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最新专利技术
  • 一种单面无籽铜电镀铜栅线异质结太阳电池及其制备方法
    一种单面无籽铜电镀铜栅线异质结太阳电池及其制备方法_江西电投新能源科技有限公司_202511467952.9
    本发明属于太阳电池技术领域，一种单面无籽铜电镀铜栅线异质结太阳电池及其制备方法，包括以下步骤S1：将蓝膜片的背面印刷银栅；S2：对单面银栅电池片的正背面印刷油墨；S3：电池的正面正常曝光、显影作出图案；S4：将步骤S3获得的电池片放置活化设...
    2026-01-26
  • 一种光伏电池刻蚀设备、光伏电池及制备方法
    一种光伏电池刻蚀设备、光伏电池及制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511459323.1
    本发明提供了一种光伏电池刻蚀设备、光伏电池及制备方法，涉及光伏技术领域，以解决光伏电池制备后厚度不均匀的技术问题。该光伏电池刻蚀设备，包括筒体、旋流装置以及承载结构，筒体用于容置刻蚀液；承载结构用于将光伏电池平放于刻蚀液内，且光伏电池的中心...
    2026-01-26
  • 一种PE-poly加工方法及TOPCon电池
    一种PE-poly加工方法及TOPCon电池_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202511424563.8
    本发明公开了一种PE‑poly加工方法及TOPCon电池，该加工方法为：将碱抛后的硅片送入反应腔室，向反应腔室通入反应气体，使用方波电源在反应腔室内诱发辉光放电以构造低温等离子体，依次在硅片表面制备第一隧穿氧化层、第一掺磷非晶硅层、第二隧穿...
    2026-01-26
  • 一种背接触电池组件的制备方法
    一种背接触电池组件的制备方法_陕西众森电能科技有限公司_202511417705.8
    一种背接触电池组件的制备方法，属于太阳电池制备领域，其特征在于包括：对汇流条进行裁切；汇流条上设置有绝缘层；在汇流条上需与电池进行电路导通区域，和与接线盒进行连接处均设置有导电区，并去除导电区的绝缘层；在汇流条上设置胶水区；在胶水区喷涂胶水...
    2026-01-26
  • 晶硅电池加工装置及加工方法
    晶硅电池加工装置及加工方法_北京谷钛智能装备有限公司_202511383662.6
    本申请涉及一种晶硅电池加工装置及加工方法。晶硅电池加工装置包括涂布设备、输送机构、测距件和距离调节件，涂布设备包括涂布头。输送机构用于将承载有硅片的承载台输送至涂布设备处。测距件设置于涂布设备的一侧，用于对承载台上的硅片与涂布头之间在垂直硅...
    2026-01-26
  • 一种TBC电池半片钝化方法
    一种TBC电池半片钝化方法_天津中环光伏科技有限公司_202511372026.3
    本发明中公开了一种TBC电池半片钝化方法，包括如下步骤：S10：对交叉钝化背接触电池进行低温制绒，对掺硼P+poly层与掺磷N+poly层的相连区域进行刻蚀，形成GAP区；S11：对步骤S10得到的半导体基体沿中心进行切割，得到半片电池。S...
    2026-01-26
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511364593.4
    本申请提供了一种光伏组件及其制备方法，涉及背接触电池技术领域。光伏组件的制备方法包括：采用第一设备，形成电池串。采用第二设备，将多个电池串排布形成组件阵列。组件阵列包括多行和多列，每行包括沿第二方向排列的多个电池串，每列包括沿第一方向排列的...
    2026-01-26
  • 一种光伏电池片在印刷过程中的移载方法
    一种光伏电池片在印刷过程中的移载方法_高斯图文印刷系统(中国)有限公司_202511321388.X
    本发明公开了一种光伏电池片在印刷过程中的移载方法，采用移载设备实现，该移载设备包括两道前纵移工位、八道后纵移工位和一台横移机；横移机上设有四个排成一排的托板，四个托板的间距与两道前纵移工位的间距和八道后纵移工位的间距相同；八道后纵移工位从左...
    2026-01-26
  • 背接触电池的制备方法、背接触电池及光伏组件
    背接触电池的制备方法、背接触电池及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511308439.5
    本申请公开了一种背接触电池的制备方法、背接触电池及光伏组件，属于光伏组件技术领域。所述方法包括提供基底，基底的背面包括第一区域、第二区域和第三区域，第二区域位于第一区域和第三区域之间；通过气相沉积法在基底的表面形成第一半导体层，在第一半导体...
    2026-01-26
  • 一种空穴重掺杂InSb光电二极管的制备方法
    一种空穴重掺杂InSb光电二极管的制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511266768.8
    一种空穴重掺杂InSb光电二极管的制备方法，涉及半导体工艺技术领域，具体包括以下步骤：将表面处理后的InSb晶圆进行Be离子注入阻挡层沉积，将已沉积阻挡层的InSb晶圆置于离子注入机中，通过设置注入能量、注入剂量和偏转角度的参数对InSb晶...
    2026-01-26
  • N型BC电池片、N型BC太阳能电池片组件及制备方法
    N型BC电池片、N型BC太阳能电池片组件及制备方法_罗博特科智能科技股份有限公司_202511243623.6
    本发明涉及一种N型BC电池片、N型BC太阳能电池片组件及制备方法，其中制备方法包括以下步骤：S1、在硅片表面形成PN结，通过激光技术改善电池片表面的钝化效果，得到电池片；S2、对电池片进行电性能测试，根据电性能测试参数进行分选，得到性能相近...
    2026-01-26
  • 太阳能电池片的生产管理设备、生产系统及生产管理方法
    太阳能电池片的生产管理设备、生产系统及生产管理方法_四川东磁新能源科技有限公司_202511228698.7
    本公开涉及太阳能电池片技术领域，公开了一种太阳能电池片的生产管理设备、生产系统及生产管理方法，生产管理设备包括制造执行装置、制造控制装置、多个自动导引运输车和多个料车；制造执行装置用于响应用户操作生成实验工单，以及用于向制造控制装置发送实验...
    2026-01-26
  • 一种异质结电池制备工艺
    一种异质结电池制备工艺_中建材(江阴)光电材料科技有限公司_202511218560.9
    本发明公开了一种异质结电池制备工艺，包括以下步骤：S1 : 在硅片的非晶硅沉积层表面镀覆TCO沉积层；S2：在TCO沉积层表面涂覆成膜液，所述成膜液的组分包括导电微粒和成膜剂；S3：干燥成膜液，得过渡膜；S4：将导电浆料涂覆到S3所得硅片表...
    2026-01-26
  • 一种InSb红外阵列芯片的表面钝化方法
    一种InSb红外阵列芯片的表面钝化方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511195512.2
    一种InSb红外阵列芯片的表面钝化方法，涉及红外探测技术领域，通过InSb晶圆生长掩蔽层，得到有掩蔽层的InSb晶圆，有掩蔽层的InSb晶圆进行电化学沉积，得到表面存在阳极氧化层的InSb晶圆，表面存在阳极氧化层的InSb晶圆进行等离子体处...
    2026-01-26
  • 一种太阳能电池无主栅一体膜的制备方法
    一种太阳能电池无主栅一体膜的制备方法_浙江中聚材料有限公司_202511180810.4
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体的，涉及一种太阳能电池无主栅一体膜的制备方法。包括以下步骤：将太阳能电池胶膜依次进行电晕处理和静置，所述电晕处理的参数：每平米胶膜所施加的电荷量为1500‑4000库仑。使用电晕处理技术，将对着电池片的部分...
    2026-01-26
  • 光耦合组件及光耦合器件
    光耦合组件及光耦合器件_佛山市国星光电股份有限公司_202511484775.5
    本发明公开一种光耦合组件及光耦合器件，该光耦合组件包括感光芯片以及发光芯片，感光芯片具有感光侧，发光芯片位于感光芯片的感光侧，且发光芯片能够朝向感光侧发光，从而光耦合组件的结构较简单，且发光芯片发出的至少部分光线能够直射向感光侧，能有效减少...
    2026-01-26
  • 一种光电耦合器件
    一种光电耦合器件_佛山市国星光电股份有限公司_202511478807.0
    本发明公开了一种光电耦合器件，所述光电耦合器件包括：基板、塑封层、设置在基板上的发光芯片、以及对应叠合在发光芯片出光面的感光芯片；所述发光芯片和所述感光芯片完全容纳在所述塑封层内。通过在基板上设置正对固晶布置的发光芯片和感光芯片，配合塑封层...
    2026-01-26
  • 一种光耦器件
    一种光耦器件_佛山市国星光电股份有限公司_202511478184.7
    本发明公开了一种光耦器件，所述光耦器件包括：基板、沿水平方向设置在基板的发光芯片和感光芯片、依次设置在所述发光芯片和感光芯片上方的透光层和塑封层；所述透光层设置为所述发光芯片和所述感光芯片之间的导光通道，所述发光芯片的出光光线经过所述透光层...
    2026-01-26
  • 一种图像传感器的制造方法及图像传感器
    一种图像传感器的制造方法及图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511882631.5
    本申请公开了一种图像传感器的制造方法及图像传感器，图像传感器的制造方法包括：形成深沟槽隔离结构；在半导体衬底的第一表面形成介质层，并且形成从介质层表面向其内部延伸的第一沟槽，第一沟槽和深沟槽隔离结构相对；至少在第一沟槽的侧壁形成基底半导体层...
    2026-01-26
  • 一种红外焦平面探测器芯片的先电极结构及制备方法
    一种红外焦平面探测器芯片的先电极结构及制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511415675.7
    一种红外焦平面探测器芯片的先电极结构及制备方法，N型衬底采用扩散或离子注入方式成结，且通过湿法腐蚀或干法刻蚀制备形成台面结构；电极层直接制备于衬底材料的台面上，与衬底台面形成欧姆接触；钝化层为双层钝化膜结构，铟柱层通过光刻显影、镀膜机及剥离...
    2026-01-26
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