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最新专利技术
  • 一种深孔类零件电镀挂具及电镀方法
    一种深孔类零件电镀挂具及电镀方法_中国航发航空科技股份有限公司_202511003318.X
    本发明提供了一种深孔类零件电镀挂具， 属于表面处理技术领域， 所述挂具包括在电镀过程中挂在阴极导电棒上的挂钩、起到辅助作用的辅助阳极以及套设在辅助阳极外并与挂钩固定的绝缘套管， 所述辅助阳极通过导电铜丝与镀槽上的阳极导电铜棒连接。该深孔类零...
    2025-12-05
  • 一种挂料装置及挂料方法
    一种挂料装置及挂料方法_华声电子科技(昆山)有限公司_202511179001.1
    本发明涉及一种挂料装置及挂料方法， 包括：移料组件， 包括移料座， 移料座包括移料空间；推料组件， 包括第一推料件， 第一推料件的推料端能够伸入移料座的移料空间；送料组件， 包括送料座和送料机构， 送料座包括压板和支撑板， 压板和支撑板的相...
    2025-12-05
  • 一种自动翻转式汽车内饰件镀铬设备及工艺
    一种自动翻转式汽车内饰件镀铬设备及工艺_宁波奉化金盛镀业有限公司_202511254866.X
    本发明公开了一种自动翻转式汽车内饰件镀铬设备及工艺， 其中， 所述镀铬设备包括镀铬箱、翻转机构和支撑结构；翻转机构包括翻转框， 翻转框的两端均设置有转轴；支撑结构包括两个支撑组件和两个分离结构， 两个支撑组件分别设置在翻转框的两侧， 支撑组...
    2025-12-05
  • 均质化离心电镀装置
    均质化离心电镀装置_台湾 中国探针股份有限公司_202410278437.5
    本发明公开了一种均质化离心电镀装置， 包括一绝缘容器、一旋转动力源、一电镀区、一离子交换区及一搅拌棒， 用来电镀管件、弹簧或针轴被镀物件。其中该绝缘容器以盛装一电镀溶液， 该旋转动力源具有一旋转轴以延伸穿入该绝缘容器内部， 该电镀区设于该绝...
    2025-12-05
  • 一种金刚线生产用镀镍砂表面处理工艺
    一种金刚线生产用镀镍砂表面处理工艺_长沙岱勒新材料科技股份有限公司_202510913448.0
    本发明提供一种金刚线生产用镀镍砂表面处理工艺， 属于金刚线生产技术领域， 镀镍砂表面处理工艺包括以下步骤：S1、羟基化处理：通过双氧水对镀镍砂表面进行羟基化处理；S2、表面活化：通过聚季铵盐型阳离子分散剂进行表面活化。本发明通过对镀镍砂表面...
    2025-12-05
  • 一种获得耐磨耐蚀钛合金工件的表面处理工艺
    一种获得耐磨耐蚀钛合金工件的表面处理工艺_宝鸡拓普达钛业有限公司_202511135352.2
    本申请涉及钛合金表面处理技术领域， 具体涉及一种获得耐磨耐蚀钛合金工件的表面处理工艺， 该工艺包括：对钛合金工件进行喷砂处理后， 将其作为阴极放置在电化学混合液中去除油膜， 水洗后进行氢化；将氢化后的钛合金工件进行浸镍处理后， 作为阴极进行...
    2025-12-05
  • 一种电解抛光卡具和电解抛光挂具
    一种电解抛光卡具和电解抛光挂具_星奇(上海)半导体有限公司_202511256381.4
    本发明公开了一种电解抛光卡具和电解抛光挂具， 所述电解抛光卡具包括至少三支撑部和至少一固定部；至少三支撑部的固定端间隔设置且被固定， 其自由端上均设有沿自身周向开设的凹槽；固定部包括平直段、第一弯折段和第二弯折段， 平直段和支撑部的延伸趋势...
    2025-12-05
  • 一种用于单晶生长的高效换热器
    一种用于单晶生长的高效换热器_云南美科新能源发展有限公司_202510876079.2
    本发明涉及单晶换热器技术领域， 具体涉及一种用于单晶生长的高效换热器， 包括炉体和坩埚本体， 坩埚本体可转动的安装于炉体内， 还包括换热组件， 换热组件包括壳体和换热管， 壳体顶部与炉体顶壁固定连接， 壳体位于坩埚本体上方以及晶棒外围， 壳...
    2025-12-05
  • 一种降低单晶炉拉晶功耗的方法
    一种降低单晶炉拉晶功耗的方法_云南美科新能源发展有限公司_202510880753.4
    本发明涉及单晶硅制造技术领域， 具体涉及一种降低单晶炉拉晶功耗的方法， 包括以下步骤：使氧气填充单晶炉空腔；使单晶炉底部的抽空装置， 对单晶炉空腔进行抽空工序， 空腔内形成负压状态；单晶炉到达真空后， 抽空工序停止， 利用隔离阀对单晶炉空腔...
    2025-12-05
  • 一种加料装置及用于向拉晶炉加料的加料方法
    一种加料装置及用于向拉晶炉加料的加料方法_上海新昇半导体科技有限公司_202510913428.3
    本发明提供了一种加料装置及用于向拉晶炉加料的加料方法， 加料装置具有第一端和第二端；封堵件设在第二端， 并包括第一封堵部和第二封堵部；第二封堵部至少部分地设在料管内， 并具有内孔；在垂直于料管的轴向的平面上， 内孔的投影在料管的投影的内侧；...
    2025-12-05
  • 一种加料装置及用于向拉晶炉加料的加料方法
    一种加料装置及用于向拉晶炉加料的加料方法_上海新昇半导体科技有限公司_202510913436.8
    本发明提供了一种加料装置及用于向拉晶炉加料的加料方法， 加料装置包括料管、遮挡件、控制件， 料管包括主管和防护管；防护管同轴套设在主管的部分外侧面， 并与主管可拆卸连接；防护管的一端位于主管的中部、另一端远离主管；遮挡件套设在防护管远离主管...
    2025-12-05
  • 一种单晶硅用高效掺杂剂制备方法及其掺杂工艺
    一种单晶硅用高效掺杂剂制备方法及其掺杂工艺_江西省科学院应用物理研究所_202510916230.0
    本发明属于掺杂剂合成技术领域， 具体是指一种单晶硅用高效掺杂剂制备方法及其掺杂工艺， 通过选取扩散促进剂来提高掺杂剂在整个单晶的制备过程的扩散， 通过表面活化处理， 提高掺杂剂的表面化学性能， 同时表面活化剂的阴离子可以与单晶硅当中的氧发生...
    2025-12-05
  • 一种单晶炉掺杂装置、单晶炉及掺杂方法
    一种单晶炉掺杂装置、单晶炉及掺杂方法_鄂尔多斯市中成榆能源有限公司_202511189866.6
    本发明公开了一种单晶炉掺杂装置、单晶炉及掺杂方法， 属于单晶生长所用装置领域；本发明单晶炉掺杂装置中盛料容器顶部设置连接部；组装时， 连接部穿过隔离罩顶部的连接通孔， 连接部上设置连接结构， 连接后的盛料容器悬挂在隔离罩的容纳腔内部；这种连...
    2025-12-05
  • 一种单晶炉感应加热器
    一种单晶炉感应加热器_包头美科硅能源有限公司_202511109845.9
    本发明公开了一种单晶炉感应加热器, 其特征在于， 包括溶体、石英坩埚、埚帮、感应加热器线圈、埚心、托杆及炉底盘；所述溶体承载于所述石英坩埚中， 所述石英坩埚承载于所述埚帮中， 所述埚帮上设有所述埚心， 所述感应加热器线圈设置安装在所述埚帮外...
    2025-12-05
  • 单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池
    单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池_青海晶科能源有限公司_202510897865.0
    本申请实施例涉及光伏领域， 提供一种单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池。该方法包括：获取坩埚内熔体的轴向温度梯度、径向温度梯度以及剩料率；根据轴向温度梯度、径向温度梯度以及剩料率， 确定晶棒的当前生长阶段， 当前生长阶段包括以下之一：自然...
    2025-12-05
  • 一种可动态调节温度梯度分布的碳化硅晶体生长用热场结构
    一种可动态调节温度梯度分布的碳化硅晶体生长用热场结构_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202510923524.6
    本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域， 尤其是涉及一种可动态调节温度梯度分布的碳化硅晶体生长用热场结构， 其包括多层保温组件、坩埚及动态调节机构。保温筒采用双层设计， 外层套筒可轴向移动， 内筒上下部分直径渐变， 结合热场升降功能实现温度梯度精...
    2025-12-05
  • 一种含ZnTe缓冲层的碲锌镉薄膜及其制备方法和应用
    一种含ZnTe缓冲层的碲锌镉薄膜及其制备方法和应用_江西铜业集团有限公司_202510807941.4
    本发明属于半导体材料制备技术领域， 具体公开一种含ZnTe缓冲层的碲锌镉薄膜及其制备方法和应用。本发明分别以ZnTe多晶片和碲锌镉多晶片作为蒸发源， 同时将两个蒸发源置于近空间升华炉的腔体内部， 在不需要开炉腔破坏真空条件的情况下， 连续依...
    2025-12-05
  • 一种二维非层状晶体的制备方法
    一种二维非层状晶体的制备方法_天津理工大学_202510877829.8
    本发明公开了一种二维非层状晶体的制备方法， 将目标产物TiO2， CdS和PbS的原料粉末与助溶剂粉末混合均匀作为反应原料， 以硅片或蓝宝石作为衬底， 将反应原料夹在两片衬底之间， 放入CVD管式炉装置使反应原料充分反应， 在衬底上制备获得...
    2025-12-05
  • 一种提高金刚石单晶晶体质量的方法
    一种提高金刚石单晶晶体质量的方法_无锡光钻半导体科技有限公司_202510940387.7
    本发明公开了一种提高金刚石单晶晶体质量的方法， 本发明涉及金刚石制备技术领域， 包括设定MPCVD基础生长参数， 建立初始温度场， 引入动态温度调制机制， 通过温度波动程序打破静态温度场局限性， 本发明的优点在于：通过动态温度调制机制引入周...
    2025-12-05
  • 一种碳化硅外延生长用加热器
    一种碳化硅外延生长用加热器_中矽高温材料(泰州)有限公司_202510976587.8
    本发明涉及碳化硅外延加热领域， 具体的说是指一种碳化硅外延生长用加热器， 包括外延加热管及活动套接在外延加热管内侧壁面上的碳化硅加热限位架， 所述外延加热管的两侧表面上设置有液压杆， 所述液压杆的输出端上固定连接有弧形隔温板， 所述弧形隔温...
    2025-12-05
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