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  • 本发明公开了一种芯片扇出封装结构及其制作方法,包括:基板、钝化层、芯片、基板焊盘、芯片焊盘和塑封层,所述钝化层设置于所述基板的表面并预留有所述芯片贴装的区域,所述芯片贴装于所述基板的表面,所述芯片远离所述基板的一面设置有所述芯片焊盘,所述基...
  • 提供能够抑制由引线的干涉引起的短路的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备:布线基板;第一半导体模块,其配置在所述布线基板的主面上,层叠有1个以上的第一半导体芯片;引线,其将所述1个以上的第一半导体芯片中的1个第一半导体...
  • 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件包括:底部半导体层;掩埋介质层,位于所述底部半导体层上;晶体管结构,位于所述掩埋介质层上;绝缘隔离结构,位于所述晶体管结构的侧面,所述绝缘隔离结构向下延伸至所述掩埋介质层;导电结构,侧面被...
  • 本发明提供一种芯片封装结构及其制作方法。芯片封装结构包括芯片接垫、多个输入/输出接垫、芯片、多个第一打线、封装胶体、防焊层、多个第一焊球以及多个第二焊球。输入/输出接垫配置于芯片接垫的周围。芯片配置于芯片接垫上。第一打线电性连接芯片与输入/...
  • 本申请实施例提供一种载板结构、载板结构的制备方法及移动终端。所述载板结构包括:基板,包括沿所述载板结构的厚度方向相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面和所述第二表面中的至少一者设有第一凹槽,所述基板还包括至少一个贯穿所述第一表面和所述第...
  • 本申请涉及半导体技术领域,公开了一种玻璃基板结构及其制备、封装方法和电子元件与集成电路,该玻璃基板结构包括:玻璃芯板;贯穿玻璃芯板的导电互连通道;位于玻璃芯板第一面的平行板电容和第一重布线结构;其中,平行板电容为铝基电容;位于玻璃芯板第二面...
  • 抑制金属凸块的裂纹。实施方式的半导体装置具备:安装基板;封装基板,其在与安装基板的主面相交的第一方向侧与主面相对设置;金属凸块,其设置在安装基板的主面与封装基板之间;第一底部填料,从金属凸块看,该第一底部填料设置在沿着主面的第二方向侧;以及...
  • 本发明的实施方式提供能够使性能提高的半导体装置。一个实施方式的半导体装置具有:第1导电部件;第2导电部件;半导体芯片,设置于所述第1导电部件与所述第2导电部件之间;第1连接部件,设置于所述半导体芯片与所述第2导电部件之间;以及薄膜,设置于所...
  • 本申请实施例提供一种半导体封装结构及半导体封装结构的制备方法,涉及半导体封装技术领域。在半导体封装结构中,芯片被设置在玻璃基板的玻璃基板通孔内,在玻璃基板的第一侧,位于不同芯片经由混合键合层通过硅桥相互连接。如此设计,一方面,芯片和硅桥通过...
  • 本发明涉及半导体器件,更具体涉及芯片封装技术领域,且公开了一种超大功率扁平无引脚功率器件封装装置,包括焊盘基底,所述焊盘基底上设置有连接部,所述连接部上设置有抗震部,所述抗震部上设置有半导体部,所述半导体部上设置有散热部,所述散热部上安装有...
  • 本公开内容提供了晶体管芯片封装。半导体封装包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的晶体管芯片,其中,晶体管芯片包括在第一侧上的第一负载电极和第二负载电极。该半导体封装包括面向晶体管芯片的第二侧的载体、横向布置在晶体管芯片旁边的第一端子柱和在相...
  • 提供能够使侧面电极的高度最大化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第一框、第二框、第一半导体元件、线、以及封装部件。第二框在第一方向上与第一框对置地配置,并在上表面的第一框侧的端部具有台阶部。第一半导体元件配置于台...
  • 提供具有抑制了缺损的形状的半导体装置。半导体芯片设于比第一引线框更靠第一方向的位置,并包含与第一引线框电连接的第一电极以及第二电极。第一导电体与第二电极电连接。第二引线框在比第一引线框更靠第二方向的位置和第一引线框排列,并包含第一端子以及与...
  • 本发明的实施方式涉及压接型半导体装置。压接型半导体装置具备:第一电极;第二电极;一对金属板,配置在所述第一电极与所述第二电极之间;半导体元件,位于所述一对金属板之间,具有半导体部和电极部,所述电极部配置在所述半导体部的上表面,且具有面积比所...
  • 本发明公开了一种功率芯片的芯片级封装结构及其封装工艺,包含金属基板和功率芯片,金属基板包含芯片载台区域和背面引出植球区域,芯片载台区域的高度低于背面引出植球区域并且芯片载台区域与背面引出植球区域的高度差与功率芯片厚度匹配,功率芯片设置在芯片...
  • 本发明提供一种集成电路基板及其制备方法和应用。所述集成电路基板包括以下步骤:a、提供一临时载板;b、在临时载板的第一表面上形成第一光敏绝缘层;c、对第一光敏绝缘层进行曝光和显影,形成多个引脚图案开口;d、在引脚图案开口中电镀第一金属层,形成...
  • 本发明涉及半导体封装及微加工技术领域,具体涉及一种高深径比玻璃通孔的无缺陷电镀填充方法及系统。所述方法包括:采用原子层沉积(ALD)技术在玻璃通孔内壁制备超薄、致密且结合力强的铜种子复合层;配置包含特定添加剂体系的电镀液;实施分段脉冲电镀策...
  • 本发明公开一种提升双面覆铜陶瓷基板寿命的方法。一种提升双面覆铜陶瓷基板寿命的方法,双面覆铜陶瓷基板包括从上至下依次设置的正面铜层、陶瓷层以及反面铜层;所述正面铜层上设置有正面图形结构;所述反面铜层上设置有反面图形结构;所述正面图形结构与所述...
  • 本发明提供玻璃基板加工方法以及电子器件的制造方法。玻璃基板加工方法包括如下步骤:对玻璃基板照射紫外线波长脉冲激光而形成贯通孔;对包围贯通孔且从该贯通孔的内壁起规定范围的区域照射超短脉冲激光而形成变质部;以及使用对变质部的蚀刻速度比对变质部以...
  • 本发明提供一种电子装置及其制造方法,制造方法包括提供一目标基板、以及在所述目标基板上设置一电路结构。提供所述目标基板的制程包括以下步骤:(a)提供一基底层;(b)对所述基底层进行一平坦步骤后,测量所述基底层的一第一厚度变异值;(c)在所述基...
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