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最新专利技术
  • 一种管路以及一种次常压化学气相沉积设备
    一种管路以及一种次常压化学气相沉积设备_上海光通信有限公司_202410948835.3
    本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种管路以及一种次常压化学气相沉积设备。本申请提供了一种管路，包括：管路主体、氮气通气部以及气泵；氮气通气部包括：加热管以及通气片，通气片设有若干孔状结构，通气片安装于管路主体的侧壁，氮气经加热管加热后通过...
    2026-03-24
  • 碳化钽/石墨复合材料及其制备方法
    碳化钽/石墨复合材料及其制备方法_甬江实验室_202511263511.7
    本申请公开了碳化钽/石墨复合材料及其制备方法。所述碳化钽/石墨复合材料包括石墨基体、铪掺杂碳化钽膜层和碳化钽膜层，所述铪掺杂碳化钽膜层位于所述石墨基体和所述碳化钽膜层之间。铪掺杂碳化钽膜层具有一定的塑性(延展性)，作为缓冲层，设置在石墨基体...
    2026-03-24
  • 一种在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法
    一种在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法_山东旌丞新材料科技有限公司_202511110771.0
    本发明涉及陶瓷材料制备技术领域，且公开了一种在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法，该在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法S1、采用功率为300‑500W、频率为20‑40kHz超声波清洗基体表面10‑20分钟，去除基体表面的...
    2026-03-24
  • 一种免剥离自脱落的金刚石膜及其制备方法和应用
    一种免剥离自脱落的金刚石膜及其制备方法和应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511920218.3
    本发明公开了一种免剥离自脱落的金刚石膜的制备方法、金刚石膜及其应用，该制备方法包括：在硅衬底上沉积过渡层，所述过渡层的材料的热膨胀系数高于硅衬底和金刚石的热膨胀系数；在所述过渡层上沉积金刚石种晶层，在所述金刚石种晶层上沉积金刚石厚膜，沉积完...
    2026-03-24
  • 用于锗种子层的组合物及其使用方法
    用于锗种子层的组合物及其使用方法_弗萨姆材料美国有限责任公司_202511467232.2
    本发明涉及用于(a) 形成含硅膜和(b) 将衬底表面官能化以形成适用于沉积Ge膜的锗种子层的前体和方法。在一个方面，提供了如本文所描述的式I的前体和/或式II的前体。
    2026-03-24
  • 填充衬底表面上的间隙的方法
    填充衬底表面上的间隙的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510926751.4
    提供了一种填充衬底表面上的间隙的方法。该方法可以包括：(a)将衬底放置在反应室内的基座上，衬底包括间隙；(b)沉积步骤，包括：使碳前体流入反应室；并且将碳前体暴露于等离子体，其中碳前体反应以形成第一沉积材料；以及(c)处理步骤，包括：在含原...
    2026-03-24
  • 填充衬底表面上的间隙的方法
    填充衬底表面上的间隙的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510926642.2
    提供了一种填充衬底表面上的间隙的方法。该方法可以包括以下步骤：(a)将衬底放置在反应室内的基座上，衬底包括间隙；(b)沉积步骤，包括：使碳前体流入反应室；其中碳前体的化学式包括：具有包含C、H和N的环状结构的环状化合物；羰基；和甲基、乙基、...
    2026-03-24
  • 冷泵挡板位置调节装置、真空腔室以及真空调节方法
    冷泵挡板位置调节装置、真空腔室以及真空调节方法_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511487541.6
    本申请属于半导体设备技术领域，公开一种冷泵挡板位置调节装置、真空腔室以及真空调节方法，装置包括：安装支架，安装在真空腔室的外壁上；驱动传动机构，安装在所述安装支架上，用于对连接杆施加轴向推拉力；连接杆，置于波纹管内，一端与所述驱动传动机构的...
    2026-03-24
  • 一种薄膜沉积设备、沉积方法及一种介质
    一种薄膜沉积设备、沉积方法及一种介质_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511795953.6
    本发明涉及一种薄膜沉积设备及一种薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括反应腔室、第一气源、第二气源、检测器和抽气泵。该反应腔室用于容纳晶圆。该第一气源用于向反应腔室提供第一工艺气体。该第二气源用于向反应腔室提供第二工艺气体。该检测器的第一端经由第...
    2026-03-24
  • 一种真空镀膜设备
    一种真空镀膜设备_江苏首芯半导体科技有限公司_202511467218.2
    本说明书实施例提供一种真空镀膜设备，包括观察窗结构、衬套和观察窗通道；所述观察窗通道设置在真空镀膜设备的腔体侧壁上，观察窗结构与所述观察窗通道相连接，观察窗结构的中心处设置有高透玻璃；衬套设置在观察窗通道内并与观察窗结构相抵接，观察窗通道与...
    2026-03-24
  • 一种光学镜片表面镀膜装置
    一种光学镜片表面镀膜装置_福州高特光电科技有限公司_202511840753.8
    本发明提供的一种光学镜片表面镀膜装置，包括太阳轮、行星轮、驱动板、镀膜托架、万向节、第一连杆、第二连杆、第三连杆、安装壳体、滚轮以及环形导轨，将待镀膜的镜片逐个放入镀膜托架的放置孔内；在驱动机构的驱动下，驱动板带动行星轮围绕太阳轮转动，在第...
    2026-03-24
  • 一种用于环状零件类金刚石膜层涂覆装置
    一种用于环状零件类金刚石膜层涂覆装置_中航贵州飞机有限责任公司_202511649354.3
    本发明公开了一种用于环状零件类金刚石膜层涂覆装置，包括轴承杆、上底座、下底座及至少两个能将环状零件试片悬空支撑的支撑机构；上、下底座螺纹连接在轴承杆上；每个支撑机构由扩展臂和支撑臂组成，扩展臂一端铰接于上底座，另一端通过滑动连接螺栓与支撑臂...
    2026-03-24
  • 一种抗氦致损伤与耐腐蚀的中熵合金涂层及其制备方法
    一种抗氦致损伤与耐腐蚀的中熵合金涂层及其制备方法_西南交通大学_202511647771.4
    本发明公开了一种抗氦致损伤与耐腐蚀的中熵合金涂层及其制备方法。采用非平衡磁控溅射技术，通过精确调控氮气分压、溅射功率等关键工艺参数，在奥氏体不锈钢等基体表面成功制备出成分均匀、结构致密且与基体结合良好的FeCrAlN中熵合金涂层。涂层元素组...
    2026-03-24
  • 激光辅助提升磁控溅射过程中材料活性的镀膜系统
    激光辅助提升磁控溅射过程中材料活性的镀膜系统_武汉锐科光纤激光技术股份有限公司_202511554023.1
    本申请公开了一种激光辅助提升磁控溅射过程中材料活性的镀膜系统，镀膜系统包括：溅射设备，溅射设备包括中空的溅射腔室、光阑、阴极靶以及衬底材料板，阴极靶和衬底材料板位于溅射腔室的内部，阴极靶设置于溅射腔室的内壁，衬底材料板立设于溅射腔室的底部，...
    2026-03-24
  • 基于快速响应气体控制的VOx薄膜稳态生长进气装置
    基于快速响应气体控制的VOx薄膜稳态生长进气装置_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511531706.5
    本发明涉及溅射镀膜技术领域，具体涉及一种基于快速响应气体控制的VOx薄膜稳态生长进气装置，用于将反应气体注入VOx薄膜溅射系统中的反应腔体，反应腔体内设有基座和设置在基座内部的加热器，该进气装置包括：反应气体输送通道和进气孔，输送通道与外部...
    2026-03-24
  • 一种磁控溅射技术灭弧时间能量损失的逐弧补偿方法
    一种磁控溅射技术灭弧时间能量损失的逐弧补偿方法_广西机电职业技术学院_202511522548.7
    本发明公开了一种磁控溅射技术灭弧时间能量损失的逐弧补偿方法，包括：基于磁控溅射电源计算能量损耗和灭弧起始时刻；利用镀膜机台接收所述能量损耗，获取能量损耗程度值；基于所述能量损耗程度值控制靶和基片的相对运动速度，使灭弧时间内基片和靶的溅射时间...
    2026-03-24
  • 一种包含涂层的导电性构件及其制备方法
    一种包含涂层的导电性构件及其制备方法_纳狮新材料股份有限公司_202511489581.4
    本申请涉及一种包含涂层的导电性构件及其制备方法。本申请的涂层设置在基体上，所述涂层包括设置在所述基体上的非晶石墨层以及掺杂有导电金属的强度支撑层；所述非晶石墨层设置在所述基体和所述强度支撑层之间；所述强度支撑层包括以下物质中的至少一种：金属...
    2026-03-24
  • 用于工艺腔室的旋转供水装置、供水系统及气相沉积设备
    用于工艺腔室的旋转供水装置、供水系统及气相沉积设备_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511487542.0
    本申请属于半导体设备技术领域，公开一种用于工艺腔室的旋转供水装置、供水系统及气相沉积设备，供水装置包括：机架，包括底盘、中间筒和上盖，上盖上端安装有旋转电机，底盘用于安装在工艺腔室上端，中间筒与旋转轴之间的空间形成水流通道，在中间筒的侧壁上...
    2026-03-24
  • 镀膜设备及基于镀膜设备的镀膜方法
    镀膜设备及基于镀膜设备的镀膜方法_四川九天真空科技有限公司_202511448106.2
    一种镀膜设备及基于镀膜设备的镀膜方法，该设备包括真空室、复合真空系统、磁控溅射系统、工件转动系统、充气系统及镀膜设备控制系统；复合真空系统通过多组真空管路和真空阀门与真空室连通；充气系统通过多种气体的供气管路与真空室连接；镀膜设备控制系统配...
    2026-03-24
  • 一种贫氧条件下耐高温铅铋腐蚀的高熵合金涂层及其制备方法
    一种贫氧条件下耐高温铅铋腐蚀的高熵合金涂层及其制备方法_中国核动力研究设计院_202511424664.5
    本发明提供了一种贫氧条件下耐高温铅铋腐蚀的高熵合金涂层及其制备方法，属于涂层技术领域。所述高熵合金涂层中各元素及含量为：Al 15～30at.%，含Fe 15～30at.%，含Cr 15～30at.%，含Mo 15～30at.%。所述高熵合...
    2026-03-24
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