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  • 本发明涉及去污剂浓度测试领域,尤其是一种柠檬酸体系化学去污剂浓度测试方法及测试装置,其中,柠檬酸体系化学去污剂浓度测试方法包括去除去污剂中的铁离子,测试去污剂中柠檬酸总浓度;测试去污剂中和铁离子络合的柠檬酸浓度;去污剂中柠檬酸的总浓度减去和...
  • 本发明公开了一种枝联矩阵气氛箱互联表征测试大装置,包括气氛箱单元、枝联矩阵互联系统、中央控制系统、惰性气体循环系统、安全监测系统和表征测试模块。通过枝联矩阵互联系统实现多个气氛箱单元之间的物料传递和气氛共享,同时集成物理和化学的表征测试功能...
  • 本发明属于链轮校正领域,具体涉及一种链轮激光找正工艺及装置。本发明装置包括:激光发射器;激光发射器设置在曲轴链轮的端面一侧;激光接收器;激光接收器设置在待校正的目标轮的端面一侧;连接接收器一端连接有数据线;数据线的另一端连接有操纵显示器;通...
  • 申请涉及轴流风机领域,具体公开了一种智能化轴流风机,其包括外壳;支撑组件,设于外壳的下端,用于对外壳起支撑;驱动机构,设于外壳内;降噪组件,设于外壳上;控制组件,用于控制驱动机构的运行;驱动机构包括设于外壳内的放置架、设于放置架上设于安装座...
  • 本发明涉及一种带牛腿的混凝土钢骨组合梁以及与楼板的连接节点,组合梁内的H型钢的腹板上开设两排穿筋孔,钢筋穿过两排穿筋孔并焊接成闭合箍筋作为牛腿箍筋,牛腿箍筋的宽度大于H型钢翼缘的宽度,上、下翼缘之间用连杆钢筋固定连接,垂直于连杆钢筋沿梁长度...
  • 本发明公开了一种具备标线数字化功能的道路标线机系统及其工作方法,其中,道路标线机系统包括道路标线数字化单元,用于确定目标道路标线的基本信息,并根据目标道路标线的基本信息发出目标道路标线的关键点采集指令,同时存储目标道路标线的基本信息和关键点...
  • 本发明提供了一种免热处理的Al‑Si‑Zn系压铸铝合金材料、其制备方法和铝合金结构件,通过该铝合金成分配比可以取消铝合金零件的热处理工序,同时提高铝合金的力学性能,降低原材料成本。以所述铝合金的总重量为标准,铝合金中各元素含量的质量百分比如...
  • 本发明属于微生物技术领域,公开了一株嗜根考克氏菌及其应用。本发明从盐碱滩小花棘豆植株根部分离得到一株嗜根考克氏菌,所述嗜根考克氏菌保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,保藏编号为CGMCC NO.33694。该菌株具有在盐碱环境...
  • 本发明涉及防腐涂料技术领域,公开了一种基于聚氨酯丙烯酸乳液的水性涂层及其制备方法。本发明中水性涂层包括A组分和B组分,其中,A组分按重量份计包括以下原料:改性丙烯酸树脂50‑70份,消泡剂0.3‑0.6份,分散剂0.5‑1.5份,成膜助剂3...
  • 本发明涉及一种锝[99mTc]标记的氘代托品烷衍生物及其应用,属于核医学技术领域。本发明提供了一种锝[99mTc]标记的氘代托品烷衍生物,此锝[99mTc]标记的氘代托品烷衍...
  • 本发明涉及生物医药技术,公开了一种氯喹脂质及其制备方法和应用以及含有氯喹脂质的脂质纳米颗粒。所述氯喹脂质由氯喹类物质与环氧烷烃经开环反应合成,所述氯喹类物质选自氯喹、羟氯喹、氯喹衍生物和羟氯喹衍生物中的至少一种。脂质纳米颗粒含有如前所述的氯...
  • 本申请公开了一种补锂添加剂及其制备方法和应用。补锂添加剂包括亚磺酸锂化合物,且该亚磺酸锂化合物含有吸电子基团。补锂添加剂中亚磺酸锂化合物所含的吸电子基团能够有效改变硫原子周围的电子云分布,赋予亚磺酸锂化合物较高的补锂容量;同时吸电子基团的存...
  • 本发明涉及有机合成技术领域,具体为1‑氯‑3,3,3‑三氟丙烯的合成方法,包括S1、首先将有机原料HCC‑240fa经计量后进入预热器,与无水氢氟酸(HF)混合;S2、其次将HCC‑240fa和无水氢氟酸混合后形成的HFC‑245fa通过预...
  • 本发明公开了一种防开裂混凝土漂浮式风机平台制作方法,该方法是在压载舱侧壁、主柱侧壁及浮筒侧壁分别绑扎钢筋且各钢筋相连,进行混凝土浇筑一体成型,并保证整体结构壁厚至少50cm;在主柱的侧壁内且沿着主柱圆周方向均布预埋有两组干舱钢绞线群,使主柱...
  • 一种消防车四轮转向机构的控制方法及系统,包括:S1:接收方向盘转动角度,并转化为输入信号;S2:根据输入信号采用PID控制器来将方向盘转动角度信号转化为转向驱动信号;S3:采用机械传递函数模型对转向驱动信号进行动态特性差异补偿,获得电机在未...
  • 本发明涉及一种双氟磺酰亚胺锂浆料洗涤装置。该双氟磺酰亚胺锂浆料洗涤装置包括:壳体,顶部设有洗涤剂注入管和浆料注入管,洗涤剂注入管和浆料注入管的末端分别设有启闭阀门,底部设有过滤盘;搅拌机构,包括贯穿壳体上端的搅拌轴、固定在搅拌轴上的搅拌叶轮...
  • 公开了一种半导体器件及其制造方法。根据实施例,半导体器件可以包括:衬底、埋氧层、包括半导体层的沟道部、源部/漏部以及栅堆叠。半导体层中包括相互间隔分开并在投影方向上重叠分布的壳部和芯部,壳部在芯部之上,壳部和芯部分别进行p型掺杂、n型掺杂的...
  • 公开了一种半导体器件及其制造方法。根据实施例,半导体器件可以包括:衬底;衬底上的栅堆叠;以及衬底上栅堆叠相对两侧的源/漏层,其中,栅堆叠和源/漏层中至少之一具有如下形貌:在底面与侧壁之间形成锐角。
  • 公开了一种半导体器件及其制造方法。根据实施例,半导体器件可以包括:衬底、所述衬底上的埋氧层、包括半导体层的沟道部、源部/漏部以及栅堆叠。半导体层中包括相互间隔分开并在投影方向上重叠分布的壳部和芯部,壳部和芯部分别进行p型掺杂、n型掺杂的一种...
  • 公开了一种半导体器件及其制造方法。根据实施例,半导体器件可以包括:沟道部,包括彼此叠置的芯层和壳层,其中,芯层具有第一掺杂类型,壳层具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型;沟道部相对两侧的源/漏部,其中,源/漏部具有第一掺杂类型;以及沟道部上...
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