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最新专利技术
  • 电阻式随机存取存储器与其形成方法
    电阻式随机存取存储器与其形成方法_联华电子股份有限公司_202411256637.7
    本发明公开一种电阻式随机存取存储器以及其形成方法，此电阻式随机存取存储器包括：第一电极，嵌入第一介电层中且具有弧形凸顶面；电阻转换层，位于第一电极的弧形凸顶面上；以及第二电极，位于电阻转换层上。
    2026-02-14
  • 柱状三维磁存储单元及写入方法
    柱状三维磁存储单元及写入方法_西安交通大学_202411048001.3
    公开了一种柱状三维磁存储单元及写入方法，磁存储单元中，中心纳米柱为具有自旋轨道耦合效应的材料制成的纳米柱结构；磁存储层包裹所述中心纳米柱外侧，磁自由层围绕且接触所述中心纳米柱，磁自由层的极化方向为沿纳米柱结构轴向延伸，所述磁自由层的磁化翻转...
    2026-02-14
  • 多层面存储器的板极布线架构
    多层面存储器的板极布线架构_美光科技公司_202511055095.1
    本申请案涉及多层面存储器的板极布线架构。一种存储器阵列可包含存储器单元的上层面及下层面，例如铁电随机存取存储器FeRAM存储器单元。存储器单元的所述下层面可定位在所述上层面与衬底之间。与存储器单元的所述下层面相关联的第一板极线可与存储器单元...
    2026-02-14
  • 高集成度纳米栅铁电3D-NAND闪存及其制备方法
    高集成度纳米栅铁电3D-NAND闪存及其制备方法_北京大学_202511672017.6
    本发明涉及一种高集成度纳米栅铁电3D‑NAND闪存及其制备方法，属于存储器件领域，包括一衬底，在衬底上设置有第一绝缘介质层及堆叠结构，在堆叠结构上包括交错层叠的若干第二绝缘介质层和FeFET存储结构；贯穿第一绝缘介质层和堆叠结构的若干通孔，...
    2026-02-14
  • 一种纳米栅铁电3D-NAND闪存及其制备方法
    一种纳米栅铁电3D-NAND闪存及其制备方法_北京大学_202511671105.4
    本发明涉及一种纳米栅铁电3D‑NAND闪存及其制备方法，属于存储器件领域，包括一衬底，在衬底上设置有第一绝缘介质层及堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第二绝缘介质层和FeFET单元；贯穿第一绝缘介质层和堆叠结构的若干通孔，在每个通孔侧壁依...
    2026-02-14
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510182960.2
    本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的绝缘层和导电层；狭缝结构，其延伸穿过所述栅极结构；沟道层，其延伸穿过所述栅极结构；数据存储层，其包括位于所述导电层中的每一个和所述沟道层之间的第一部分...
    2026-02-14
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510162634.5
    本公开的一个实施方式提供能够实现电气特性的提高的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。一个实施方式的半导体存储装置具备层叠体和柱状体。所述层叠体包括多个栅电极层和多个绝缘层。在将与所述第1方向交叉的方向设为第2方向，定义通过所述柱状体的...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411054961.0
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底；栅极叠层，位于基底上，栅极叠层包括多个自下而上交替堆叠的隔离层与栅极层；沟道环，沟道环为贯穿栅极叠层的环形柱状结构；源极柱与漏极柱，贯穿于沟道环内部，源极柱与漏极柱分别与相对位置处的沟道环相接触，...
    2026-02-14
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510268806.7
    本发明既抑制接口速度的劣化又缩小芯片尺寸。实施方式的存储装置包含衬底(W1)、第1电路层(100)、第2电路层(200)及布线层(300)。衬底具有第1区域(AA)及第2区域(DA)。第1电路层包含CMOS电路。布线层设置在第2电路层的上方...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411053104.9
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：沿垂直于所述衬底方向堆叠的多个存储单元，字线和位线；所述字线平行于所述衬底方向延伸，所述位线垂直于所述衬底方向延伸，所述存储单元包括：晶体管以及电容；所述晶体管包...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411045440.9
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该制造方法包括：多个第一过孔沿第一方向排列，通过第一过孔回刻第一隔离层，在第一隔离层中形成沿第一方向贯通的第一通道和沿第二方向延伸的第一凹槽；形成填充第一过孔、第一通道和第一凹槽的牺牲层；多...
    2026-02-14
  • 闪存结构、阵列、半导体器件的制造方法、及集成电路
    闪存结构、阵列、半导体器件的制造方法、及集成电路_上海谛希半导体科技有限公司_202511588472.8
    一种闪存结构、阵列、半导体器件的制造方法、及集成电路。闪存结构，包括形成于衬底上的第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元包括：第一漏极和第一栅极；第二存储单元包括：第二漏极和第二栅极，第一存储单元和第二存储单元共用源极；源极形成于衬底的第...
    2026-02-14
  • 三维NAND存储器的制造方法
    三维NAND存储器的制造方法_英特尔NDTM美国有限公司_202411050108.1
    本发明提供一种三维NAND存储器的制造方法，其包括：准备层叠结构体的工序，层叠结构体包括交替层叠地设置的字线层和第1电介质层，在层叠结构体中形成了沿作为层叠方向的第1方向贯通层叠结构体的多个第1通孔，多个第1通孔中的一部分第1通孔为特定第1...
    2026-02-14
  • 多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用
    多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511991185.1
    本发明提供了一种多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用。所述存储器包括：氧化镓层，包括多个氧化镓沟道；源极和漏极；栅介质层，叠设在氧化镓层上；多个浮栅，与氧化镓沟道相应设置；多个控制栅，对应设置在多个浮栅上；隧穿层，设置在控制栅与浮栅之间...
    2026-02-14
  • 可重构的二维浮栅存储器
    可重构的二维浮栅存储器_华中科技大学_202511584432.6
    本申请公开了可重构的二维浮栅存储器，所述存储器为层状结构，可重构记忆的机制主要依赖于浮栅层材料的光敏特性，即光照可提高其关态电流。在暗态小栅压范围内，浮栅层处于关闭状态，此时存储机制为电容耦合效应，表现为短期记忆；当光照作用下，浮栅层开启，...
    2026-02-14
  • 一种存储单元及存储器件
    一种存储单元及存储器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511543546.6
    本发明公开了一种存储单元及存储器件，包括：衬底；基体凹槽，从衬底的一侧表面向衬底延伸，其中，基体凹槽底部的一部分内壁上设置有栅绝缘层；半浮栅，填充在基体凹槽的底部，其中，半浮栅的一部分藉由栅绝缘层和衬底隔离，半浮栅的另一部分与衬底接触；栅间...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其制造方法和读写方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法和读写方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411053348.7
    一种半导体器件及其制造方法和读写方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：存储单元，所述存储单元包括读取晶体管和写入晶体管；所述读取晶体管包括第一半导体层、第一栅电极和位于所述第一半导体层与所述第一栅电极之间的栅极绝缘层；所述...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411045147.2
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备。半导体结构的制备方法包括：在衬底上形成介质层组；介质层组包括多个交替分布的第一介质层和第二介质层；刻蚀介质层组，使介质层组的一侧侧壁形成目标斜面；基于目标斜面，横向刻蚀各第二介质层，以于各第二...
    2026-02-14
  • 存储器设备和制造该存储器设备的方法
    存储器设备和制造该存储器设备的方法_爱思开海力士有限公司_202510334132.6
    本文提供一种存储器设备和制造该存储器设备的方法。该存储器设备包括：堆叠结构，其包括在单元阵列区域和接触区域中交替堆叠的多个导电层和多个层间绝缘层；多个单元插塞，其形成在单元阵列区域中的堆叠结构内；多个选择线接触部，其耦合到多个导电层当中的被...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411046311.1
    本发明涉及半导体存储器技术领域，公开了半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统，该半导体结构包括堆叠结构、第一沟道结构、第二绝缘层、顶部选择栅极层及第二沟道结构。堆叠结构包括交替设置的第一绝缘层和第一导电层，第一沟道结构贯穿堆叠结构，第二绝...
    2026-02-14
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