表面。这些层的最底层具有该多孔底表面。这些层中的每一层包含部分熔融以形...
    2025-11-19
  • 半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置
    半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置_信越半导体株式会社_202480020094.0
    本发明为一种半导体基板的制造方法，其包含以下工序：离子注入工序，对4H‑SiC基板的表面实施硅、碳、氧中的至少1种的离子注入，在4H‑SiC基板内形成由硅与碳非晶化而成的非晶层；接合工序，将实施了离子注入工序的4H‑SiC基板与另一支撑基板...
    2025-11-19
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480020816.2
    本发明的目的在于适当地去除形成于基片的含金属涂敷膜的周边部。基片处理装置(1)依次执行：第一步骤，一边使形成有含金属涂敷膜的基片旋转，一边对从上述基片的端部起的第一宽度区域供给第一处理液来去除上述涂敷膜；第二步骤，对从上述基片的端部起宽度比...
    2025-11-19
  • 热处理装置和热处理方法
    热处理装置和热处理方法_东京毅力科创株式会社_202480022818.5
    本发明提供一种热处理装置和热处理方法。所述热处理装置具备：加热部，其支承基板并以500℃以上的高温将该基板进行加热；腔室，其包括盖部，所述盖部通过覆盖所述加热部来在所述加热部上形成处理空间，所述盖部的靠所述处理空间侧的面由含金属材料构成；以...
    2025-11-19
  • 基材表面处理装置
    基材表面处理装置_株式会社TMEIC_202480019991.X
    本公开的目的在于提供一种实现了处理液雾相对于基材的表面的利用效率的提高的基材表面处理装置。本公开的基材表面处理装置(101)中的排气机构(31)配置在沿着输送路径(R2)移动的输送台(2)的下方，在俯视时与输送路径(R2)重叠的区域具有排气...
    2025-11-19
  • 薄型晶圆的制造方法、晶圆层叠体及用于晶圆加工的临时粘合剂
    薄型晶圆的制造方法、晶圆层叠体及用于晶圆加工的临时粘合剂_信越化学工业株式会社_202480017689.0
    本发明提供一种薄型晶圆的制造方法，该方法在用于晶圆加工的临时粘合剂中使用热固性有机硅树脂组合物，该用于晶圆加工的临时粘合剂用于将晶圆临时粘合在支撑体上，其中，能够仅通过加热使热固性有机硅树脂组合物进行固化，且该组合物包含以下成分：(A)在一...
    2025-11-19
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480021451.5
    基板处理方法依次包括：准备基板，该基板具有第一主面以及朝向与所述第一主面的朝向相反的第二主面，并且在所述第一主面和所述第二主面分别具有起伏；进行所述第一主面的激光加工；进行所述第二主面的磨削加工或研磨加工；以及进行所述第一主面的磨削加工或研...
    2025-11-19
  • 等离子体处理装置用部件及部件的制造方法
    等离子体处理装置用部件及部件的制造方法_东京毅力科创株式会社_202480019555.2
    等离子体处理装置用部件包含基材和位于所述基材的表面的热喷涂膜。所述基材的表面具备主表面和在与所述热喷涂膜的终端部重叠的位置相对于所述基材的主表面凹陷的凹部。所述热喷涂膜具有在所述基材的主表面及所述凹部的内部的一部分上连续设置的第1热喷涂膜，...
    2025-11-19
  • 等离子体处理装置和等离子体处理装置内部件
    等离子体处理装置和等离子体处理装置内部件_东京毅力科创株式会社_202480020244.8
    一种等离子体处理装置，其特征在于：包括等离子体处理装置内部件，所述等离子体处理装置内部件包括气体供给路径和能够形成所述气体供给路径的形成部，在设所述气体供给路径在与所述气体供给路径的长度方向垂直的截面中的代表长度为d1、最长部长度为d2时，...
    2025-11-19
  • 计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置
    计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置_东京毅力科创株式会社_202480020297.X
    本发明提供能够以高精度调整通量参数的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。模拟利用等离子体处理基板的处理装置中的等离子体的状态，从模拟结果获取表示由等离子体引起的粒子入射到基板的状态的通量参数的估计值，使用模拟模型或者学习完毕模型，将获...
    2025-11-19
  • 使用基于硅烷的化学品执行原子层蚀刻
    使用基于硅烷的化学品执行原子层蚀刻_朗姆研究公司_202480023581.2
    所公开的示例涉及使用基于硅烷的挥发性化合物的原子层蚀刻。一示例提出一种用于对衬底执行原子层蚀刻的方法。所述方法包括执行多个原子层蚀刻循环。所述多个原子层蚀刻循环中的原子层蚀刻循环包括：使包括金属氧化物表面的衬底暴露于氟化剂，其中所述金属氧化...
    2025-11-19
  • 基板处理方法及基板处理装置、半导体装置的制造方法及半导体制造装置
    基板处理方法及基板处理装置、半导体装置的制造方法及半导体制造装置_株式会社斯库林集团_202380096107.8
    提供一种基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及半导体制造装置，能够通过抑制或者减少发生膜缺陷而在短时间内高效地将致密性以及保护性能优异的自组装单分子膜成膜于基板表面。本发明的基板处理方法包含：膜形成工序，使包含SAM分子的处理...
    2025-11-19
  • 用于纳米孔湿式清洁的系统以及方法
    用于纳米孔湿式清洁的系统以及方法_应用材料公司_202480022884.2
    示例性半导体处理方法可包括将基板提供到半导体处理腔室的处理区域。所述基板可包括材料的交替叠层。特征可延伸穿过材料的所述交替叠层。材料的所述交替叠层中的一种材料可包括含硅材料。自然氧化物材料可设置在所述含硅材料的暴露表面的至少一部分上。所述方...
    2025-11-19
  • 面板装载平台
    面板装载平台_应用材料公司_202480019614.6
    示例性的半导体部件组装平台包括基架；所述基架具有从第一端延伸到第二端的框架主体。所述部件组装平台包括可移动地连接到所述基架的伸缩架，及可移动地连接到所述伸缩架的部件支撑件。半导体部件组装平台呈现压缩位置和完全延伸位置。在压缩位置中，将所述伸...
    2025-11-19
  • 测量装置和测量方法
    测量装置和测量方法_三星显示有限公司_202380096840.X
    提供了测量装置。测量装置包括：虚拟图像生成单元，用于基于设计图中所示的多个层来生成虚拟图像；参考测量区域确定单元，用于确定要在虚拟图像中测量的参考测量区域；目标测量区域检测单元，用于从包括基于设计图而被图案化的多个层的测量目标中检测与参考测...
    2025-11-19
  • 晶圆检查装置、晶圆检查系统、晶圆检查方法以及程序
    晶圆检查装置、晶圆检查系统、晶圆检查方法以及程序_同和电子科技有限公司_202480020950.2
    高精度地检测蚀刻坑。晶圆检查装置(10)具备：数据输入I/F(11)，其用于获取在蚀刻坑的检测中使用的参数；图像输入I/F(13)，其用于获取晶圆的表面的摄影图像；以及控制部(14)，其基于参数对摄影图像进行分析，并检测在晶圆的表面出现的蚀...
    2025-11-19
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480018146.0
    本发明提供一种高压基板处理装置，其中，包括：内腔，形成为用于容纳待处理基板、和以高于大气压的第一压力供给的反应气体；外腔，具备：外壳，用于容纳所述内腔；以及外门，可在关闭所述外壳的关闭状态和打开所述外壳的打开状态之间移动，所述外腔形成为用于...
    2025-11-19
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480018151.1
    本发明提供一种高压基板处理装置，其包括：内腔，具有用于配置被处理基板的反应空间；外腔，配置为用于容纳所述内腔；供气模块，向所述反应空间以比大气压高的第一压力供应用于处理被处理基板的反应气体，向所述外腔和所述内腔之间的保护空间以与所述第一压力...
    2025-11-19
  • 基板取出方法及基板移送系统
    基板取出方法及基板移送系统_平田机工株式会社_202380095949.1
    本发明提供一种适用于对构成为薄型且收容在间距窄的容纳容器中的基板的应对，且可提高将基板取出时的控制稳定性的基板取出方法及基板移送系统。基板取出方法包含：第一移动工序，使机械手移动，将机械手的延伸设置部从容纳容器的开口部插入到容纳容器内；第一...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480024070.2
    逆导型IGBT(1、2、3、4)的半导体衬底(10)具有配置在集电区层(11)与漂移层(13)之间的n型的缓冲层(12)。缓冲层(12)具有设置于IGBT区域(102)的第一缓冲层(12a)和设置于边界区域(106)的第二缓冲层(12b)。...
    2025-11-19
首页 上一页 14 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证