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最新专利技术
  • 一种内置制冷空调的防爆正压配电柜
    一种内置制冷空调的防爆正压配电柜_明迈智能科技股份有限公司_202511699119.7
    本发明公开了一种内置制冷空调的防爆正压配电柜，属于配电柜领域，包括柜体，所述柜体的开口处通过合页转动连接有密封开合门，所述柜体的两侧表面分别开设有进气口和出气口，且进气口和出气口的内壁处分别固定安装有进气管和出气管；所述柜体的上端固定安装有...
    2026-05-10
  • 一种断路器自动装填的高低压开关柜
    一种断路器自动装填的高低压开关柜_任丘市轩昊新能源科技有限公司_202511634422.9
    本发明公开了一种断路器自动装填的高低压开关柜，涉及开关柜技术领域。该断路器自动装填的高低压开关柜，包括：开关柜主体，所述开关柜主体的内部装配有由电动推杆驱动的断路器主体；断路器触头，所述断路器触头装配在所述断路器主体上，所述开关柜主体的内部...
    2026-05-10
  • 一种便携式供电设备
    一种便携式供电设备_苏州德锐朗智能科技有限公司_202411375891.9
    本发明公开了一种便携式供电设备，包括电能发生装置和机壳，所述机壳包括上机壳、下机壳以及上、下机壳之间的连接件，所述连接件设置在上、下机壳的开口处，所述连接件与上、下机壳连接配合构成壳体封闭电能发生装置；所述上机壳顶部宽度方向的两侧各设置有一...
    2026-05-10
  • 一种开关柜主动防凝露控制方法、系统、设备及介质
    一种开关柜主动防凝露控制方法、系统、设备及介质_国网河南省电力公司安阳供电公司_202511974533.4
    本申请涉及电力设备安全运维技术领域，尤其涉及一种开关柜主动防凝露控制方法、系统、设备及介质，应用于开关柜主动防凝露控制系统，基于数据采集单元对感知层获取的开关柜运行环境数据进行预处理；基于风险研判单元进行柜体表面温度融合和露点温度计算，得到...
    2026-05-10
  • 一种预制舱集中配线转接装置
    一种预制舱集中配线转接装置_尤利卡(江苏)集成电气有限公司_202610225789.3
    本发明提供一种预制舱集中配线转接装置，属于电力设备领域；包括配线壳和对接组件，所述配线壳设置有若干个，且相邻配线壳之间设置有对接组件，每个所述配线壳内壁均开设有两个T形槽，所述配线壳内腔设置有若干个隔板，所述隔板位于T形槽处设置有安装组件，...
    2026-05-10
  • 一种用于配电网的一二次融合配电终端成套环网柜
    一种用于配电网的一二次融合配电终端成套环网柜_重庆万昌电气有限公司_202512048987.5
    本发明涉及输配电设备领域，具体涉及一种用于配电网的一二次融合配电终端成套环网柜，包括至少两个可独立拆分的配电柜单元，以及一套为所有配电柜单元提供散热的共用散热系统；所述配电柜单元由柜体、内置固定于柜体内部的气箱，以及横向贯通安装于气箱内的过...
    2026-05-10
  • 一种绝缘母线联接型环网柜
    一种绝缘母线联接型环网柜_河南平高通用电气有限公司_202511985158.3
    本发明公开了一种绝缘母线联接型环网柜，涉及配电设备技术领域，包括柜体，柜体内设有两个主路单元，主路单元的底部设有进出线套管，进出线套管与电流互感器连接，电流互感器通过互感器支架安装于柜体内，两个主路单元的进出线套管通过绝缘母联器连接。其两个...
    2026-05-10
  • 一种高压配电箱和储能柜
    一种高压配电箱和储能柜_骆驼能源科技有限公司_202511898569.9
    本申请提供一种高压配电箱和储能柜，涉及储能系统技术领域。高压配电箱包括主控单元、电池控制单元、集中接线排、第一电源模块；主控单元连接高压配电箱的高压母线排，高压母线排的一端用于连接高压配电箱所在的储能柜中的储能模块，高压母线排的另一端用于连...
    2026-05-10
  • 一种具有安全机构的环网柜
    一种具有安全机构的环网柜_天舍电气科技有限公司_202511652799.7
    本发明公开了一种具有安全机构的环网柜，属于环网柜技术领域。包括柜主体，柜主体上滑动连接有调节板，安装在柜主体上的驱动组件的输出端与调节板固定连接；防护组件包括防护板，防护板通过导向架与柜主体的固定架滑动连接，导向架内开设有第一限位槽和第二限...
    2026-05-10
  • 一种预制舱式二次组合设备机架布置结构及运维方法
    一种预制舱式二次组合设备机架布置结构及运维方法_湖北省电力规划设计研究院有限公司_202511816075.1
    本发明公开了一种预制舱式二次组合设备机架布置结构及运维方法，包括长方体形的舱体，所述舱体的内部两侧长边舱壁上分别固定有一列位于地板上方、与所述舱体为一体式结构的机架，所述机架靠近所述舱体的内部一侧为开放式结构，所述机架由上至下依次固定有散热...
    2026-05-10
  • 一种具有防盗电功能的电度表
    一种具有防盗电功能的电度表_王建华_202511614195.3
    本发明涉及电度表技术领域，尤其涉及一种具有防盗电功能的电度表。包括有安装板、电度表和触片，电度表安装于安装板上，电度表上间隔设置有触片，电度表上设置有导轨，导轨上设置有平移机构，导轨上滑动设置有滑动框，平移机构用于驱动滑动框进行移动，滑动框...
    2026-05-10
  • 一种多模式离子发生电路及离子发生器
    一种多模式离子发生电路及离子发生器_珠海市德润通电子科技有限公司_202511954139.4
    本发明公开了一种多模式离子发生电路及离子发生器，涉及等离子技术领域。该电路具体包括调节单元，其输入端连接电源输入线；变压输出单元，接收来自调节单元的电能进行变压处理；至少两个离子输出单元，均连接至变压输出单元的第二端以向外释放对应种类的离子...
    2026-05-10
  • 电离装置
    电离装置_派睿格恩汽车部件(昆山)有限公司_202511908926.5
    本公开涉及一种电离装置，其适用于离子发生器和/或从气溶胶流中分离颗粒的电离装置。该电离装置包括支架、至少一个电晕放电电极和至少一个对电极，其中，所述支架具有纵向，所述支架在垂直于所述纵向的横截面中具有彼此正交的第一方向和第二方向，所述电晕放...
    2026-05-10
  • 一种气液混合火花放电装置和放电方法
    一种气液混合火花放电装置和放电方法_上海科技大学_202511910059.9
    本发明提供一种气液混合火花放电装置和火花放电方法，涉及纳米颗粒和原子制造领域。本发明所提供的气液混合火花放电装置，包括密封外壳，密封壳体的内腔中装载有绝缘液体，绝缘液体中被通入有气体并形成气泡；密封外壳的侧壁上穿设有两个火花电极，两个火花电...
    2026-05-10
  • 一种基于非线性SOA产生边带的PDH激光锁频系统
    一种基于非线性SOA产生边带的PDH激光锁频系统_厦门彼格科技有限公司_202512001897.0
    一种基于非线性SOA产生边带的PDH激光锁频系统，包括种子激光源、第一耦合器、第二耦合器、第一声光移频器、第二声光移频器、半导体光放大器、环形器、参考腔、光电探测器、混频器、解调滤波模块以及伺服控制器。通过利用非线性SOA替代传统电光调制器...
    2026-05-10
  • 一种具有梯度出光功率的VCSEL面阵及其在光学导航系统的应用
    一种具有梯度出光功率的VCSEL面阵及其在光学导航系统的应用_威科赛乐微电子股份有限公司_202511739419.3
    本发明涉及一种具有梯度出光功率的VCSEL面阵及其在光学导航系统的应用，主要包括多个阵列排布的VCSEL发光单元，其特征在于，每个所述VCSEL发光单元的物理结构参数根据其所处位置呈规律性的差异化设计，使所有VCSEL发光单元在同一驱动电压...
    2026-05-10
  • 低ASE阈值的钙钛矿薄膜异质结构及其制备方法、激光器
    低ASE阈值的钙钛矿薄膜异质结构及其制备方法、激光器_南方科技大学_202512052145.7
    本发明公开了一种低ASE阈值的钙钛矿薄膜异质结构及其制备方法、激光器，涉及钙钛矿激光器技术领域；钙钛矿薄膜异质结构包括钙钛矿薄膜以及设于其上或者掺杂于其中的胶体量子点，钙钛矿薄膜在第一预设波长的泵浦激光的激发下可产生第二预设波长的增益激光，...
    2026-05-10
  • 基于量子阱混杂结构的半导体激光器及其制备方法
    基于量子阱混杂结构的半导体激光器及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511932128.6
    本发明提供一种基于量子阱混杂结构的半导体激光器及其制备方法，通过设计有源区叠层结构由AlGaInP势垒层及AlxGayInzP量子阱层交替层叠形成，且有源区叠层结构的最上层及最下层均为AlGaInP势垒层，同时有源区叠层结构最上层及最下层的...
    2026-05-10
  • 半导体激光元件
    半导体激光元件_日亚化学工业株式会社_202511391616.0
    本发明提供一种寿命得到改善的半导体激光元件。半导体激光元件具有：第一半导体层，其是作为V族元素至少包含As的III‑V族化合物半导体层；第一导电侧的第二半导体层，其配置在第一半导体层上，是作为V族元素至少包含P的III‑V族化合物半导体层；...
    2026-05-10
  • 一种大功率半导体激光器外延片及其制备方法
    一种大功率半导体激光器外延片及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511872892.9
    本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种大功率半导体激光器外延片及其制备方法。包括：反应室升温至680~750℃并恒温5~15min，将衬底进行高温脱氧；降温至620~680℃，在衬底表面生长GaAs缓冲层，再依次生长下限制层和下波导层...
    2026-05-10
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