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最新专利技术
  • 压电降膜循环散热装置
    压电降膜循环散热装置_中国科学院工程热物理研究所_202511467251.5
    本发明属于芯片散热领域，尤其涉及一种压电降膜循环散热装置，包括密闭空腔，在密闭空腔的外侧设置有取热面，在密闭空腔的内侧设置有降膜蒸发沸腾面、液体工质、压电泵、液顶盒及冷凝面，降膜蒸发沸腾面为金属多孔结构；液体工质在密闭空腔内形成液池，压电泵...
    2026-03-14
  • 半导体封装组件和用于其形成的方法
    半导体封装组件和用于其形成的方法_星科金朋私人有限公司_202411125172.1
    一种半导体封装组件，包括：半导体封装，包括：基板；安装在基板上的半导体裸片；互连块对，安装在基板上并位于半导体裸片的相对侧处；以及密封剂层，形成于基板上以密封半导体裸片和互连块对，互连块对具有暴露于密封剂层的相应顶面，并且半导体裸片的顶面暴...
    2026-03-14
  • 具有侧壁耦合导热元件的半导体装置封装及其制造方法
    具有侧壁耦合导热元件的半导体装置封装及其制造方法_钰创科技股份有限公司_202511175745.6
    本发明揭示一种半导体装置封装。该半导体装置封装包括堆叠结构，该结构包括多个相对于彼此垂直堆叠的电子部件。该等多个电子部件的每一者均设置成在垂直方向上提供电连接。第一导热元件围绕该堆叠结构的侧表面，并且热耦合到该等多个电子部件的至少一者的一侧...
    2026-03-14
  • 熔丝结构及其制备方法、半导体器件和集成电路
    熔丝结构及其制备方法、半导体器件和集成电路_浙江创芯集成电路有限公司_202511815881.7
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种熔丝结构及其制备方法、半导体器件和集成电路，该熔丝结构包括：衬底；位于衬底上的熔丝体；其中，熔丝体的材质为多晶硅材质；刻蚀停止层；其中，刻蚀停止层覆盖在熔丝体的正上方，且刻蚀停止层的厚度为35埃至65埃；...
    2026-03-14
  • 熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法
    熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511666196.2
    本发明涉及一种熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法。所述熔丝互连结构包括：衬底、N条熔丝、N个测试引脚、N个隔离层和N层连接线。其中，第1隔离层覆盖在所述衬底表面，所述N层连接线位于所述第1隔离层上，每两层连接线之间通过隔离层...
    2026-03-14
  • 包括熔丝的半导体元件及其制备方法
    包括熔丝的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510268624.X
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一熔丝金属、一掺杂结构、一第一介电层、一第二介电层以及二掺杂部。该第一介电层沿着一第一方向延伸且设置在该熔丝金属上方。该第一介电层包括用于容纳该熔丝金属的一第一凹陷结构。该掺杂结构形成在...
    2026-03-14
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511906666.8
    本发明公开了一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：有源层和位于所述有源层上的多层布线层；所述多层布线层包括叠设的底层布线层和高层布线层，所述底层布线层位于所述高层布线层与所述有源层之间；所述半导体结构的核心线路设置于所述高层布线层；其...
    2026-03-14
  • 集成电路芯片、集成电路芯片的制备方法以及电子装置
    集成电路芯片、集成电路芯片的制备方法以及电子装置_清华大学_202511834403.0
    一种集成电路芯片、集成电路芯片的制备方法以及电子装置。该集成电路芯片包括：衬底层、第一功能层、第二功能层和芯片电压端口，其中，衬底层、第一功能层以及第二功能层至少部分层叠，第一功能层设置在衬底层的上方，第二功能层设置在第一功能层远离衬底层的...
    2026-03-14
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511166137.9
    本公开涉及一种包括锥形间隔件的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：导线接触插塞和导电图案，它们在第一方向上彼此间隔开；导线，其设置在导线接触插塞之上，并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及间隔结构，其配置为接触导线的侧壁和导线接触插塞...
    2026-03-14
  • 背面电力分配网络架构中的半导体集成电路
    背面电力分配网络架构中的半导体集成电路_三星电子株式会社_202510382157.3
    一种集成电路，包括：绝缘层；第一导电层，在绝缘层中沿第一方向延伸；第二导电层，在绝缘层中沿第一方向延伸；第三导电层，在绝缘层中沿第一方向延伸；第一标准单元，在绝缘层中，包括第一单元边界；以及第二标准单元，其中，第一导电层在第一方向上与第一单...
    2026-03-14
  • 半导体装置
    半导体装置_碇基半导体股份有限公司_202510303921.3
    一种半导体装置，包含主动层、源极电极与漏极电极、源极金属层、漏极金属层以及源极垫。主动层包含主动区。源极电极与漏极电极设置于主动层的主动区上且延伸于第一方向。源极金属层设置于主动区且电性连接至源极电极，其中源极金属层延伸于第二方向并在俯视图...
    2026-03-14
  • 一种金属导线的形成方法及半导体结构
    一种金属导线的形成方法及半导体结构_武汉楚兴技术有限公司_202411179266.7
    本申请提供一种金属导线的形成方法及半导体结构，半导体结构包括层叠的第二介电层和第一介电层，第一介电层包括多孔材料，第二介电层中具有金属层，第一介电层中具有多个通孔，金属层的表面暴露在通孔的底部；至少在通孔的侧壁上形成保护层；保护层的材料包括...
    2026-03-14
  • 具有电容器结构的导电结构及其制备方法
    具有电容器结构的导电结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510183764.7
    本申请公开一种导电结构及其制备方法。该导电结构包括一第一支撑层、一第二支撑层、一第一电极层、一中间介电层及一第二电极层。该第二支撑层配置于该第一支撑层上，并与该第一支撑层间隔开。该第一电极层包括一第一部分。该第一部分包括一第一区域及一第二区...
    2026-03-14
  • 一种长距离跨度空气桥制程方法
    一种长距离跨度空气桥制程方法_福建省福联集成电路有限公司_202511531490.2
    本发明涉及一种长距离跨度空气桥制程方法，所述制程方法包括在衬底材料上沉积第一光阻层，并进行曝光/显影，采用湿法蚀刻衬底材料，在衬底材料上形成第一台面，去除第一光阻层；按照同样操作，继续涂布第二光阻层至第n台面；在第n台面的外侧涂布第n+1光...
    2026-03-14
  • 一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法
    一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610130212.4
    本发明涉及一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法，包括：提供至少两层待堆叠的多层芯片，每层芯片包括功能结构、第一易结合层和/或第二易结合层；其中，至少一层芯片还包括牺牲层和连接孔；将多层芯片按功能要求对准、堆叠并键合，形成堆叠芯片；采用第...
    2026-03-14
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511821527.5
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上堆叠的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；第一通孔结构，填充所述SOI衬底中的第一通孔，所述第一通孔贯穿所述SOI衬底，所述第一通孔结构包括衬垫结构和金属层，所述衬...
    2026-03-14
  • 芯片封装单元、堆叠封装及电子设备
    芯片封装单元、堆叠封装及电子设备_华为技术有限公司_202411124565.0
    本申请提供一种芯片封装单元、堆叠封装及电子设备，涉及芯片领域。该芯片封装单元中包括堆叠设置的第一芯片和第二芯片、重布线层、垂直互连结构；垂直互连结构设置在第一芯片和第二芯片的侧面，重布线层设置在一个芯片的有源面一侧、并与有源面连接；或者，重...
    2026-03-14
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511904260.6
    一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供表面有介质层的衬底，第一区域衬底上的介质层内有第一金属层，第二区域衬底上的介质层内有第二金属层，第一金属层顶面的介质层厚度大于第二金属层顶面的介质层厚度；通过图形化工艺在介质层...
    2026-03-14
  • 一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质
    一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质_宁波芯健半导体有限公司_202511744753.8
    本申请涉及一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质，涉及芯片加工领域，其方法包括：在晶圆上涂覆第一光刻胶层；在第一光刻胶层的铜柱位置形成第一开口；通过电镀工艺，在第一开口内形成第一层铜柱；去除第一光刻胶层；在晶圆上形成塑封层，使塑...
    2026-03-14
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511667429.0
    本发明公开了半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供基体，其中，基体包括半导体衬底和形成在半导体衬底的第一表面上的栅极结构，半导体衬底中形成有引出区和浅沟槽隔离结构，引出区包括第一引出区和第二引出区中的至少之一，第一引出区位于栅极结构与...
    2026-03-14
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