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最新专利技术
  • 一种预组装芯片组装工装及预组装芯片、封装方法
    一种预组装芯片组装工装及预组装芯片、封装方法_南京睿芯峰电子科技有限公司_202511761277.0
    本发明公开了一种预组装芯片组装工装及预组装芯片、封装方法，该预组装芯片将多芯片叠加预组装，各层芯片之间通过装片胶固化连接，预组装芯片后期可直接封装于基板上或陶瓷外壳内；该组装工装包括底座和置于底座上的载盘，载盘的正面具有放置芯片的放置槽，放...
    2026-03-10
  • 基于饱和气浓度调控的真空固晶炉用甲酸供给装置
    基于饱和气浓度调控的真空固晶炉用甲酸供给装置_康耐威(苏州)半导体科技有限公司_202511750839.1
    本发明公开了基于饱和气浓度调控的真空固晶炉用甲酸供给装置，属于半导体设备技术领域。基于饱和气浓度调控的真空固晶炉用甲酸供给装置，包括真空固晶炉本体和用于向其内部输送甲酸饱和气体的输送管。该基于饱和气浓度调控的真空固晶炉用甲酸供给装置，相比传...
    2026-03-10
  • 一种再生晶圆扫描方法及扫描系统
    一种再生晶圆扫描方法及扫描系统_晶芯半导体(黄石)有限公司_202511466918.X
    本申请公开了一种再生晶圆扫描方法，涉及半导体晶圆扫描技术领域，其方法包括：当检测到目标晶圆传送盒时，获取其标识信息；通过光幕传感器检测晶圆的在位状态，并生成槽位映射表；控制预设的微旋机构在设定角度范围内对各槽位晶圆进行微旋，采集环形结构光图...
    2026-03-10
  • 一种局部修频装置以及方法
    一种局部修频装置以及方法_北京航天微电科技有限公司_202511440952.X
    本发明提供了一种局部修频装置以及方法。一种局部修频装置，包括：修频机、用于开闭修频机的电子束的挡板以及用于遮挡待修频的产品中的非修频区域的模板，所述挡板能够运动地安装在所述修频机的输出端，所述模板与待修频的产品适配。通过设计用于控制修频电子...
    2026-03-10
  • 基于自适应PID算法的半导体清洗设备温度控制系统
    基于自适应PID算法的半导体清洗设备温度控制系统_厦门宇电自动化科技有限公司_202610090871.X
    本发明提供了基于自适应PID算法的半导体清洗设备温度控制系统，涉及半导体器件技术领域，包括：补液执行模块，用于得到补液热扰动修正值；加热功率分析模块，用于得到修正执行指令，若修正执行指令为稳态维持指令，则不予执行修正调整，否则执行修正调整；...
    2026-03-10
  • 一种清洗设备
    一种清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511688833.6
    本申请提供了一种清洗设备，包括：处理液收集装置，具有清洗空间；排液槽，设置在处理液收集装置上并与处理液收集装置一体成型，且排液槽上开设有排液孔，排液槽和排液孔用于将清洗液体排出清洗空间；排液管道，通过连接组件与处理液收集装置和/或排液槽连接...
    2026-03-10
  • 一种红外激光辅助机械解键合的方法
    一种红外激光辅助机械解键合的方法_深圳市化讯半导体材料有限公司_202511749335.8
    本发明提供一种红外激光辅助机械解键合的方法，该方法包括：采用红外激光对层叠体的边缘周向的全部或局部进行激光解键合，得到边缘分化层叠体；对边缘分化层叠体进行机械解键合，完成晶圆与晶圆衬底的分离；层叠体由所述晶圆和晶圆衬底通过红外效应粘合剂键合...
    2026-03-10
  • 一种台面型半导体器件的制造方法
    一种台面型半导体器件的制造方法_江苏捷捷微电子股份有限公司_202610077185.9
    本发明公开了一种台面型半导体器件的制造方法，所述方法包括：S1、双面刻蚀与台面腐蚀；S2、进行热氧化平滑处理，使得平滑后的槽口角度≥100°；S3、选择去除需要去除的氧化层；S4、进行后续标准工艺；本发明利用热氧化在尖锐角部速率更快的特性，...
    2026-03-10
  • 超薄半导体实现方法以及基于超薄半导体的散热方法
    超薄半导体实现方法以及基于超薄半导体的散热方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202511471618.0
    本发明公开了一种超薄半导体实现方法，包括：将完成功能结构制作的半导体基片的器件层朝向载片与其结合，使得半导体基片(J1)的衬底(10)裸露；半导体基片还包括与衬底依次层叠的腐蚀阻挡层和半导体层，半导体层包括缓冲层和器件层；缓冲层用于防止器件...
    2026-03-10
  • 多晶硅刻蚀方法及半导体工艺设备
    多晶硅刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511686390.7
    本发明提供了一种多晶硅刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域，为解决采用干法刻蚀去除多晶硅后存在表面粗糙度大的问题而设计。该多晶硅刻蚀方法包括：提供半导体器件，半导体器件包括衬底、形成于衬底上表面的栅极氧化层以及形成于栅极氧化层上...
    2026-03-10
  • 改善LTO膜外观良率的集预处理洗净和存储一体的可靠性工艺
    改善LTO膜外观良率的集预处理洗净和存储一体的可靠性工艺_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511410897.X
    本发明涉及硅片加工技术领域，具体涉及改善LTO膜外观良率的集预处理洗净和存储一体的可靠性工艺，包括：在片盒内装入待SC‑1清洗的硅片，将NH44OH、H22O22、超纯水按体积比例配置两种SC‑1清洗液，使用SC‑1清洗液对硅片进行分段式清...
    2026-03-10
  • 一种提高碳化硅外延层质量的方法
    一种提高碳化硅外延层质量的方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511798647.8
    本发明提供了一种提高碳化硅外延层质量的方法，包括以下步骤：A)在碳化硅衬底表面生长缓冲层和外延层；B)对外延层的外表面进行化学机械抛光减薄，去除胡萝卜缺陷；所述化学机械抛光的减薄量为0.2~100μm，抛光头的压力为8~12psi，抛光液的...
    2026-03-10
  • 一种重构晶圆的方法及重构晶圆
    一种重构晶圆的方法及重构晶圆_湖北江城实验室_202511664278.3
    本申请实施例公开了一种重构晶圆的方法及重构晶圆。重构晶圆的方法包括：提供第一晶圆，第二晶圆。将第二晶圆键合于第一晶圆上。在第二晶圆内，形成多个凹槽；其中，凹槽贯穿第二晶圆，且暴露出第一晶圆。通过混合键合工艺，将芯粒键合于凹槽内的第一晶圆上。...
    2026-03-10
  • 一种离子阱芯片结构及制造方法
    一种离子阱芯片结构及制造方法_合肥幺正量子科技有限公司_202511760699.6
    本发明公开一种离子阱芯片结构及制造方法，所述结构包括半导体芯片、布线层以及离子阱的电极，所述离子阱的电极通过布线层与半导体芯片电连接。本发明将半导体芯片和离子阱集成在一起形成一个整体，大大缩小了离子阱量子计算系统体积，降低功耗，缩短信号传输...
    2026-03-10
  • 一种基于氧等离子体修饰单壁碳纳米管薄膜的全光控人工突触器件及其制备方法
    一种基于氧等离子体修饰单壁碳纳米管薄膜的全光控人工突触器件及其制备方法_东北师范大学_202511748693.7
    本发明提供了一种基于氧等离子体修饰单壁碳纳米管薄膜的全光控人工突触器件及其制备方法，属于神经形态计算与微电子器件技术领域。所述器件采用Si/SiO22为衬底，Au为平面电极，单壁碳纳米管(SWCNT)薄膜为光电忆阻层。本发明通过氧等离子体处...
    2026-03-10
  • 一种二维稀土双钙钛矿材料在制备忆阻器中的应用
    一种二维稀土双钙钛矿材料在制备忆阻器中的应用_江西理工大学_202610051541.X
    本发明提供了一种二维稀土双钙钛矿材料在制备忆阻器中的应用，涉及忆阻器技术领域，所述二维稀土双钙钛矿材料的化学通式为(R3HQ)44CeRb(NO33)88；其中，所述(R3HQ)44CeRb(NO33)88为单斜晶系，极性点群为PP211；...
    2026-03-10
  • 一种二维非对称铁电隧道结及其设计方法和系统
    一种二维非对称铁电隧道结及其设计方法和系统_昆明理工大学_202511714272.2
    本发明公开了一种二维非对称铁电隧道结及其设计方法和系统，涉及半导体技术领域，二维非对称铁电隧道结包括：由Al22Se33/Cu22Se1‑x1‑xSxx(x=0.05‑0.15)异质结构成的左电极，由Al22Se33/Cu22Se1‑y1‑...
    2026-03-10
  • 具有电陶瓷的构件的装置
    具有电陶瓷的构件的装置_TDK电子股份有限公司_202511763246.9
    本发明涉及一种装置，其具有：电陶瓷的构件(1)，该电陶瓷的构件带有第一区域(2)和第二区域(3)；浇注料(11)，其至少部分包围电陶瓷的构件(1)；和套筒形的壳体(15)，其至少部分包围浇注料(11)，其中，该壳体(15)在包围在电陶瓷的构...
    2026-03-10
  • 一种压电复合材料制备方法
    一种压电复合材料制备方法_台州学院_202511776373.2
    本发明公开了一种压电复合材料制备方法，包括：选取钛酸铅锆纳米粉体，配制成浓度为15wt%的聚合物溶液；将钛酸铅锆粉体分散于聚偏氟乙烯溶液中；采用流延工艺将浆料制成厚度约200μm的薄膜，得到复合薄膜坯体；在惰性气氛下与150℃保温1h，促进...
    2026-03-10
  • 一种基于GOMxene柔性光热器件的制备方法与应用
    一种基于GOMxene柔性光热器件的制备方法与应用_长春工业大学_202511646848.6
    本发明涉及新能源材料与柔性器件技术领域，具体是一种基于GOMxene柔性光热器件的制备方法与应用, 该器件依次层叠光热层(GO与MXene质量比1 : 1～1 : 3)、Bi22Te33基热电层、PVA/BNNS复合水凝胶柔性基底层、碳布电...
    2026-03-10
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