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最新专利技术
  • 一种封装体冷却装置
    一种封装体冷却装置_华为技术有限公司_202311818356.1
    本申请涉及冷却设备技术领域，尤其涉及一种封装体冷却装置。封装体冷却装置包括基板、射流结构和阻挡结构，基板包括安装面，安装面用于安装热源，射流结构用于向该热源喷射冷媒，射流结构的喷射范围在基板的投影将热源覆盖；阻挡结构设置于射流结构喷射出的冷...
    2025-08-14
  • 晶圆的分离方法
    晶圆的分离方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311804758.6
    本发明公开的晶圆的分离方法包括：对晶圆的预定区域进行离子刻蚀以形成分离沟道；以及对所述分离沟道进行激光烧蚀，使所述分离沟道的深度增大直至所述晶圆沿所述分离沟道被分离。该成本低、操作简单、且可避免机械切割引起的过大应力，减少晶圆崩边的发生，从...
    2025-08-14
  • 半导体器件硅通孔的形成方法及半导体器件
    半导体器件硅通孔的形成方法及半导体器件_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311815374.4
    本发明提供一种半导体器件硅通孔的形成方法及半导体器件，包括：提供衬底，在衬底上形成层间介质层，层间介质层包括交替层叠的扩散阻挡层和低介电常数材料层；刻蚀层间介质层并停止在衬底上以形成第一通孔；刻蚀各扩散阻挡层以形成横向沟槽；在第一通孔的侧壁...
    2025-08-14
  • 芯片及其制造方法、数字隔离器
    芯片及其制造方法、数字隔离器_杰平方半导体(上海)有限公司_202311814323.X
    本发明公开了一种芯片及其制造方法、数字隔离器，属于集成电路技术领域，该芯片的制造方法，包括：提供衬底和介质层、第一金属互连结构、第二金属互连结构，第一金属互连结构的顶部还连接有下极板；在介质层的顶面形成具有所需厚度的绝缘材料层，且绝缘材料层...
    2025-08-14
  • 浅沟槽隔离结构和半导体器件的形成方法
    浅沟槽隔离结构和半导体器件的形成方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311816441.4
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构和半导体器件的形成方法，在初始隔离层进行回刻蚀时，由于第二浅沟槽的宽度大于第一浅沟槽的宽度，且初始隔离层的横向刻蚀速率大于或者等于纵向刻蚀速率，并且由于第二浅沟槽中的初始隔离层的顶表面的最高处到硬掩膜层的顶表面的...
    2025-08-14
  • 用于基板卡盘的基板夹持装置及调试其的工装和方法
    用于基板卡盘的基板夹持装置及调试其的工装和方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202311811775.2
    本申请提供了一种用于基板卡盘的基板夹持装置及调试其的工装和方法。该基板夹持装置包括安装座、定位部、驱动部和夹持部，其中，安装座用于将基板夹持装置固定至基板卡盘；定位部用于设置在凹槽中，定位部包括锁紧件、第一推杆和第二推杆，第一推杆和第二推杆...
    2025-08-14
  • 一种转接组件及晶圆传输平台
    一种转接组件及晶圆传输平台_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311822641.0
    本发明公开了一种转接组件及晶圆传输平台，包括动板、定板、可伸缩连接件和连杆结构，动板和定板二者中的一个与晶圆传输平台主体连接，二者中的另一个与双腔设备或者单腔设备连接；可伸缩连接件的一端与动板连接，可伸缩连接件的另一端与定板连接，以调节动板...
    2025-08-14
  • 晶圆打标方法、装置及晶圆打标机
    晶圆打标方法、装置及晶圆打标机_江苏卓胜微电子股份有限公司_202311822903.3
    本申请公开了一种晶圆打标方法、装置及晶圆打标机，属于半导体技术领域。该方法包括：向待打标晶圆发射探测光束，并接收所述待打标晶圆反射的反射光束，所述待打标晶圆包括预留打标区域和器件区域，所述探测光束的照射区域的面积小于所述预留打标区域的面积；...
    2025-08-14
  • 一种加热装置及其等离子处理装置
    一种加热装置及其等离子处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311814980.4
    本发明公开了一种加热装置及其等离子处理装置，该加热装置包含：一加热器基体，加热器基体中设置有多个水平方向分布的加热元件以加热加热器基体上方不同区域；多组由N个互相串联的加热元件构成的第一加热元件组；多组由M个加热元件构成的第二加热元件组，其...
    2025-08-14
  • 工件台及半导体工艺设备
    工件台及半导体工艺设备_深圳熠炽科技有限公司_202311814173.2
    一种工件台及半导体工艺设备，包括：基板，具有相对的第一面和第二面，所述第一面用于承载待加工工件；所述基板包括：两两拼接的多个部件，所述多个部件的导热系数不同；其中，对于所述多个部件中任意相邻的两个部件，所述两个部件的拼接面的曲面形状贴合预设...
    2025-08-14
  • 传片腔室、半导体工艺设备及校准晶圆的方法
    传片腔室、半导体工艺设备及校准晶圆的方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202311811197.2
    本申请提供一种传片腔室、半导体工艺设备及校准晶圆的方法，该传片腔室包括：腔体、第一承载板、第二承载板、驱动机构和止挡件；第一承载板和第二承载板相对设置于腔体的内部，第一承载板和第二承载板用于承载晶圆；驱动机构与第二承载板连接，用于驱动第二承...
    2025-08-14
  • 半导体基体的表面处理方法
    半导体基体的表面处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311804491.0
    本发明的半导体基体的表面处理方法包括：在半导体基体的表面上形成第一高分子层；在所述第一高分子层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二高分子层；以及在所述第二高分子层上形成第二金属层。该方法简单高效，能够在保持半导体基体的电学性能的同时...
    2025-08-14
  • 半导体结构表面的聚酰亚胺层的去除方法及返工方法
    半导体结构表面的聚酰亚胺层的去除方法及返工方法_无锡华润上华科技有限公司_202311835196.1
    本申请涉及一种半导体结构表面的聚酰亚胺层的去除方法及聚酰亚胺层的返工方法。聚酰亚胺层的去除方法包括：采用第一等离子体工艺对所述聚酰亚胺层进行第一去除；采用有机溶液对所述聚酰亚胺层进行第二去除。如此，一方面可以保证聚酰亚胺层的去除率较高，提高...
    2025-08-14
  • 修复长形条形变的方法
    修复长形条形变的方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311801587.1
    本发明的修复长形条形变的方法包括：长形条由对接的两玻璃基板夹持，所述长形条通过紫外减粘剂将粘接在所述玻璃基板上；对所述长形条及所述玻璃基板进行第一次紫外光照射；对所述长形条及所述玻璃基板进行超声波震荡处理；以及对所述长形条及所述玻璃基板进行...
    2025-08-14
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_达尔科技股份有限公司_202311802660.7
    本发明提供了一种半导体结构的制造方法。所述半导体结构的制造方法包括在半导体衬底上方形成磊晶层；在所述磊晶层上方形成第一图案化硬掩膜；通过所述第一图案化硬掩膜进行第一注入工艺，以在所述磊晶层中形成第一掺杂区；通过所述第一图案化硬掩膜进行第二注...
    2025-08-14
  • 串联离子迁移谱仪及离子迁移率分析方法
    串联离子迁移谱仪及离子迁移率分析方法_株式会社岛津制作所_202311822719.9
    本发明涉及离子迁移率分析领域，具体提供了一种串联离子迁移谱仪和离子迁移率分析方法，其中，串联离子迁移谱仪通过在UMA的基础结构中增设离子解离装置，可以实现对目标迁移率范围内的离子以及该离子解离后的碎片离子的离子迁移谱分析，分辨率更高。并且将...
    2025-08-14
  • 一种上部进气匀气结构及等离子刻蚀机
    一种上部进气匀气结构及等离子刻蚀机_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311839844.0
    本发明公开了一种上部进气匀气结构及等离子刻蚀机，包括中心进气组件和边缘进气组件，其中，所述中心进气组件形成多条中心喷气通路，所述边缘进气组件形成多条边缘喷气通路，多条所述边缘喷气通路围绕所述中心喷气通路布置。与现有技术相比向等离子体反应腔室...
    2025-08-14
  • 一种中心进气匀气结构及等离子刻蚀机
    一种中心进气匀气结构及等离子刻蚀机_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311835169.4
    本发明公开了一种中心进气匀气结构及等离子刻蚀机，包括中心进气盘和中心匀气盘，其中，中心进气盘与中心匀气盘形成中心喷气通路和多条边缘喷气通路，多条边缘喷气通路围绕中心喷气通路布置。本发明的中心进气匀气结构包括中心喷气通路和多条边缘喷气通路，通...
    2025-08-14
  • 电极板结构及离子束刻蚀系统
    电极板结构及离子束刻蚀系统_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311820933.0
    本发明提供一种电极板结构及离子束刻蚀系统，其中电极板结构包括：载片台，可绕所述载片台的中心轴旋转；位于所述载片台内的多个相互独立温度区，多个所述温度区以所述载片台的中心轴呈同心圆形式分布；与各所述温度区连接的调测温装置，用于分别调节各所述温...
    2025-08-14
  • 一种边缘进气匀气结构及等离子刻蚀机
    一种边缘进气匀气结构及等离子刻蚀机_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311819891.9
    本发明公开了一种边缘进气匀气结构及等离子刻蚀机，包括气槽板，多个呈环状布置的匀气喷嘴，以及驱动匀气喷嘴围绕自身轴线转动的驱动组件，其中，气槽板连通边缘气源和匀气喷嘴；边缘气源通过气槽板设置的进气气路向匀气喷嘴的多条喷气气路提供稳定的工艺气体...
    2025-08-14
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