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最新专利技术
  • 一种存储电路验证系统及存储电路验证方法
    一种存储电路验证系统及存储电路验证方法_奕行智能科技(广州)有限公司_202610084317.0
    本发明涉及一种存储电路验证系统及存储电路验证方法，存储电路验证系统包括：存储电路，其用于存储数据；存储模型，其与所述存储电路相连，所述存储模型用于模拟存储电路的功能，并验证存储电路的数据以及初始化存储电路；以及验证环境，其与所述存储模型相连...
    2026-04-08
  • 存储装置测试电路、测试治具及测试方法
    存储装置测试电路、测试治具及测试方法_深圳佰维存储科技股份有限公司_202511734179.8
    本申请提供了一种存储装置测试电路、测试治具及测试方法，涉及存储技术领域，该电路包括控制模块、上拉模块和电源转换模块。控制模块的多个检测引脚分别与待测存储装置的多个电源配置标识引脚一一对应连接，控制模块的每个检测引脚还均与上拉模块连接；电源转...
    2026-04-08
  • 用于检测存储设备质量的方法、设备与存储介质
    用于检测存储设备质量的方法、设备与存储介质_合肥大唐存储科技有限公司_202511685672.5
    一种用于检测存储设备质量的方法、设备与存储介质，涉及存储技术领域，其中，该方法包括：获取待检测存储设备的测试参数，测试参数包括在多个温度下对待检测存储设备进行测试得到的多项参数；基于测试参数和预先确定的权重系数，确定用于评估待检测存储设备质...
    2026-04-08
  • 一种数据处理方法、数据纠错方法和Nand颗粒
    一种数据处理方法、数据纠错方法和Nand颗粒_合肥大唐存储科技有限公司_202511676432.9
    一种数据处理方法、数据纠错方法和Nand颗粒。所述数据处理方法应用于包括至少一个平面Plane的Nand颗粒，包括：根据同一平面Plane中多个数据块Block中具有相同编号的页Page中的数据，采用设定的拟合算法确定校验纠错数据；将所述校...
    2026-04-08
  • 一种闪存芯片的抽样测试方法、设备及介质
    一种闪存芯片的抽样测试方法、设备及介质_湖北长江万润半导体技术有限公司_202511651722.8
    本发明公开一种闪存芯片的抽样测试方法、设备及介质，该方法包括：确定闪存芯片单位码长最大错误比特数和页面最大误码率；将块划分为相同的若干个区域；对于所有块的每一个区域，将单位码长错误比特数从大到小排序，选取前第一比例的单位码长错误比特数并记录...
    2026-04-08
  • 闪存测试方法、电子设备及计算机可读存储介质
    闪存测试方法、电子设备及计算机可读存储介质_珠海妙存科技有限公司_202511527319.4
    本发明实施例提供了闪存测试方法、电子设备及计算机可读存储介质。方法包括：获取待检测闪存产品的颗粒类型信息；根据颗粒类型信息确定至少一种闪存操作模式；针对任意一种闪存操作模式，在预设温度条件下，对待检测闪存产品中的各个闪存块进行擦写操作；在闪...
    2026-04-08
  • SSD的测试方法、设备和存储介质
    SSD的测试方法、设备和存储介质_合肥大唐存储科技有限公司_202511676502.0
    本申请提供一种SSD的测试方法、设备和存储介质，该方法通过根据待测固态硬盘SSD中的主控芯片数据加密模块所采用的加密算法选取至少一组标准数据，根据至少一组标准数据，通过主控芯片数据加密模块进行加解密操作，根据得到的结果确定主控芯片数据加密模...
    2026-04-08
  • DRAM颗粒的稳定性测试方法、装置、设备及存储介质
    DRAM颗粒的稳定性测试方法、装置、设备及存储介质_深圳市晶存科技股份有限公司_202610001529.8
    本申请公开了一种DRAM颗粒的稳定性测试方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：将测试系统重启预设次数，在每次测试系统启动过程的通用引导加载程序阶段执行预设测试策略，预设测试策略包括：启用CPU缓存，并配置CPU以去突发传输模式访问DRAM...
    2026-04-08
  • TCG协议功能测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
    TCG协议功能测试方法、装置、可读存储介质及电子设备_成都佰维存储科技有限公司_202511441715.5
    本发明公开了TCG协议功能测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，生成待测固态硬盘的锁定服务提供者，使用用户模型随机生成一目标用户权限，从数据模型中任意选择一目标范围和一目标数据访问类型模型，判断目标用户权限、目标范围和目标数据访问类型模型...
    2026-04-08
  • 闪存纠错的读电压阈值确定方法、闪存设备和计算机程序产品
    闪存纠错的读电压阈值确定方法、闪存设备和计算机程序产品_武汉泰存科技有限公司_202610093518.7
    本申请实施例公开一种闪存纠错的读电压阈值确定方法、闪存设备和计算机程序产品，所述方法包括：采用多个参考电压对一个待纠错页内所有的读电压进行多次偏读，得到该页内每个读电压所采用的多个参考电压的码字及其对应的综合征权重，其中，每次采用一个参考电...
    2026-04-08
  • 一种提高SSD内NANDFlash首次读成功率的方法、装置和介质
    一种提高SSD内NANDFlash首次读成功率的方法、装置和介质_山东华芯半导体有限公司_202511678489.2
    本发明提供了一种提高SSD内NANDFlash首次读成功率的方法、装置和介质，属于固态存储技术领域。该方法先依磨损程度对块一级分组，再按写入温度二级分组；对所有retry轴读取，将写入后电荷不稳定、未写满块时满足纠错要求的轴分别记为a、b类...
    2026-04-08
  • 一种存储器的操作方法、存储器及存储系统
    一种存储器的操作方法、存储器及存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411112632.7
    本公开提供了一种存储器的操作方法、存储器及存储系统，应用于半导体技术领域。该存储器的操作方法包括获取当前环境温度。当前环境温度用于指示存储器当前所处环境的温度。接收待存储数据，在当前环境温度属于第一温度范围时，将待存储数据写入第一存储区域。...
    2026-04-08
  • 记忆体系统、记忆体装置及其操作方法
    记忆体系统、记忆体装置及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510655505.X
    揭示了记忆体系统、装置及其操作方法。在一个态样，一种系统包含一第一记忆体装置。该第一记忆体装置包含一第一记忆体元件、一第一输入端口及耦接于该第一记忆体元件与该第一输入端口之间的一第一内部扫描链。该系统包含一第二记忆体装置。该第二记忆体装置包...
    2026-04-08
  • 面向大模型推理的DRAM差异化刷新方法、系统、介质、程序产品及终端
    面向大模型推理的DRAM差异化刷新方法、系统、介质、程序产品及终端_上海光羽芯辰科技有限公司_202511602901.2
    本申请提供的面向大模型推理的DRAM差异化刷新方法、系统、介质、程序产品及终端，包括：获取DRAM中的各个存储单元对应存储的大模型推理过程中的模型参数；根据模型参数的类型获取对应的DRAM访存请求周期，基于DRAM固定刷新周期分别与各个DR...
    2026-04-08
  • 自动保护电路
    自动保护电路_苏州凌存科技有限公司_202610076061.9
    本发明公开了一种自动保护电路，自动保护电路包含于芯片的驱动电路中，所述驱动电路中的晶体管为低压晶体管，所述驱动电路通过输出节点产生的输出电压的最大值大于所述低压晶体管的最大耐压值。自动保护电路包含第一晶体管和保护模块，保护模块包含第三晶体管...
    2026-04-08
  • 放电电路及存储器
    放电电路及存储器_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511714599.X
    本申请公开了一种放电电路及存储器，该放电电路包括信号生成模块、第一放电模块以及第二放电模块，通过根据放电使能信号生成至少一个控制信号，根据放电使能信号和/或控制信号控制从第一传输线流向第二传输线的第一放电电流，根据控制信号控制从第一传输线流...
    2026-04-08
  • 输出缓冲电路及存储器
    输出缓冲电路及存储器_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511714592.8
    本申请公开了一种输出缓冲电路及存储器，该输出缓冲电路包括缓冲器和输出控制电路，通过缓冲器根据第一控制信号和第二控制信号生成输出信号，输出控制电路根据第一控制信号和第二控制信号中的至少一个向输出端输出电压，可以减少输出信号的电平切换时间，进而...
    2026-04-08
  • 电位控制电路及存储器
    电位控制电路及存储器_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511714268.6
    本申请公开了一种电位控制电路及存储器，该电位控制电路包括逻辑处理模块、第一上拉模块、第二上拉模块以及下拉模块，根据输入信号和复位信号生成第一控制信号和第二控制信号，根据第一控制信号上拉信号端的互连信号的电平后，上拉互连信号的高电平，根据第二...
    2026-04-08
  • 单端灵敏放大器、存储器的读电路和存储器
    单端灵敏放大器、存储器的读电路和存储器_上海优村科技有限公司_202512032822.9
    本公开提供了一种单端灵敏放大器、存储器的读电路和存储器，该单端灵敏放大器包括依次电连接的第一偏置电路、信号读取电路和信号比较电路；信号读取电路与存储器中的存储单元电连接；第一偏置电路用于产生位线读取控制信号，并通过信号读取电路控制存储单元在...
    2026-04-08
  • 单管结构NOR闪存阵列
    单管结构NOR闪存阵列_宁波领开半导体技术有限公司_202511719646.X
    本发明提供一种单管结构NOR闪存阵列。所述单管结构NOR闪存阵列中，多个存储管在基底上行列排布；每两条局部位线为一组，同一列的存储管对应一组局部位线，存储管的第一源漏端与对应的一组局部位线中的一条连接，第二源漏端与另一条局部位线连接；每条字...
    2026-04-08
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