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最新专利技术
  • 绒面结构的制备方法、具有绒面结构的基底及太阳能电池
    绒面结构的制备方法、具有绒面结构的基底及太阳能电池_苏州迈为科技股份有限公司_202511915545.X
    本申请涉及一种绒面结构的制备方法、具有绒面结构的基底及太阳能电池。本申请的绒面结构的制备方法本中，先对硅片表面进行制绒形成金字塔结构，再在金字塔结构的表面制备氧化层，在氧化层上制备非晶硅层。在利用HF对非晶硅层和氧化层进行处理，氧化层被HF...
    2026-04-08
  • 透明导电层及其制备方法、太阳电池
    透明导电层及其制备方法、太阳电池_通威太阳能(成都)有限公司_202511870109.5
    本申请涉及一种透明导电层及其制备方法、太阳电池。本申请的透明导电层的制备方法，包括如下步骤：于基材层的表面沉积非晶态的透明导电材料；对透明导电材料进行退火处理。本申请的透明导电层的制备方法能够电阻率较低且透过率较高的透明导电层，进而能够使太...
    2026-04-08
  • 一种电极的制备方法、电极及太阳能电池
    一种电极的制备方法、电极及太阳能电池_苏州迈为科技股份有限公司_202511847105.5
    本申请涉及一种电极的制备方法、电极及太阳能电池。本申请的电极的制备方法包括：在基体的一侧面印刷导电浆料，其中，导电浆料包括导电相和粘结相，导电相内包含金属元素，金属元素以金属离子的形式存在，粘结相作为导电相的载体，粘结相具备导电性。在光照条...
    2026-04-08
  • 一种背接触光伏组件生产工艺及背接触光伏组件
    一种背接触光伏组件生产工艺及背接触光伏组件_无锡奥特维科技股份有限公司_202511703738.9
    本申请涉及背接触光伏组件生产技术领域，尤其是涉及一种背接触光伏组件生产工艺及背接触光伏组件。背接触光伏组件生产工艺在制备背接触光伏组件时，将端部焊带的延伸段向远离第二电池片背面的方向抬起，并在延伸段处于抬起状态下，将汇流条贴与延伸段进行焊接...
    2026-04-08
  • 光伏组件制备方法及光伏组件
    光伏组件制备方法及光伏组件_无锡奥特维科技股份有限公司_202511671687.6
    本申请提供了一种光伏组件制备方法及光伏组件，包括：提供电池串，电池串由多个电池片通过焊带串接而成，电池串中的其中两个相邻的第一电池片和第二电池片之间具有第一间隙，其余相邻电池片的之间具有第二间隙或者其余相邻电池片的边缘相互重叠，第一间隙大于...
    2026-04-08
  • 一种光伏组件制备方法及光伏组件
    一种光伏组件制备方法及光伏组件_无锡奥特维科技股份有限公司_202511623781.4
    本申请提供了一种光伏组件制备方法及光伏组件，包括，提供第一电池串及第二电池串，第一电池串的第一端电池片具有第一端部焊带；第二电池串的第一端电池片具有第二端部焊带。提供汇流条组件，汇流条组件包括绝缘膜条，分别位于绝缘膜条两侧的汇流条及若干金属...
    2026-04-08
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202511506123.7
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池的制备方法，包括：提供半导体衬底；半导体衬底的第一表面包括沿第一方向相邻排布的第一区域、隔离区域和第二区域，第一方向垂直于半导体衬底的厚度方向；于第一区域和隔离区域依次形成叠层的第一...
    2026-04-08
  • 一种双面无籽铜电镀铜栅线异质结太阳电池及其制备方法
    一种双面无籽铜电镀铜栅线异质结太阳电池及其制备方法_江西电投新能源科技有限公司_202511456896.9
    本发明属于太阳电池技术领域，一种双面无籽铜电镀铜栅线异质结太阳电池及其制备方法，包括以下步骤，S1：将电池的蓝膜片进行正背面印刷油墨；S2：电池正背面正常曝光、显影作出图案；S3：将步骤S2获得的电池片放置活化设备中，进行活化处理，用电还原...
    2026-04-08
  • 一种减少HJT电池非微晶硅损伤的TCO层镀膜方法及HJT电池
    一种减少HJT电池非微晶硅损伤的TCO层镀膜方法及HJT电池_营口金辰机械股份有限公司_202411311306.9
    本发明属于电池制备领域，涉及一种减少HJT电池非微晶硅损伤的TCO层镀膜方法及HJT电池。本发明采用“底层低功率密度无H2+顶层高功率密度加H2”工艺，综合调配膜厚，不会降低成膜效率，同时通过合理的工艺条件调配，得到整体膜层光电特性优异。本...
    2026-04-08
  • 一种基于有机荧光材料的紫外增强图像传感器及荧光转换薄膜的制备方法
    一种基于有机荧光材料的紫外增强图像传感器及荧光转换薄膜的制备方法_中国电力科学研究院有限公司_202511878527.9
    本发明公开了一种基于有机荧光材料的紫外增强图像传感器及荧光转换薄膜的制备方法，属于光电探测与半导体成像技术领域。本发明紫外增强图像传感器采用Lumogen类有机荧光材料的荧光转换薄膜作为紫外增强材料；所述荧光转换薄膜，通过热阻蒸镀工艺在热镀...
    2026-04-08
  • 成像装置和电子设备
    成像装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202511750079.4
    本发明涉及成像装置和电子设备。成像装置包括像素阵列单元，其中，所述像素阵列单元包括多个像素和隔离结构，其中，所述多个像素中的每个像素通过所述隔离结构与所述多个像素中的一个或多个邻近像素分离，并且其中，每个像素包括：光电转换区域；第一传输晶体...
    2026-04-08
  • 固体摄像装置
    固体摄像装置_株式会社东芝_202510054926.7
    本发明的实施方式提供一种特性提高的固体摄像装置。本实施方式的固体摄像装置具备：多个像素，设置在基板上，在与上述基板的表面平行且相互交叉的第1方向和第2方向上排列；以及多个微透镜，设置在上述多个像素的上方，上述多个微透镜分别具有沿着上述第1方...
    2026-04-08
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411310910.X
    本申请提供了一种图像传感器及其制备方法、电子设备。该图像传感器包括：第一衬底；多个像素电路，每个像素电路包括设置在第一衬底一侧并电连接的光电二极管和悬浮扩散区，光电二极管用于响应于入射光产生光生电荷，悬浮扩散区用于接收光生电荷；多个电容，设...
    2026-04-08
  • 光学传感器封装件、基板和制造光学传感器封装件的方法
    光学传感器封装件、基板和制造光学传感器封装件的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411681704.X
    本公开涉及光学传感器封装件、基板以及制造光学传感器封装件的方法。该封装件包括：无机基板；以及光学传感器管芯，该光学传感器管芯设置在该无机基板的顶表面的第一部分上。该封装件还包括：第一金属间介电层，该第一金属间介电层设置在该无机基板的该顶表面...
    2026-04-08
  • 影像感测模块、相机模块与电子装置
    影像感测模块、相机模块与电子装置_大根光学工业股份有限公司_202411457758.8
    本发明公开一种影像感测模块，包含电路基板、光学平板元件、感光元件、金属凸块以及抗反射层。电路基板具有相对的上表面与下表面、连接上表面与下表面的开口表面以及位于开口表面处的开口。光学平板元件固定于上表面。感光元件设置于下表面。开口位于感光元件...
    2026-04-08
  • 一种图像传感器及其制造方法
    一种图像传感器及其制造方法_武汉楚兴技术有限公司_202411304563.X
    本申请提供一种图像传感器及其制造方法，图像传感器包括从中心至边缘的核心区域、过渡区域以及切割区域。过渡区域包括第一过渡区域和第二过渡区域，第一过渡区域毗邻切割区域，第二过渡区域靠近核心区域。方法包括：在衬底上依次形成颜色层、涂胶层以及透镜结...
    2026-04-08
  • 一种图像传感器及其制造方法
    一种图像传感器及其制造方法_武汉楚兴技术有限公司_202411303780.7
    本申请提供一种图像传感器及其制造方法，图像传感器包括过渡区域以及围绕过渡区域的切割区域，切割区域设置有金属焊盘，过渡区域设置有依次层叠的衬底、树脂层、透镜结构以及抗反射层。位于过渡区域的树脂层具有远离切割区域的凹陷和朝向切割区域的凸起，凸起...
    2026-04-08
  • 一种图像传感器及其制造方法
    一种图像传感器及其制造方法_武汉楚兴技术有限公司_202411303764.8
    本申请提供一种图像传感器的及其制造方法，即图像传感器包括从中心至边缘的核心区域、过渡区域以及切割区域。过渡区域包括第一过渡区域和第二过渡区域，第一过渡区域毗邻切割区域，第二过渡区域靠近核心区域。方法包括：在衬底上依次形成颜色层、涂胶层以及透...
    2026-04-08
  • 一种二维材料光谱芯片结构及光谱测量方法
    一种二维材料光谱芯片结构及光谱测量方法_苏州微光电子融合技术研究院有限公司_202512003582.X
    本发明涉及光谱芯片技术领域，具体涉及一种二维材料光谱芯片结构及光谱测量方法，包括衬底、栅介质层、二维材料薄膜、共源电极和多个漏电极，栅介质层覆盖在衬底的上方，二维材料薄膜覆盖在栅介质层上方；二维材料薄膜为一片连续且未被图案化的薄膜，其一端与...
    2026-04-08
  • 光电探测器
    光电探测器_广州增芯科技有限公司_202511992097.3
    本发明提供了一种光电探测器，包括：衬底；第一接触层，位于衬底表面；吸收层，位于第一接触层之上；第一渐变层，位于吸收层表面；过渡层，位于第一渐变层表面；窗口层，位于过渡层表面；第二接触层，位于窗口层表面；其中，吸收层的材料包括InGaAs，第...
    2026-04-08
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