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最新专利技术
  • 双面poly-finger结构的晶硅电池制备方法
    双面poly-finger结构的晶硅电池制备方法_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511499708.0
    本发明公开了一种双面poly‑finger结构的晶硅电池制备方法，属于光伏电池技术领域。本发明提供的双面poly‑finger结构的晶硅电池制备方法，采用3D打印技术将掺杂浆料沉积在隧穿氧化层表面，并采用激光退火实现非晶硅到多晶硅的转化，实...
    2026-02-06
  • 一种带有除尘机构的光电耦合器固晶封装装置
    一种带有除尘机构的光电耦合器固晶封装装置_浙江古越龙山电子科技发展有限公司_202511480571.4
    本申请涉及一种带有除尘机构的光电耦合器固晶封装装置，包括机架，机架上设置有封装机构、支撑座以及除尘机构，除尘机构包括吸尘罩以及吸尘盒，机架上设置有驱动件，两侧的吸尘罩形成用于罩设所述支撑座以及工件的吸尘空间，吸尘盒设置在机架上且与吸尘罩通过...
    2026-02-06
  • 一种光耦封装结构及封装工艺
    一种光耦封装结构及封装工艺_浙江古越龙山电子科技发展有限公司_202511480564.4
    本申请涉及光耦封装结构及封装工艺，涉及光电耦合器件封装的技术领域，包括设备台，所述设备台的表面设置有定位支撑组件、壳体限位机构、温控固化机构和材料混合注入机构；所述定位支撑组件包括移动底座，所述移动底座的上表面固定有支撑台，所述支撑台的表面...
    2026-02-06
  • 一种层压单元及层压机
    一种层压单元及层压机_秦皇岛奥特维智远设备有限公司_202511397284.7
    本申请提供了一种层压单元及层压机，层压单元包括层压组件、驱动件、主动辊、从动辊、第一链条、第二链条、输送带、第一张紧组件、第二张紧组件及弹性连接组件。输送带套接在主动辊和从动辊上，且从动辊经弹性连接组件实现沿第一方向的自适应移动以保持贴紧输...
    2026-02-06
  • 一种光电材料制备装置
    一种光电材料制备装置_东台鑫帅新材料有限公司_202511391341.0
    本发明提供一种光电材料制备装置，涉及光伏领域。该光电材料制备装置，包括清洁池和制绒池，所述清洁池和制绒池之间设置有对硅片原材料进行单面覆盖的覆盖机构，清洁池和覆盖机构之间设置有烘干硅片原材料的烘干机构，制绒池后方设置有清洁多晶硅单面覆盖的清...
    2026-02-06
  • 一种具有自动夹持功能的光伏板层压机
    一种具有自动夹持功能的光伏板层压机_上海迪伐新能源设备制造有限公司_202511287647.1
    本发明公开了一种具有自动夹持功能的光伏板层压机，涉及层压机技术领域，包括机体，所述机体的两侧对称设置有输送带，所述输送带的侧边设置有机械臂，所述机体的内部设置有层压腔，所述层压腔的顶部设置有液压缸，所述层压腔的底部设置有加热板，所述液压缸的...
    2026-02-06
  • HBC电池的制备方法及HBC电池
    HBC电池的制备方法及HBC电池_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202411014390.8
    本发明公开了一种HBC电池的制备方法及HBC电池，所述制备方法包括以下步骤：提供硅片；在第二表面上依次制备第一掩膜和第二掩膜；通过激光工艺对第一区域上的第二掩膜进行图形化开膜，并通过湿法刻蚀工艺去除第一区域上的第一掩膜；在第二表面上依次制备...
    2026-02-06
  • 一种汇流带焊接方法及焊接设备
    一种汇流带焊接方法及焊接设备_宁夏小牛自动化设备股份有限公司_202411014189.X
    本发明涉及光伏组件生产领域，具体涉及一种汇流带焊接方法及焊接设备。本发明提供的汇流带焊接方法，用于将汇流带焊接在背接触电池组上，背接触电池串组放置于玻璃板上，使汇流带与绝缘区内裸露的焊带搭接，实施焊接，焊接过程中背接触电池串组位于玻璃板上，...
    2026-02-06
  • 一种背接触电池的组件互联方法、太阳能组件及光伏系统
    一种背接触电池的组件互联方法、太阳能组件及光伏系统_东方日升新能源股份有限公司_202411011283.X
    本发明公开了一种背接触电池的组件互联方法、太阳能组件及光伏系统，涉及太阳能电池技术领域。本发明将金属薄膜与第一电池片贴合并与金属电极连接后，对金属薄膜进行切割成相互独立的正极金属薄膜和负极金属薄膜，在形成电池串和组件时不再需要焊带与一种电极...
    2026-02-06
  • 一种硅基异质结电池的整形激光退火设备及退火方法
    一种硅基异质结电池的整形激光退火设备及退火方法_浙江华工光润智能装备技术有限公司_202410988818.2
    本发明公开了一种硅基异质结电池的整形激光退火设备及退火方法，包括激光器、光路和快接组件激光器的输出端上固定连接有光路，光路上固定连接有扩束镜，本发明，利用快接组件将衍射光学元件固定在光路上，后期维护时取出衍射光学元件即可，维护简单方便；加工...
    2026-02-06
  • 高信噪比全局快门复合介质栅光敏探测器及其工作方法
    高信噪比全局快门复合介质栅光敏探测器及其工作方法_南京大学_202511550602.9
    本发明公开一种高信噪比全局快门复合介质栅光敏探测器及其工作方法，属于光电探测与成像传感器研究领域。像素左右两侧设置短埋栅，前表面下方设N型梯度收集区；曝光结束后，电荷先转移至前表面浮置节点邻近区域，随后通过对侧栅加压，在近表面形成横向漂移电...
    2026-02-06
  • 集成芯片及其形成方法
    集成芯片及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413143.X
    本公开的各个实施例针对集成芯片(IC)。IC包括第一像素区域，第一像素区域包括位于衬底中的第一光电探测器。包括第二光电探测器的第二像素区域位于衬底中并且与第一像素区域相邻。隔离结构位于衬底中，并且包括位于第一像素区域和第二像素区域之间的第一...
    2026-02-06
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510176914.1
    一种图像传感器，包括衬底、衬底中的多个光电二极管、元件隔离图案和光电二极管隔离图案。光电二极管隔离图案包括：导电隔离图案，延伸到衬底的至少一部分中；绝缘隔离图案，在导电隔离图案周围延伸。绝缘隔离图案的与衬底的第一表面相邻的第一表面在第一方向...
    2026-02-06
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411054694.7
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括基底、光电二极管、层间介电层以及电容器。基底包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面。光电二极管设置于基底中。层间介电层设置于基底的第一表面上且覆盖光电二极管，其中层间介电层包括沟槽。...
    2026-02-06
  • 一种图像传感器及其制备方法及电子设备
    一种图像传感器及其制备方法及电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202410991288.7
    本申请公开了一种图像传感器及其制备方法及电子设备，涉及光电图像传感器设计与制造技术领域，图像传感器的制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成像素单元，像素单元包括至少两种用于感测不同波段光线的子像素；在像素单元的入光侧形成透镜层，透...
    2026-02-06
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512003159.X
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供含衬底、浮置扩散区及源极跟随器的基底，源极跟随器的栅极结构位于衬底上表面，浮置扩散区在第一方向上位于栅极结构两侧；形成覆盖衬底与栅极结构的层间介质层；在层间介质层中形成位于栅极结构两侧的凹槽，...
    2026-02-06
  • 一种基于垂直内建电场调控的异质结光电探测器及其制备方法和应用
    一种基于垂直内建电场调控的异质结光电探测器及其制备方法和应用_广东工业大学_202511414687.8
    本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种基于垂直内建电场调控的异质结光电探测器及其制备方法和应用。该光电探测器是将MoS22薄膜覆盖到SiO22/Si衬底上的WSe22纳米片和Cr/Au电极上，且WSe22纳米片和Cr/Au电极不接触，源电...
    2026-02-06
  • 一种GaAs基长波长雪崩光电二极管及其制备方法
    一种GaAs基长波长雪崩光电二极管及其制备方法_福建慧芯激光科技有限公司_202512021380.8
    本发明公开了一种GaAs基长波长雪崩光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括GaAs衬底、变形生长层、InP基APD功能层；所述变形生长层用于实现GaAs衬底到InP基APD功能层的晶格常数过渡；所述InP基APD功能层包括n型接触...
    2026-02-06
  • 一种雪崩光电二极管及其制备方法
    一种雪崩光电二极管及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511597167.5
    本公开提供了一种雪崩光电二极管及其制备方法。该二极管包括自下而上依次设置的阳极电极、p型金刚石衬底层、金刚石倍增层、n型氧化镓吸收层、n型窗口层和阴极电极；以及钝化层。还公开了上述二极管的制备方法。本公开通过采用宽禁带宽度的铝镓氧化物作为窗...
    2026-02-06
  • 一种镓酸镁雪崩探测器及其制备方法
    一种镓酸镁雪崩探测器及其制备方法_浙江大学_202511497253.9
    本发明公开了一种镓酸镁雪崩探测器及其制备方法。镓酸镁雪崩探测器包括从下到上依次设置的Nb : STO层、MgO : Al层和MgGa22O44层，Nb : STO层和MgGa22O44层分别通过第一电极和第二电极引出。Al掺杂MgO后会形成...
    2026-02-06
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