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最新专利技术
  • 一种二维碳片负载纳米晶的复合材料及其制备方法和应用
    一种二维碳片负载纳米晶的复合材料及其制备方法和应用_宝武碳业科技股份有限公司_202311800027.4
    本发明公开了一种二维碳片负载纳米晶的复合材料及其制备方法和应用，包括以下步骤：S1，配置溶液，将模板剂、含碳阴离子剂、金属盐溶解在溶剂中，搅拌使之充分溶解后获得混合溶液；S2，一锅法，将所述混合溶液置于高压反应釜中，在高温条件下，溶液中的含...
    2025-08-12
  • 一种低残碱锂硅氧复合材料及其制备方法和锂离子电池
    一种低残碱锂硅氧复合材料及其制备方法和锂离子电池_宝武碳业科技股份有限公司_202311800020.2
    本发明公开了一种低残碱锂硅氧复合材料及其制备方法和锂离子电池，其中制备方法包括以下步骤：S1，在含碳气源环境下对硅氧化物进行CVD处理，获得表面包覆碳层的硅氧化物；S2，将所述表面包覆碳层的硅氧化物与含锂化物混合后，在惰性气氛中煅烧，获得含...
    2025-08-12
  • 测试结构、测试结构版图以及测试方法
    测试结构、测试结构版图以及测试方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311819320.5
    一种测试结构、测试结构版图以及测试方法，测试结构包括基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂层；插塞，位于源漏掺杂层上且与源漏掺杂层电连接，或者，位于栅极结构上且与栅极结构电连接，电连接同一源漏掺杂层或栅极结构的插塞为...
    2025-08-12
  • 测试结构及测试方法
    测试结构及测试方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311817094.7
    一种测试结构及测试方法，结构包括：基底；二维材料沟道层，悬置于基底的上方；叠层栅极结构，位于基底的上方，叠层栅极结构包括覆盖二维材料沟道层部分底面的底层栅极结构，以及覆盖二维材料沟道层部分顶面的顶层栅极结构；漏区，位于叠层栅极结构一侧的二维...
    2025-08-12
  • 测试结构、测试方法、以及测试结构版图
    测试结构、测试方法、以及测试结构版图_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311816985.0
    一种测试结构、测试方法、以及测试结构版图。测试结构包括基底；基底上方的第一互连层，包括第一子互连层、第二子互连层、以及与第二子互连层紧邻设置的第三子互连层；第一互连层上方的第二互连层，包括第一信号线、第二信号线和测试线；位于第一互连层和第二...
    2025-08-12
  • 一种测试结构及测试方法
    一种测试结构及测试方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311814551.7
    本发明提供一种测试结构及测试方法，可以监控离子注入的光刻过程中是否有基脚缺陷的产生，通过监控测试结构内电性的漂移定位是否有基脚缺陷的问题，并可以进行基脚缺陷产生原因的解耦。
    2025-08-12
  • 一种堆叠封装结构及其形成方法
    一种堆叠封装结构及其形成方法_华为技术有限公司_202311819178.4
    本申请涉及芯片技术领域，尤其涉及一种堆叠封装结构及其形成方法，堆叠封装结构包括依次堆叠的第一重分布层RDL、整平层和晶片粘结薄膜DAF；所述整平层包括靠近所述第一RDL的第一表面，和，远离所述第一RDL的第二表面；其中，所述第一RDL的第一...
    2025-08-12
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202311825404.X
    本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括第一衬底和互连结构。第一衬底具有第一面以及与第一面相对的第二面，第一面具有第一接触垫，第二面具有第二接触垫。互连结构位于第一衬底中，连接第一接触垫和第二接触垫。互连结构包括：位于第一介质...
    2025-08-12
  • 一种封装体冷却装置
    一种封装体冷却装置_华为技术有限公司_202311818356.1
    本申请涉及冷却设备技术领域，尤其涉及一种封装体冷却装置。封装体冷却装置包括基板、射流结构和阻挡结构，基板包括安装面，安装面用于安装热源，射流结构用于向该热源喷射冷媒，射流结构的喷射范围在基板的投影将热源覆盖；阻挡结构设置于射流结构喷射出的冷...
    2025-08-12
  • 晶圆的分离方法
    晶圆的分离方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311804758.6
    本发明公开的晶圆的分离方法包括：对晶圆的预定区域进行离子刻蚀以形成分离沟道；以及对所述分离沟道进行激光烧蚀，使所述分离沟道的深度增大直至所述晶圆沿所述分离沟道被分离。该成本低、操作简单、且可避免机械切割引起的过大应力，减少晶圆崩边的发生，从...
    2025-08-12
  • 半导体器件硅通孔的形成方法及半导体器件
    半导体器件硅通孔的形成方法及半导体器件_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311815374.4
    本发明提供一种半导体器件硅通孔的形成方法及半导体器件，包括：提供衬底，在衬底上形成层间介质层，层间介质层包括交替层叠的扩散阻挡层和低介电常数材料层；刻蚀层间介质层并停止在衬底上以形成第一通孔；刻蚀各扩散阻挡层以形成横向沟槽；在第一通孔的侧壁...
    2025-08-12
  • 芯片及其制造方法、数字隔离器
    芯片及其制造方法、数字隔离器_杰平方半导体(上海)有限公司_202311814323.X
    本发明公开了一种芯片及其制造方法、数字隔离器，属于集成电路技术领域，该芯片的制造方法，包括：提供衬底和介质层、第一金属互连结构、第二金属互连结构，第一金属互连结构的顶部还连接有下极板；在介质层的顶面形成具有所需厚度的绝缘材料层，且绝缘材料层...
    2025-08-12
  • 浅沟槽隔离结构和半导体器件的形成方法
    浅沟槽隔离结构和半导体器件的形成方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311816441.4
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构和半导体器件的形成方法，在初始隔离层进行回刻蚀时，由于第二浅沟槽的宽度大于第一浅沟槽的宽度，且初始隔离层的横向刻蚀速率大于或者等于纵向刻蚀速率，并且由于第二浅沟槽中的初始隔离层的顶表面的最高处到硬掩膜层的顶表面的...
    2025-08-12
  • 用于基板卡盘的基板夹持装置及调试其的工装和方法
    用于基板卡盘的基板夹持装置及调试其的工装和方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202311811775.2
    本申请提供了一种用于基板卡盘的基板夹持装置及调试其的工装和方法。该基板夹持装置包括安装座、定位部、驱动部和夹持部，其中，安装座用于将基板夹持装置固定至基板卡盘；定位部用于设置在凹槽中，定位部包括锁紧件、第一推杆和第二推杆，第一推杆和第二推杆...
    2025-08-12
  • 一种转接组件及晶圆传输平台
    一种转接组件及晶圆传输平台_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311822641.0
    本发明公开了一种转接组件及晶圆传输平台，包括动板、定板、可伸缩连接件和连杆结构，动板和定板二者中的一个与晶圆传输平台主体连接，二者中的另一个与双腔设备或者单腔设备连接；可伸缩连接件的一端与动板连接，可伸缩连接件的另一端与定板连接，以调节动板...
    2025-08-12
  • 晶圆打标方法、装置及晶圆打标机
    晶圆打标方法、装置及晶圆打标机_江苏卓胜微电子股份有限公司_202311822903.3
    本申请公开了一种晶圆打标方法、装置及晶圆打标机，属于半导体技术领域。该方法包括：向待打标晶圆发射探测光束，并接收所述待打标晶圆反射的反射光束，所述待打标晶圆包括预留打标区域和器件区域，所述探测光束的照射区域的面积小于所述预留打标区域的面积；...
    2025-08-12
  • 一种加热装置及其等离子处理装置
    一种加热装置及其等离子处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311814980.4
    本发明公开了一种加热装置及其等离子处理装置，该加热装置包含：一加热器基体，加热器基体中设置有多个水平方向分布的加热元件以加热加热器基体上方不同区域；多组由N个互相串联的加热元件构成的第一加热元件组；多组由M个加热元件构成的第二加热元件组，其...
    2025-08-12
  • 工件台及半导体工艺设备
    工件台及半导体工艺设备_深圳熠炽科技有限公司_202311814173.2
    一种工件台及半导体工艺设备，包括：基板，具有相对的第一面和第二面，所述第一面用于承载待加工工件；所述基板包括：两两拼接的多个部件，所述多个部件的导热系数不同；其中，对于所述多个部件中任意相邻的两个部件，所述两个部件的拼接面的曲面形状贴合预设...
    2025-08-12
  • 传片腔室、半导体工艺设备及校准晶圆的方法
    传片腔室、半导体工艺设备及校准晶圆的方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202311811197.2
    本申请提供一种传片腔室、半导体工艺设备及校准晶圆的方法，该传片腔室包括：腔体、第一承载板、第二承载板、驱动机构和止挡件；第一承载板和第二承载板相对设置于腔体的内部，第一承载板和第二承载板用于承载晶圆；驱动机构与第二承载板连接，用于驱动第二承...
    2025-08-12
  • 半导体基体的表面处理方法
    半导体基体的表面处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311804491.0
    本发明的半导体基体的表面处理方法包括：在半导体基体的表面上形成第一高分子层；在所述第一高分子层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二高分子层；以及在所述第二高分子层上形成第二金属层。该方法简单高效，能够在保持半导体基体的电学性能的同时...
    2025-08-12
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