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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511371538.8
    提供一种方法，包括提供具有用于n型场效晶体管(nFETs)的N型区和用于p型场效晶体管(pFETs)的P型区的基板；在N型区和P型区形成栅极介电层以包绕垂直堆叠的通道；将栅极介电层于N型区的第一部分进行偶极处理，而栅极介电层于P型区的第二部...
    2026-03-05
  • 堆叠半导体器件
    堆叠半导体器件_三星电子株式会社_202511122988.3
    提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：在第一层级处的第一源极/漏极图案；在与第一层级垂直不同的第二层级处的第二源极/漏极图案；以及在第一源极/漏极图案上的第一接触结构，其中第一源极/漏极图案的一部分在第一接触结构的第一凹陷中。
    2026-03-05
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510464455.7
    一种示例半导体器件包括：晶体管；第一器件；后侧绝缘结构，位于所述晶体管和所述第一器件下方；前侧导电结构，位于所述晶体管和所述第一器件上；钝化结构，位于所述第一器件与所述后侧绝缘结构之间；后侧导电图案，位于所述后侧绝缘结构与所述晶体管之间；以...
    2026-03-05
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510391177.7
    一种半导体装置包括：有源图案，在第一方向上彼此间隔开，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸；下沟道图案和下源极/漏极图案，在有源图案上，其中，下沟道图案和下源极/漏极图案在第二方向上交替地布置；上沟道图案和上源极/漏极图案，上沟道图案在下沟...
    2026-03-05
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511639179.X
    本申请涉及一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，衬底包括多个间隔设置的有源区及设于有源区间的隔离结构；第一半导体层，包括与有源区顶面直接接触的第一部分，以及与有源区侧壁直接接触的第二部分，第一部分与第二部分不连续；栅极结构，位于...
    2026-03-05
  • 一种碳化硅-氮化镓异构集成高压功率器件结构
    一种碳化硅-氮化镓异构集成高压功率器件结构_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610050736.2
    本发明涉及氮化镓晶体管技术领域，且公开了一种碳化硅‑氮化镓异构集成高压功率器件结构，包括由若干相互并列的MOS元胞组成的碳化硅器件，和由两个GaN结构组成的氮化镓器件，其中所述氮化镓器件位于碳化硅器件的背面；单个所述MOS元胞包括半导体外延...
    2026-03-05
  • 半导体装置
    半导体装置_鸿海精密工业股份有限公司_202411091490.0
    一种半导体装置包含基板、栅极结构、阱区、第一基极区以及第二基极区。栅极结构位于基板上。阱区位于基板内，其中阱区与栅极结构在垂直方向上至少部分重叠。第一基极区位于基板内且位于阱区的一侧，其中第一基极区与栅极结构在垂直方向上不重叠。第二基极区位...
    2026-03-05
  • 一种晶体管中源漏硅回刻的形成方法
    一种晶体管中源漏硅回刻的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411107661.4
    一种晶体管中源漏硅回刻的形成方法，包括：提供基底，基底包括器件区，器件区的基底的顶部凸立有沟道凸起部；在器件区中，形成横跨沟道凸起部的栅极结构，且栅极结构覆盖沟道凸起部的部分顶部和部分侧壁；在沟道凸起部的表面和栅极结构的表面形成侧墙材料层；...
    2026-03-05
  • 一种金属硅化物制备方法和半导体器件
    一种金属硅化物制备方法和半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610044939.0
    本申请提出了一种金属硅化物制备方法和半导体器件，该方法在形成硅化物阻挡层的临时氧化硅层之前，在衬底上沉积氮化硅薄膜；将氮化硅薄膜氧化成第一氧化硅层；在第一氧化硅层表面形成第二氧化硅层，第一氧化硅层和第二氧化硅层共同构成氧化硅层，此时位于NM...
    2026-03-05
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610032730.2
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括：提供基底，基底包括间隔设置的第一器件区和第二器件区；于各器件区上形成初始叠层结构，初始叠层结构包括初始栅极结构和第一介质层，第一介质层位于初始栅极结构远离基底的一侧；...
    2026-03-05
  • 包括PCB的功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法
    包括PCB的功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法_英飞凌科技股份有限公司_202511094695.9
    一种功率半导体封装包括：金属板，所述金属板包括第一侧和相对的第二侧；侧壁，所述侧壁沿着金属板的第一侧的边缘延伸并且围绕金属板的第一侧的内部部分；至少一个管芯载体，所述至少一个管芯载体布置在金属板的第一侧的内部部分之上；功率半导体管芯，所述功...
    2026-03-05
  • 功率模块和功率模块的制备方法
    功率模块和功率模块的制备方法_环旭(深圳)电子科创有限公司_202511712031.4
    本申请提供了一种功率模块和功率模块的制备方法，功率模块包括：基板，具有并排在绝缘层上的第一电路层和第二电路层；位于基板上的第一预封装功率芯片，具有位于同一面的源极和信号极、与源极相对设置在另一面上的漏极，第一预封装功率芯片的源极和信号极朝向...
    2026-03-05
  • 场板制作方法以及半导体器件
    场板制作方法以及半导体器件_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511544172.X
    本申请提供了一种半导体器件的场板制作方法，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括中间介质层、形成在所述中间介质层上的停止层和形成在所述停止层上的刻蚀介质层；图形化所述刻蚀介质层和停止层，以形成场板开口，同时所述停止层在所述场板开...
    2026-03-05
  • SiC外延晶片和SiC器件
    SiC外延晶片和SiC器件_株式会社力森诺科_202511122975.6
    本发明为SiC外延晶片和SiC器件。本实施方式的SiC外延晶片，具备SiC基板和位于所述SiC基板的一面的SiC外延层。所述SiC外延层具有缓冲层和漂移层。所述缓冲层位于所述漂移层与所述SiC基板之间且杂质浓度比所述漂移层高。所述缓冲层的杂...
    2026-03-05
  • 一种具有分区掺杂浮岛的双源极横向碳化硅功率器件
    一种具有分区掺杂浮岛的双源极横向碳化硅功率器件_南京邮电大学_202511739091.5
    本发明公开了一种具有分区掺杂浮岛的双源极横向碳化硅功率器件，包括碳化硅N型掺杂半导体外延层、P型掺杂半导体阱、两个源极金属和若干个P型掺杂半导体浮岛；若干P型掺杂半导体浮岛等距并列布设在P型掺杂半导体阱一侧的碳化硅N型掺杂半导体外延层顶部；...
    2026-03-05
  • 复合终端结构和半导体器件
    复合终端结构和半导体器件_珠海格力电子元器件有限公司_202511694689.7
    本申请提供了一种复合终端结构和半导体器件，该复合终端结构，包括：衬底结构；多个在预定方向上间隔设置的掺杂区，位于衬底结构中，掺杂区包括掺杂区本体和沟槽，沟槽位于掺杂区本体中，掺杂区的掺杂类型与衬底结构的掺杂类型不同，预定方向为元胞指向终端的...
    2026-03-05
  • 具有本征半导体隔离区的碳化硅功率器件及其制备方法
    具有本征半导体隔离区的碳化硅功率器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511619221.1
    本发明公开了一种具有本征半导体隔离区的碳化硅功率器件及其制备方法，通过在n型外延源区上刻蚀沟槽，并在沟槽底部进行离子注入形成pp区，使得pp区与n型外延源区在垂直方向上错位分布，减小了两者之间的接触面积；在n型外延源区上通过斜角离子注入形成...
    2026-03-05
  • 高抗单粒子烧毁能力的碳化硅功率器件及其制备方法
    高抗单粒子烧毁能力的碳化硅功率器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511603004.3
    本发明公开了一种高抗单粒子烧毁能力的碳化硅功率器件及其制备方法，该器件包括：n型衬底、n型外延漂移层和漏极金属；n型外延漂移层的上部中间设有JFET区，所述JFET区的两侧均间隔设置离子注入区；所述离子注入区中设有p型屏蔽区、隔离层、pp区...
    2026-03-05
  • 半导体终端结构及半导体器件
    半导体终端结构及半导体器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510700189.3
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体终端结构及半导体器件。该半导体终端结构包括：衬底；外延层，位于衬底上方，外延层具有第一离子掺杂类型；多个结终端扩展层，形成于外延层内，多个结终端扩展层具有第二离子掺杂类型；多个结终端扩展层将部分...
    2026-03-05
  • 薄膜晶体管
    薄膜晶体管_三星显示有限公司_202511068988.X
    提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基底；有源图案，包括第一区域、第二区域和沟道区；栅电极，与沟道区叠置；栅极绝缘层，在有源图案与栅电极之间；第一电极，连接到第一区域；以及第二电极，连接到第二区域。沟道区包括与栅电极的侧表面叠置的第一...
    2026-03-05
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