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最新专利技术
  • 一种黑色无铅环保汇流带及其涂层涂覆方法
    一种黑色无铅环保汇流带及其涂层涂覆方法_太仓巨仁光伏材料有限公司_202511922145.1
    本发明属于光伏组件技术领域，具体涉及一种黑色无铅环保汇流带及其涂层涂覆方法，包括铜基带体、无铅导电过渡层和黑色无铅功能涂层，所述铜基带体、无铅导电过渡层和黑色无铅功能涂层由内到外分布；所述铜基带体为高纯度紫铜带；所述无铅导电过渡层为锡铋银合...
    2026-04-11
  • 电池组件及光伏系统
    电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511881463.8
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种电池组件及光伏系统，包括：电池片；设置于所述电池片上的焊带；设置于所述电池片和所述焊带之间的焊接层；设置在靠近所述电池片的边缘的第一焊接区域，以及在第一方向与所述第一焊接区域相邻设置的第二焊接区域；本申请...
    2026-04-11
  • 背接触电池组件及光伏系统
    背接触电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511632021.X
    本发明涉及硅太阳能电池领域，具体公开了一种背接触电池组件及光伏系统。其中，背接触电池组件包括：第一电池串、第二电池串，其均包括多个沿第一方向排列的电池片；相邻电池片通过第一焊带电连接，所述第一焊带沿所述第一方向延伸；所述第一电池串、所述第二...
    2026-04-11
  • 一种电池片组件、制备方法及助焊剂涂覆装置
    一种电池片组件、制备方法及助焊剂涂覆装置_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511591760.9
    本申请涉及一种电池片组件、制备方法及助焊剂涂覆装置，组件包括：电池串和焊带，电池串包括多个电池片，电池片的正面和/或背面设置有焊接点，焊接点设置于焊带将相邻电池片正面和背面互联的片间距处，所述焊带为预涂助焊剂且压扁的焊带；正面承载膜设置于所...
    2026-04-11
  • 太阳能电池、光伏设备、用电设备、发电设备
    太阳能电池、光伏设备、用电设备、发电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411320070.5
    本申请公开了一种太阳能电池、光伏设备、用电设备、发电设备；太阳能电池包括基底、电池主体、第一延伸部、第二延伸部、第一引流条和第二引流条；电池主体设于基底上；电池主体包括依次层叠设置于基底的第一电极层、主体结构层和第二电极层，主体结构层至少包...
    2026-04-11
  • 光伏组件及其制作方法、光伏发电装置
    光伏组件及其制作方法、光伏发电装置_合肥京东方光能科技有限公司_202411211553.1
    本申请公开了一种光伏组件及其制作方法、光伏发电装置。光伏组件包括电池模组、导电层和汇流焊带。电池模组包括依次层叠设置的第一电极层、功能层和第二电极层，功能层分别与第一电极层和第二电极层连接。导电层与功能层间隔设置在第一电极层的同一侧，并与第...
    2026-04-11
  • 一种具有防爆及被动热管理功能的光伏组件
    一种具有防爆及被动热管理功能的光伏组件_中海石油气电集团有限责任公司_202511925784.3
    本申请实施例公开了一种具有防爆及被动热管理功能的光伏组件。光伏组件包括：发电封装体，其包括依次叠设的第一防爆保护层、第一EVA封装层、光伏电池片层、第二EVA封装层以及第二防爆保护层；边框，其围设于所述发电封装体的周侧；容纳箱，其贴合于所述...
    2026-04-11
  • 一种具有防霉疏水功能的太阳能薄膜电池及其制备方法
    一种具有防霉疏水功能的太阳能薄膜电池及其制备方法_凯盛光伏材料有限公司_202511713193.X
    本发明公开了一种具有防霉疏水功能的太阳能薄膜电池及其制备方法涉及太阳能电池技术领域，包括薄膜电池芯片、胶膜、前板玻璃和疏水涂层；疏水涂层包括有机硅丙烯酸树脂、木质素磺酸盐和三氯化铬；逐层叠设薄膜电池芯片、胶膜、前板玻璃构成了电池基体，前板玻...
    2026-04-11
  • 层压工装及光伏组件的层压方法
    层压工装及光伏组件的层压方法_英利能源(中国)有限公司_202511566424.9
    本发明提供了一种层压工装及光伏组件的层压方法，属于光伏电池技术领域，包括：选择直径大于层压件厚度的橡胶棒，裁切为一定长度；利用宽度小于橡胶棒长度的特氟龙胶带一对折包裹橡胶棒，并在特氟龙胶带一对折后预留出一定的长度；在靠近橡胶棒的部位再次用特...
    2026-04-11
  • 光伏组件
    光伏组件_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202411309266.4
    本发明公开了一种光伏组件，包括盖板玻璃、与所述盖板玻璃相对设置的背板玻璃、设于所述盖板玻璃与背板玻璃内侧边缘处的密封胶圈、设于所述密封胶圈内的电池串、设于所述盖板玻璃与电池串之间的第一隔离膜、设于所述背板玻璃与电池串之间的第二隔离膜。本发明...
    2026-04-11
  • 太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统
    太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统_株式会社东芝_202511311797.1
    提供一种太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极、n电极、设置于p电极上的以氧化亚铜化合物作为主体的p型光吸收层、和设置于p型光吸收层与n电极之间的n型层。以氧化亚铜化合物作为主体的p型光...
    2026-04-11
  • 一种太阳能电池及其制备方法和电池组件
    一种太阳能电池及其制备方法和电池组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610201877.X
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法和电池组件，涉及光伏技术领域。本发明所提供的太阳能电池的隔离区宽度为0.1µm～15µm，相比于现有技术中50µm及以上的隔离区宽度，本发明的超窄隔离区减少了隔离区载流子漂移距离，同时增加了掺杂区的面积...
    2026-04-11
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610197769.X
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。所述太阳能电池包括半导体基底，所述半导体基底的背面包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极的极性相反且间隔排布互不导通；所述第一电极包括第一接触区和第一跨越区；所述第一接触区与第一极性...
    2026-04-11
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202512058529.X
    本申请提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，第一介质层和第一晶化层依次层叠设置在第一预设区域上，在第一预设区域处形成有与第一介质层接触的第一内扩层，第一介质层、第一晶化层和第一内扩层中均掺杂有第一掺杂元素。第二介质层和第...
    2026-04-11
  • TBC太阳能电池及制备方法
    TBC太阳能电池及制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202511060716.5
    本申请公开了一种TBC太阳能电池及制备方法，涉及光伏电池技术领域。TBC太阳能电池包括N型基体硅，所述N型基体硅的背光面包括交替设置的N型区域和P型区域；在所述N型区域内，从所述N型基体硅的背光面向外依次包括第一隧穿层、第一N型掺杂硅层、第...
    2026-04-11
  • 双向氮化镓ESD防护结构、二极管和电源系统
    双向氮化镓ESD防护结构、二极管和电源系统_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511934067.7
    本申请涉及一种双向氮化镓ESD防护结构、二极管和电源系统。结构包括：正向触发电路，用于在发生正向ESD事件时开启，对正向瞬态电压进行分压，以使泄放双向开关的栅极在设定的正向瞬态电压下开启；反向触发电路，用于在发生反向ESD事件时开启，对反向...
    2026-04-11
  • 集成电路器件
    集成电路器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202511744304.3
    本发明的实施例提供了一种集成电路器件，其为可以与GaN高电压器件集成的保护电路，包括由串联连接在信号输入和参考输入之间的正向触发的场效晶体管(FET)和反向触发的FET所组成的主要放电路径。包含正向整流器的第一分压器网络和包含反向整流器的第...
    2026-04-11
  • 用于防止由等离子体辅助工艺引起的损坏的保护电子装置及其制造方法
    用于防止由等离子体辅助工艺引起的损坏的保护电子装置及其制造方法_意法半导体国际公司_202511340260.8
    本公开涉及用于防止由等离子体辅助工艺引起的损坏的保护电子装置及其制造方法。一种电子装置包括电路模块和保护模块。该电路模块包括位于参考端子和电节点之间的P‑N结，以及耦合到电节点并且被配置为因天线效应而被充电的金属连接线。该保护模块包括HV晶...
    2026-04-11
  • 有源矩阵基板以及显示装置
    有源矩阵基板以及显示装置_夏普显示科技株式会社_202511323543.1
    提供一种具备特性互不相同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板及显示装置。有源矩阵基板具备基板以及多个氧化物半导体TFT。各氧化物半导体TFT具有氧化物半导体层、下部栅极电极以及上部栅极电极，该氧化物半导体层包含沟道区域、源极接触区域和漏极...
    2026-04-11
  • 半导体结构、以及半导体器件结构
    半导体结构、以及半导体器件结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511764735.6
    根据本发明的半导体结构包括：第一隔离结构；第一底部晶体管；第二底部晶体管，沿着方向设置在第一隔离结构与第一底部晶体管之间；第一顶部晶体管，设置在第一隔离结构上方；第二隔离结构，位于第一底部晶体管上方；和第二顶部晶体管，位于第二底部晶体管上方...
    2026-04-11
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