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  • 本发明公开了基于RDL工艺的射频无源器件热管理结构制造方法,涉及射频无源器件技术领域,制造方法包括如下步骤:S1、射频电路是通过将多功能芯片和功分器芯片通过环氧树脂进行封装,之后再通过焊球倒焊在射频基板之上,而发热的功放芯片、低噪放芯片以及...
  • 一种半导体封装结构及其制造方法,该方法包括:在载体晶圆的表面上形成第一封装单元,第一封装单元包括第一重布线层、第一连接部、第一芯片、第一塑封层、第二重布线层和第二连接部,第二连接部凸设于第二重布线层的表面和/或第二连接部齐平于第二重布线层的...
  • 本发明提供一种三维堆叠的光电共封装结构及其封装方法,通过光芯片与转接板晶圆的C2W键合形成三维堆叠结构,可以允许各光芯片分别加工,之后再键合在转接板晶圆上,降低封装工艺复杂度,提高封装可靠性;另外,每层光芯片焊盘区的焊盘均会与电互连区的部分...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,提供了一种封装结构和相应的制备方法,包括:第一基板,所述第一基板具有第一孔类结构;第二基板,位于所述第一基板表面,所述第二基板具有第二孔类结构;散热盖,位于所述第二基板表面;第二螺栓,所述第二螺栓穿过所述第二孔...
  • 本发明公开了一种肖特基二极管低热阻表贴封装结构,包括管座;所述管座一端加工有隔离槽,隔离槽的底部加工有通孔, 隔离槽内设有芯片座, 芯片座的底部设有第一电极从通孔伸出管座底部,所述芯片座上焊接有芯片,所述管座的另一端固定安装有欧姆电极, 欧...
  • 本发明涉及半导体芯片封装技术领域,尤其为一种半导体芯片的低温封装装置及其封装工艺,包括封装平台,封装平台内部底端固定连接有驱动电机,驱动电机主轴顶端固定连接有转轴,转轴顶端从上到下依次安装有送料转盘和异型支撑板,异型支撑板开口端下侧安装有底...
  • 本发明公开了一种封装结构及其制备方法,所述封装结构包括:第一玻璃板,所述第一玻璃板上贯穿设有通孔,所述第一玻璃板相对的两表面上分别设有第一薄膜层和第二薄膜层,所述第一薄膜层为多晶硅薄膜层或非晶硅薄膜层,所述第二薄膜层为多晶硅薄膜层或非晶硅薄...
  • 本发明提供了芯片封装结构及其制备方法、电子设备,解决了现有技术中芯片封装结构技术难度高的问题。在每个芯片封装单元中设置封装载体、布线层、芯片、封装层和导电柱,导电柱至少设置在封装载体和封装层内,芯片焊接于位于布线层内的走线,通过走线将芯片的...
  • 本发明提供了一种高密度衬底封装结构及其制备方法,涉及芯片封装技术领域,高密度衬底封装结构包括多个第一芯片、塑封层、布线组合层、至少一个第二芯片、基板和填充胶层;塑封层一侧表面形成有凹槽;布线组合层位于塑封层设置有凹槽的一侧表面或背离凹槽的一...
  • 本发明涉及射频系统封装技术领域,具体为一种兼顾散热与隔离的多通道射频微系统封装架构和方法。本发明一方面通过金属屏蔽块对两侧的各射频功率芯片形成三明治结构的通道间电磁屏蔽,另一方面通过在各射频功率芯片顶部加载金属导热块再与整个系统的顶部热沉通...
  • 本发明涉及一种功率模块(1),所述功率模块包括导热并且电绝缘的载体(2),在所述载体上施加有至少一个结构化的金属覆层(4),在所述结构化的金属覆层上布置有至少一个功率半导体(5),其中,所述功率模块(1)具有至少一个绝缘层(6),在所述绝缘...
  • 本发明提供一种电子装置及一种制造电子装置的方法。所述电子装置包含第一导电层及第一电源裸片。所述第一导电层包含第一部分及与所述第一部分分离的第二部分。所述第一电源裸片安置于所述第一导电层上方且具有第一表面。所述第一电源裸片包含从所述第一表面暴...
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法,涉及半导体技术领域。半导体结构,包括:衬底,具有相对的正面和背面;器件层,覆盖衬底的正面,器件层设有芯片有效区和切割道区,切割道区设置于芯片有效区外周;保护层,覆盖器件层之上;防护结构,设置于保护层中...
  • 本发明公开了一种大功率平面SiCMOSFET功率器件封装结构,属于SiCMOSFET功率器件封装技术领域,包括支撑底座以及安装在支撑底座上的热压组件,支撑底座上安装有托举组件,托举组件上安装有收集组件,收集组件上安装有开启组件,热压组件上安...
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种不对称双向TVS管的钝化工艺。本发明通过采用湿氧化方法在硅片表面生长一层二氧化硅绝缘层,仅对器件表面的电性环境进行调控,不改变硅片体内的掺杂浓度与电压分布;二氧化硅绝缘层具备优异的绝缘性能,可有效阻断表...
  • 本发明公开了一种芯片封装装置及芯片封装方法,属于半导体器件制造领域。一种芯片封装装置,包括机体,还包括定位座,固定安装在机体内,定位座上转动连接有导向盘,导向盘上设有用于存放芯片的限位槽;本发明通过驱动部带动导向盘的精密转动,实现对芯片封装...
  • 本申请涉及一种顺序双钝化的选择性原子层沉积方法,包括如下步骤,S1、提供衬底,衬底的表面包括相邻设置的介电材质区域和金属材质区域;S2、对衬底的介电材质区域沉积第一钝化层,第一钝化层来源于硅抑制剂;S3、对设有第一钝化层的衬底沉积聚合物,聚...
  • 本申请公开了一种半导体芯片加工用贴片装置,涉及半导体加工设备技术领域,通过对现有技术中的半导体芯片加工用贴片装置进行优化改进,利用横置的圆板状的承载输送单元作为基板的容器,并使得组成基板容器的配件可灵活更换进而适配多规格的基板;承载输送单元...
  • 本发明公开了一种补入虚拟晶粒的晶圆级封装结构及其制备方法,属于微电子封装技术领域,方法:在第一基体的第一表面通过刻蚀工艺加工形成若干个与虚拟晶粒的布局相适配的凹槽结构;采用真空贴膜压入的方式在若干个凹槽结构的内部形成干膜填充层;提供第一表面...
  • 本申请涉及一种衬板组件、检测装置和检测方法。衬板组件包括沿第一方向相对设置的第一侧面和第二侧面,及沿第二方向相对设置的第三侧面和第四侧面,衬板组件包括衬板、第一位置调整件和第二位置调整件。衬板具有检测区域,第一位置调整件设于衬板沿第一方向的...
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