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最新专利技术
  • 一种具有自愈合特性的辐射探测半导体材料及其制备方法和应用
    一种具有自愈合特性的辐射探测半导体材料及其制备方法和应用_西北工业大学_202510856264.5
    本申请公开了一种具有自愈合特性的辐射探测半导体材料及其制备方法和应用， 具体涉及半导体材料的领域。半导体材料的分子式为Cd1‑xZnxTe1‑ySey；其中， 0＜x≤1， 0≤y≤0.5；半导体材料的电阻率为109‑1011Ω·cm， 电...
    2025-11-21
  • 背接触电池及光伏组件
    背接触电池及光伏组件_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202510857585.7
    本发明公开了一种背接触电池及光伏组件， 背接触电池包括硅衬底， 所述硅衬底包括相对设置的第一表面和第二表面， 所述第二表面上设有隔离分布的第一掺杂结构和第二掺杂结构， 所述第一掺杂结构包括第一掺杂层， 所述第二掺杂结构包括第二掺杂层， 所述...
    2025-11-21
  • CuGaSe2薄膜太阳能电池pn结及其制备方法、CuGaSe2薄膜太阳能电池
    CuGaSe2薄膜太阳能电池pn结及其制备方法、CuGaSe2薄膜太阳能电池_郑州大学_202510953051.4
    本发明涉及一种CuGaSe2薄膜太阳能电池pn结及其制备方法、CuGaSe2薄膜太阳能电池， 属于太阳能电池技术领域。本发明在吸收层和缓冲层之间设置Al2O3原子层能够钝化带电点缺陷， 减少异质界面的缺陷中心， 改善表面缺陷状态， 减小内耗...
    2025-11-21
  • 太阳能电池及其制造方法、叠层电池以及光伏组件
    太阳能电池及其制造方法、叠层电池以及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511287324.2
    本申请涉及光伏技术领域， 提供一种太阳能电池及其制造方法、叠层电池以及光伏组件， 至少有利于提高太阳能电池的效率和良率。太阳能电池包括：电池本体， 电池本体的第一表面包括第一区和第二区， 第一区包括第一部分和第二部分， 第二区包括第三部分和...
    2025-11-21
  • 太阳能电池和光伏组件
    太阳能电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510788541.3
    本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件， 涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：硅基底；半导体层， 半导体层包括：钝化层和掺杂硅层；集电电极， 位于掺杂硅层远离硅基底的一侧；集电电极延伸进入掺杂硅层， 并与掺杂硅层形成欧姆接触， 所述集电电极延伸...
    2025-11-21
  • 一种偏振光电探测器及其制备方法
    一种偏振光电探测器及其制备方法_华中科技大学_202510861889.0
    本发明提供一种偏振光电探测器及其制备方法， 上述偏振光电探测器包括由下至上依次设置的衬底、二维材料层和电极层；电极层包括间隔设置的两个条形电极， 且每一条形电极与二维材料层形成肖特基接触；上述偏振光电探测器中的二维材料层作为电子传输层。间隔...
    2025-11-21
  • 太阳能电池、电池串和光伏组件
    太阳能电池、电池串和光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511001739.9
    本申请提供一种太阳能电池、电池串和光伏组件。太阳能电池包括基体， 基体的正面和背面中的至少之一具有沿第一方向排布的第一银耗区和第二银耗区， 第一银耗区和第二银耗区内均设有多条细栅， 多条细栅沿第一方向间隔布置， 且每条细栅沿与第一方向垂直的...
    2025-11-21
  • 一种具有特定金属电极结构的背接触电池和电池组件
    一种具有特定金属电极结构的背接触电池和电池组件_福建金石能源有限公司_202511293644.9
    本发明属于背接触电池技术领域， 具体涉及一种具有特定金属电极结构的背接触电池和电池组件， 包括：在第一半导体区外表面设置的第一宽细栅电极， 在第二半导体区外表面设置的第二窄细栅电极， 第一主栅电极、第二主栅电极， 以及绝缘块；其中， 第一宽...
    2025-11-21
  • 太阳能电池、电池组件和光伏系统
    太阳能电池、电池组件和光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202511317822.7
    本申请适用于太阳能电池技术领域， 提供了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括：硅基底， 包括背面、正面和侧部， 侧部连接背面和正面；若干栅线， 包括若干第一极性栅线和若干第二极性栅线， 第一极性栅线设于背面， 第二极性栅线设于...
    2025-11-21
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510805798.5
    本发明公开一种背接触电池和光伏组件， 涉及光伏技术领域， 以使第一介质钝化层对第一掺杂半导体部具有较高的场钝化和化学钝化效果， 同时降低第二介质钝化层对第二掺杂半导体部的场钝化影响。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部、第二掺杂半导体...
    2025-11-21
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510821949.6
    本发明公开一种背接触电池和光伏组件， 涉及光伏技术领域， 以使第一介质钝化层对第一掺杂半导体部具有较高的场钝化和化学钝化效果， 同时降低第二介质钝化层对第二掺杂半导体部的场钝化影响。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部、第二掺杂半导体...
    2025-11-21
  • 一种光伏电池及其制备方法
    一种光伏电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202510915075.0
    本发明提供了一种光伏电池及其制备方法， 涉及光伏技术领域， 以解决光伏电池的光电转化效率低的技术问题。光伏电池包括衬底， 衬底具有第一表面， 第一表面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第三区域；第一区域上沿远离衬底的方向...
    2025-11-21
  • 电池发射极复合膜层结构及其制备方法和在制备太阳能电池中的应用
    电池发射极复合膜层结构及其制备方法和在制备太阳能电池中的应用_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511115107.5
    本发明提供了一种电池发射极复合膜层结构及其制备方法和在制备太阳能电池中的应用， 涉及太阳能电池的技术领域， 所述电池发射极复合膜层结构包括：在硅基体背面依次层叠设置的第一隧穿氧化层、第一多晶硅层、轻掺多晶硅层、第二多晶硅层、第二隧穿氧化层、...
    2025-11-21
  • 一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法
    一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法_浙江晶科能源有限公司_202511199960.X
    一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法， 属于光伏技术领域， 太阳能电池片至少包括衬底、隧穿氧化层、氧化锡层和掺杂多晶硅层， 沿衬底的厚度方向， 隧穿氧化层设置于衬底的表面， 氧化锡层设置于隧穿氧化层的表面， 掺杂多晶硅层设置于氧化锡层的...
    2025-11-21
  • 一种双波段增透硒化锌金属化光窗及其制备方法
    一种双波段增透硒化锌金属化光窗及其制备方法_上海米蜂激光科技有限公司_202511262243.7
    本发明涉及一种双波段增透硒化锌金属化光窗及其制备方法， 包括正面膜系、硒化锌基片、背面膜系和边缘金属化膜， 所述硒化锌基片位于所述正面膜系和背面膜系之间， 所述边缘金属化膜位于所述硒化锌基片两端；所述正面膜系和背面膜系均由硫化锌层和氟化镱膜...
    2025-11-21
  • 一种基于微流道散热的激光电池组件
    一种基于微流道散热的激光电池组件_上海空间电源研究所_202510833139.2
    本发明公开了一种基于微流道散热的激光电池组件， 其包括：激光电池阵列， 其由多个贴在基板上的激光电池单体组成；保护层， 其固定盖设在所述激光电池阵列的上方；微流道散热器， 其设置所述激光电池阵列的下方， 且朝向所述激光电池阵列的第一面与所述...
    2025-11-21
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510822000.8
    本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件， 属于半导体技术领域。该太阳能电池包括硅衬底， 其中硅衬底的表面包括：多个第一凹陷区， 各自沿第一方向延伸成条状， 且沿与所述第一方向相交的第二方向间隔分布；以及， 多个第一凸起区， 所述第一凸起区邻接...
    2025-11-21
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511005836.5
    本发明公开一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池可包括：电池基体， 电池基体的主表面分布有线痕区域和非线痕区域；分布于线痕区域且向电池基体内凹的第一塔基；分布于线痕区域的第一塔基内且向电池基体内凹的第二塔基， 其中， 第二塔基的尺寸小于第一...
    2025-11-21
  • 一种贴片灯珠封装装置
    一种贴片灯珠封装装置_江西华雕照明电器有限公司_202510714435.0
    本发明提供一种贴片灯珠封装装置， 涉及灯珠封装技术领域， 包括机台、放料盘、滴胶模组， 传动模组以及擦拭模组；放料盘滑动连接在机台上， 滴胶模组升降设置在放料盘的往复运动轨迹内， 滴胶模组包括多个间隔设置的滴胶头， 以及支架；传动模组包括导...
    2025-11-21
  • 一种钼衬底的垂直LED芯片及其制备方法
    一种钼衬底的垂直LED芯片及其制备方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202510939281.5
    本发明公开了一种钼衬底的垂直LED芯片及其制备方法， 涉及半导体照明技术领域， 制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上成型发光结构， 获得第一晶圆片；在钼衬底的背面上依次蒸镀Cu层、Ti层、Pt层和Au层组成背金保护结构层；将第一晶圆片和钼衬...
    2025-11-21
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