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最新专利技术
  • 一种红光氮化物外延片及其制备方法和Micro-LED
    一种红光氮化物外延片及其制备方法和Micro-LED_江苏第三代半导体研究院有限公司_202411324479.4
    本发明提供一种红光氮化物外延片及其制备方法和Micro‑LED，包括蓝宝石衬底、插入结构、n型氮化物图形结构层、发光层和p型金属氮化物层；插入结构贯穿n型氮化物图形结构层、发光层和部分p型金属氮化物层，其包括复合Si纳米柱和复合调控层，复合...
    2026-04-12
  • 一种外延片、外延片的制备方法和Micro-LED
    一种外延片、外延片的制备方法和Micro-LED_江苏第三代半导体研究院有限公司_202411324473.7
    本发明提供一种外延片、外延片的制备方法和Micro‑LED。该外延片包括：层叠的基板、修饰结构层、氮化物发光层以及p型氮化物层；修饰结构层设置在基板的一侧表面，修饰结构层包括多个复合纳米柱结构和复合改性结构；复合纳米柱结构包括Si纳米柱以及...
    2026-04-12
  • 一种红光Micro-LED外延片及其制备方法和应用
    一种红光Micro-LED外延片及其制备方法和应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202411324470.3
    本发明提供一种红光Micro‑LED外延片及其制备方法和应用。包括：蓝宝石衬底；多个间隔设置的发光结构，发光结构包括复合Si纳米柱、金属氮化物结构、发光层和p型半导体层；复合Si纳米柱间隔生长在蓝宝石衬底的一侧表面，复合Si纳米柱包括Si纳...
    2026-04-12
  • 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
    发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管_江西兆驰集成科技有限公司_202511848315.6
    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、末阱层、末垒层、空穴输运层、电子阻挡层和P型GaN层；其中...
    2026-04-12
  • 一种复合式图形化衬底及其制备方法
    一种复合式图形化衬底及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202512026624.1
    本发明涉及半导体发光二极管的技术领域，公开一种复合式图形化衬底及其制备方法。制备方法包括：在衬底上制备SiO2膜层；在SiO2膜层上制备压印胶；利用纳米压印技术将所述软模版的图形转移到SiO2膜层上；对SiO2膜层进行刻蚀处理，形成预设形貌...
    2026-04-12
  • 一种复合图形衬底的制备方法、复合图形衬底及LED芯片
    一种复合图形衬底的制备方法、复合图形衬底及LED芯片_江西兆驰集成科技有限公司_202512026426.5
    本发明提供了复合图形衬底的制备方法、复合图形衬底及LED芯片，该方法包括：在蓝宝石衬底表面形成多个孔洞，进行涂胶、曝光、显影处理，得到预设图形；在衬底上沉积SiOF层；通过热处理去除SiOF层的下方的预设图形，形成空腔；通过纳米压印技术在衬...
    2026-04-12
  • 载具工装
    载具工装_歌尔股份有限公司_202512014886.6
    本发明公开了一种载具工装，涉及加工工装技术领域，其中，所述载具工装包括底板、压盖及多个下压机构，所述底板设有多个放置位，每一所述放置位用于放置一工件；所述压盖可拆卸连接于所述底板设置所述放置位的一侧，所述压盖具有多个第一安装位，每一所述第一...
    2026-04-12
  • 一种芯片亮度均匀性提升方法、及LED
    一种芯片亮度均匀性提升方法、及LED_江西耀驰科技有限公司_202511992395.2
    本发明提供一种芯片亮度均匀性提升方法、及LED，该方法包括如下步骤：提供一LED芯片，将所述LED芯片置于积分球中；由小至大逐渐更换所述积分球的口径光圈，并在不同的口径光圈下、测量所述LED芯片的每个区域的光通量和标准芯片光通量的差异值；预...
    2026-04-12
  • 发光芯片及其制备方法
    发光芯片及其制备方法_西湖烟山科技(杭州)有限公司_202511969165.4
    本发明实施例公开了一种发光芯片及其制备方法，对第一绝缘介质层远离衬底的一侧和刻蚀凹槽远离衬底一侧的第二绝缘介质层进行刻蚀，刻蚀过程中，发光单元侧壁消耗介质的速率与刻蚀凹槽底面消耗介质速率不同，使得刻蚀完成后，至少暴露刻蚀凹槽底面的第一半导体...
    2026-04-12
  • 高可靠性的垂直LED芯片及其制备方法
    高可靠性的垂直LED芯片及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202511839353.5
    本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种高可靠性的垂直LED芯片及其制备方法。垂直LED芯片的制备方法包括：在衬底上依次形成N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电流阻挡层、复合反射层、绝缘层、N型导电反射层和金属键合层，然后与导电基...
    2026-04-12
  • 键合层与发光基板的制作方法
    键合层与发光基板的制作方法_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202511745310.0
    本申请涉及一种键合层与发光基板的制作方法，键合层的制作方法包括：提供衬底和基底膜；在所述衬底的一侧形成图案化的掩膜层，所述掩膜层上设有多个孔，沿所述掩膜层的厚度方向，所述孔贯穿所述掩膜层；其中所述孔为阶梯孔或所述孔的侧壁具有台阶；将所述图案...
    2026-04-12
  • LED芯片封装方法
    LED芯片封装方法_重庆康佳光电科技有限公司_202411375392.X
    本发明涉及一种LED芯片封装方法。该LED芯片封装方法包括：提供一基板，基板上阵列设置有多颗Micro‑LED芯片；涂布疏水性增粘剂于Micro‑LED芯片上；去除Micro‑LED芯片的表面的疏水性增粘剂，保留Micro‑LED芯片的侧壁...
    2026-04-12
  • 光伏电池、光伏组件及其制备方法
    光伏电池、光伏组件及其制备方法_浙江晶科能源有限公司_202610248989.0
    本申请提供了一种光伏电池、光伏组件及其制备方法，基底具有相背的第一表面和第二表面，基底的第二表面具有至少一个第一区域，隧穿层设置于第一区域，第一掺杂半导体层设置于隧穿层的背离基底一侧的表面；第一掺杂半导体层的背离基底一侧的表面设置为纹理结构...
    2026-04-12
  • 背接触电池及其制备方法
    背接触电池及其制备方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512046616.3
    本发明提供一种背接触电池及其制备方法，背接触电池的背面具有多个P区域和多个N区域，多个P区域和多个N区域沿第一方向交替间隔分布，相邻的P区域与N区域之间具有沿第二方向延伸的隔离结构，背接触电池的背面设置有陷光结构，陷光结构位于隔离结构的外侧...
    2026-04-12
  • 封装前板及其制备方法、光伏组件
    封装前板及其制备方法、光伏组件_深圳市华宝新能源股份有限公司_202411304212.9
    本申请提出了一种封装前板及其制备方法、光伏组件。该封装前板包括：本体，本体为透明结构；辐射冷却层，设置在本体的一侧表面，辐射冷却层具有透光性，且辐射冷却层远离本体的一面具有仿荷叶表面的微纳结构。辐射冷却层能够通过向外部空间辐射热量，从而有效...
    2026-04-12
  • 一种光敏电子器件及其封装方法
    一种光敏电子器件及其封装方法_山西舜鑫传感器有限公司_202610132623.7
    本发明公开了一种光敏电子器件及其封装方法，属于电子元件技术领域。该光敏电子器件包括芯片主体、电极支架及外层保护壳；芯片主体为光敏电阻芯片，两端设电极圆孔，第一面设电阻线；电极支架的插端插入电极圆孔，间隙通过银浆填充固化实现电连接，插端设为锥...
    2026-04-12
  • 一种硅光芯片及其制造方法
    一种硅光芯片及其制造方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035322.0
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法，通过准备第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体；在介质层所在的表面对第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体进行图形化刻蚀，得到透光凹槽；将第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体...
    2026-04-12
  • 一种硅光芯片及其制造方法
    一种硅光芯片及其制造方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035176.1
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法，通过准备第一硅光芯片预制体、第二硅光芯片预制体及至少一个后装硅光芯片预制体；将第一硅光芯片预制体与第二硅光芯片预制体对接并键合，得到键合预制体；在键合预制体的至少一侧表面，键合...
    2026-04-12
  • 一种硅光芯片及其制造方法
    一种硅光芯片及其制造方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035078.8
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法，通过准备第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体；在第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体上按预设顺序依次设置多层介质层；在介质层所在的表面对第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制...
    2026-04-12
  • 一种硅光芯片及其制造方法
    一种硅光芯片及其制造方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035038.3
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法，通过准备第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体；在第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体上按预设顺序依次设置多层图形化的介质层；将第一硅光芯片预制体与第二硅光芯片预制体对接并键...
    2026-04-12
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