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最新专利技术
  • 半导体测试结构及其制备方法
    半导体测试结构及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202511563695.9
    本申请涉及一种半导体测试结构及其制备方法，包括：衬底、栅极区；衬底内包括沿第一方向及/或第二方向间隔分布的多个有源区，以及经由衬底的第一表面向多个有源区内延伸的多个第一接触插塞；多个第一接触插塞沿第二方向间隔排列；第一方向、第二方向相交且均...
    2026-02-18
  • 测试元件以及制造该测试元件的方法
    测试元件以及制造该测试元件的方法_乐金显示有限公司_202511067611.2
    公开了测试元件以及制造该测试元件的方法。该测试元件可以包括：基层；在基层的部分上的堤；在基层上和堤上的第一层；在第一层上的光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层包括图案化区域；以及位于光致抗蚀剂层上的第二层。堤上的第一层的第一区域的高度可以高于基层上...
    2026-02-18
  • 叠对标记以及半导体结构的叠对测量方法
    叠对标记以及半导体结构的叠对测量方法_联华电子股份有限公司_202411119810.9
    本发明公开一种叠对标记以及半导体结构的叠对测量方法，其中叠对标记包含四个子标记，共同组成叠对标记，其中每一个子标记中包含一基底，定义有一内区以及一外区，多个第一轴心(mandrel)结构位于内区，以及多个第二轴心结构位于外区，其中各第一轴心...
    2026-02-18
  • 测试元件组、显示大板、显示面板的制备方法及显示装置
    测试元件组、显示大板、显示面板的制备方法及显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202411051751.6
    本申请提供了一种测试元件组、显示大板、显示面板的制备方法及显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有技术中显示产品的阴极的搭接情况无法确定的问题。测试元件组包括基板、引出结构、支撑结构、多个隔离结构和测试电极，引出结构位于基板一侧，支撑结构位于...
    2026-02-18
  • 测试结构以及测试方法
    测试结构以及测试方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411048260.6
    一种测试结构及测试方法，测试结构包括：待测金属极板，待测金属极板具有第一端以及与其相对的第二端；第一金属极板，与待测金属极板的第一端电连接；第二金属极板，与待测金属极板的第二端电连接；第一电流信号加载端，与第一金属极板电连接；第一电压信号加...
    2026-02-18
  • 包括无源组件的半导体封装件
    包括无源组件的半导体封装件_爱思开海力士有限公司_202510333358.4
    本申请涉及包括无源组件的半导体封装件。一种半导体封装件包括：设置在基板上的半导体芯片；设置在基板上的第一无源组件和第二无源组件；以及设置在基板上并且覆盖半导体芯片、第一无源组件和第二无源组件的密封剂。第一电极在基板的绝缘层上设置于第一无源组...
    2026-02-18
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_芯盟科技有限公司_202511649136.X
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：位线，所述位线沿第一方向延伸；绝缘层，所述绝缘层位于所述位线的顶部上；屏蔽层，所述屏蔽层位于所述位线沿第二方向的两侧，且所述屏蔽层露出位线的顶部上的绝缘层。屏蔽层仅位于位线沿第二方向的两侧，且露出...
    2026-02-18
  • 提高栅极抗干扰能力的单片集成功率器件结构及其制备方法
    提高栅极抗干扰能力的单片集成功率器件结构及其制备方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511314555.8
    本申请涉及一种提高栅极抗干扰能力的单片集成功率器件结构及其制备方法，其中，单片集成功率器件结构包括衬底、功率器件结构和滤波结构，功率器件结构和滤波结构位于同一衬底上，实现了功率器件结构和滤波结构的单片集成，结构简单。滤波结构和功率器件结构的...
    2026-02-18
  • 一种液冷散热装置
    一种液冷散热装置_长沙科拓电气有限公司_202511682309.8
    本发明的一种液冷散热装置，涉及电子器件散热技术领域，包括壳体和水道，壳体的侧面设有冷却液的流入口和流出口，壳体的下表面设置有翅片状凸起；水道设置在壳体内部，且连接在流入口和流出口之间，扰流组件间隔布置在水道内。本发明无需依赖散热风扇，不受外...
    2026-02-18
  • 一种气、液分离的高效散热系统及其加工方法
    一种气、液分离的高效散热系统及其加工方法_深圳莹帆科技有限责任公司_202511629571.6
    本发明公开了一种气、液分离的高效散热系统及其加工方法，包括：散热器组件：包括3D_VC、散热鳍片，所述3D_VC由VC均温板以及固定于VC均温板上的多根热管组成，热管中空且内部腔室与VC均温板连通，多根所述热管分别嵌入散热鳍片并焊接；高压密...
    2026-02-18
  • 一种微通道热沉
    一种微通道热沉_天津城建大学_202511961588.1
    本发明公开了一种微通道热沉，包括上下叠置的基板和封装片，封装片上分别开有流体入口和流体出口，基板上设置有凹槽，中间设置带有分段式平行四边形肋壁的微通道，微通道两侧的凹槽区域为入口蓄液槽和出口蓄液槽。分段式平行四边形肋壁微通道热沉前半部分为尺...
    2026-02-18
  • 一种带有散热组件的嵌入式功率模块及逆变器
    一种带有散热组件的嵌入式功率模块及逆变器_江苏尊阳电子科技有限公司_202511906061.9
    本发明涉及一种带有散热组件的嵌入式功率模块，包括嵌入式模块、散热组件和连接材料；嵌入式模块的底部通过连接材料设置有散热组件；散热组件包括均温板和若干散热片；均温板通过连接材料贴装在嵌入式模块的底部；若干散热片均匀设置在均温板的底部。本发明还...
    2026-02-18
  • 一种冷却工质直喷芯片的散热装置及封装结构
    一种冷却工质直喷芯片的散热装置及封装结构_厦门大学_202511746801.7
    本申请公开了一种冷却工质直喷芯片的散热装置及封装结构，散热装置包括布置在封装体具有芯片组件一侧的散热主体，散热主体上设有冷却工质输入通道和冷却工质输出通道，冷却工质输入通道包括布置在其出口端并正对芯片组件背部的微孔阵列，微孔阵列与芯片组件之...
    2026-02-18
  • 一种半导体器件及半导体器件的制造方法
    一种半导体器件及半导体器件的制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511554532.4
    本发明公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，包括：基板，包括第一区域和第二区域，第一区域形成有连接结构，第二区域形成有散热结构，散热结构包括多个散热层、间隔以及填充于间隔的导热材料，其中，在平行于基板表面方向上，间隔位于相邻的散热层之间。...
    2026-02-18
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511466214.2
    提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包含封装衬底和位于封装衬底上方的第一封装组件。第一封装组件可以包含第一半导体管芯和位于第一半导体管芯上方的散热衬底。散热衬底可以包括基部部分和位于基部部分的第一表面上的第一涂覆部分。第一涂覆部...
    2026-02-18
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511535155.X
    本申请公开了半导体器件及其制造方法，该方法通过提供基体，基体包括半导体衬底和栅极结构，栅极结构位于半导体衬底上，栅极结构包括金属栅；形成掩膜层覆盖金属栅；形成层间介质层覆盖基体，并覆盖掩膜层；利用掩膜层作为蚀刻停止层进行干法刻蚀，以暴露出掩...
    2026-02-18
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411119714.4
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为主要先提供一堆叠结构包含一浅沟隔离设于该第一基底下、一接触洞蚀刻停止层设于该浅沟隔离下、一层间介电层设于该接触洞蚀刻停止层下以及一第一金属内连线设于该层间介电层下。然后形成一第...
    2026-02-18
  • 深沟槽隔离结构及其制作方法
    深沟槽隔离结构及其制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511664153.0
    本申请提供一种深沟槽隔离结构及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底内形成有深沟槽；依次执行第一氧化工艺与第二氧化工艺，在深沟槽的侧壁及底部依次形成第一氧化层与第二氧化层，第一氧化工艺为在含氯气体的氛围中进行氧化，第二氧化工艺为湿法氧化；...
    2026-02-18
  • 一种晶圆回温系统
    一种晶圆回温系统_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511381910.3
    本发明公开了一种晶圆回温系统，包括：换热器、分子泵以及用于放置待回温晶圆的片库；所述分子泵通过管道连接至片库，以实现片库内抽真空；所述片库设有排废管道，以实现片库内的气体外排；所述换热器的进气口通过惰性气体输入管与外部惰性气体源连接，换热器...
    2026-02-18
  • 半导体衬底及其制备方法
    半导体衬底及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511339391.4
    本公开提供了半导体衬底及其制备方法，所述制备方法包括：在1000~1250℃的温度范围内对经掺杂的基板进行不小于2小时的热处理，使所述基板中的掺杂元素向所述基板的表面扩散，以形成杂质阻挡层；在所述基板的所述杂质阻挡层上生长多晶硅层，以形成所...
    2026-02-18
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