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一种链条加工发黑处理工艺
本发明涉及一种链条加工发黑处理工艺,包括以下步骤:S1:上料,将待处理的链条装入发黑设备处于上料工位的吊篮中;S2:浸渍与动态处理,通过转盘的间歇转动,将装载链条的吊篮浸入发黑箱的发黑处理液中,同时启动拨动机构对吊篮内的链条进行翻动,并启动...
一种含铁铝青铜表面用置换镀铜液及其使用方法
本发明公开了一种含铁铝青铜表面用置换镀铜液及其使用方法。只需将待处理的铝青铜试样进行除油、除锈之后,将其浸泡在置换镀铜液中,即可在表面生成均匀且与基体结合力良好的金属铜层。本发明中所提及的置换镀铜液外观为蓝色稳定的透明溶液,制备金属铜层所需...
触摸屏金属网格专用化学镀铜剂
本发明公开了触摸屏金属网格专用化学镀铜剂,涉及电子材料化学技术领域,具体为触摸屏金属网格专用化学镀铜剂,所述镀液以去离子水为溶剂,每升包含硫酸铜10‑15g、乙醛酸2‑4g、甲醛8‑12mL、EDTA四钠25‑35g、聚天冬氨酸10‑15g...
一种碳纤维表面高结合力镀镍的方法及其专用活化液
本发明涉及复合材料表面处理技术领域,具体涉及一种碳纤维表面高结合力镀镍的方法及其专用活化液。本发明提出的方法首先对碳纤维进行脱浆和粗化预处理,然后采用一种以钴盐、配位剂和还原剂为核心的新型环保活化液进行活化,最后进行化学镀镍和可选的电镀加厚...
一种基于钴铬L605的心脏支架材料及其制备方法
本发明属于生物医用材料技术领域,具体涉及一种基于钴铬L605的心脏支架材料及其制备方法。其组成包括下述原料:钴铬L605合金管材、有机溶剂、碱性清洗液、酸性活化溶液、中和液、电解液、柠檬酸钝化液和钛酸四异丙酯。本发明通过清洁去污、活化、电解...
传输通道和半导体装置
本发明公开了一种传输通道和半导体装置。该传输通道包括上传输通道和下传输通道。上传输通道的底部具有第一调节板,所述第一调节板上分布多个开孔;下传输通道与所述上传输通道底部连通,其上部具有第二调节板,所述第二调节板上分布多个开孔;所述第一调节板...
一种光伏电池双侧边镀膜设备及镀膜方法
本发明公开了一种光伏电池双侧边镀膜设备及镀膜方法,包括内部设有反应炉管的炉体;所述反应炉管的两端分别设有进气口和抽气口;所述反应炉管内部设有带放电功能的载具,且载具通过电极杆连接至外部电源,电池片放置在载具内;当接通电源后,电池片的切割面与...
PECVD下电极
本发明公开了一种PECVD下电极,包括极板、陶瓷桶、加热管套筒和密封结构,陶瓷桶连接于所述极板;加热管套筒连接于极板并穿设于陶瓷桶内,其一端露出于陶瓷桶;密封结构连接于加热管套筒和陶瓷桶,包括底部块、第一间隔块和第一密封圈,底部块同时套接于...
辅助调平装置、工艺腔室和喷淋板的调平方法
本发明公开了一种辅助调平装置、工艺腔室和喷淋板的调平方法。该辅助调平装置包括:波纹管,可活动地轴向抵接腔体与上平板之间,其中,上平板的下层连接喷淋板;测距工装,放置于调平后的加热盘上,用于获取加热盘表面到其上方的喷淋板之间的多个初始距离值;...
一种多腔室气体传输系统及其控制方法、一种多腔室设备
本发明提供了一种多腔室气体传输系统、一种多腔室设备及一种多腔室气体传输系统的控制方法。该多腔室气体传输系统包括多条分支管路,各分支管路的第一端连接气源,各分支管路的第二端分别连接至少一个反应腔室。至少一条分支管路上设有波纹管结构,并配置有驱...
一种涓流化辅助制造的原子层沉积装置和方法
本发明公开了一种涓流化辅助制造的原子层沉积装置和方法。所述涓流化辅助制造的原子层沉积装置包括:涓流化辅助系统、反应腔体、前驱体源系统、气路系统、尾气处理系统、控制系统和供电系统。所述涓流化辅助系统能将进入所述反应腔体的前驱体源进行涓流化处理...
供气系统、半导体器件的工艺设备和工艺方法
本发明公开了一种供气系统、半导体器件的工艺设备和半导体器件的工艺方法。供气系统包括:储气罐,用于储存气态反应源,其中,所述储气罐的下方设有阀门;以及烘烤箱,坐落于喷淋板上方,其内部存放所述储气罐,所述烘烤箱的内壁布设镜面结构,用于将热辐射到...
一种高纯液态前驱体输送装置
本发明属于集成电路的技术领域,更具体地说,它涉及一种高纯液态前驱体输送装置,其技术方案要点是:包括瓶体、分隔层、雾化组件、进料管和出料管;其中瓶体作为装置的主体结构,内部通过分隔层被划分为两个独立的腔室:第一腔室和第二腔室。第一腔室主要用于...
一种银包覆石墨烯铜复合材料及其制备方法
本申请涉及复合金属材料技术领域,尤其涉及一种银包覆石墨烯铜复合材料及其制备方法,旨在解决传统银包铜粉银用量高、银层易破损致铜氧化、导电性不足的问题。该方法包括:在铜粉基底上通过化学气相沉积原位形成石墨烯包覆层,得到石墨烯铜粉;对石墨烯铜粉进...
一种用于石墨制品表面形成碳化硅涂层的设备
本申请涉及化学气相沉积技术领域,且公开了一种用于石墨制品表面形成碳化硅涂层的设备,包括送气组件,且送气组件包括外壳体,所述外壳体的内部同轴套接有内壳体,所述外壳体上设置有两个保护组件,且两个保护组件的一端均与外壳体和内壳体之间的空间连通,所...
吸附片的清洗方法及其清洗装置
本申请涉及一种吸附片的清洗方法及其清洗装置。该清洗方法包括:判断吸附片是否需要清洗;若是,则对吸附片执行干法清洗工艺;判断干法清洗工艺的执行次数是否达到第一预设次数;若是,则于吸附片形成有吸附图案的表面形成修复层;所述吸附图案用于吸附沉积工...
氧化膜的沉积方法、装置及化学气相沉积设备
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种氧化膜的沉积方法、装置及化学气相沉积设备,方法包括:在空闲阶段结束且当前批次晶圆未载入腔室时,对腔室进行升温处理;在腔室的温度从第一温度升至目标温度后,将当前批次晶圆载入腔室,并在当前批次晶圆表面沉积形成...
一体式加热器及其制备方法
本申请提供了一种一体式加热器及其制备方法,制备方法包括:分别制备基体和电极柱,所述基体具有相对的第一面和第二面,所述基体上开设有电极孔;将电极柱与所述电极孔过盈配合,所述电极柱位于所述基体的第一面一侧,所述电极柱的一端穿过所述电极孔暴露于所...
2H-SiC薄膜及其制备方法
本申请涉及一种2H‑SiC薄膜及其制备方法,所述制备方法包括:通入甲基三氯硅烷与氩气、氢气的混合气体,对石墨基底进行化学气相沉积,在所述石墨基底表面形成2H‑SiC薄膜;在所述混合气体中,所述氢气与所述甲基三氯硅烷的输送流量之比大于15 :...
一种手术刀及用于手术刀的金刚石薄膜的制备方法
本发明涉及一种用于手术刀的金刚石薄膜的制备方法,步骤为:对手术刀基材进行选择并预处理;采用含偏压电源的热丝化学气相沉积与等离子体增强化学气相沉积结合形成的一体化设备,对手术刀刀刃进行等离子体减薄与锐化处理;将手术刀刀片浸入含纳米金刚石粉末的...
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