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最新专利技术
  • 一种铒镧共掺无序钼酸钇锶钠激光晶体及其制备方法和应用
    一种铒镧共掺无序钼酸钇锶钠激光晶体及其制备方法和应用_长春理工大学_202511699052.7
    本发明提供了一种铒镧共掺无序钼酸钇锶钠激光晶体的制备方法与应用，属于激光晶体领域。本发明要解决在生长过程中出现熔体粘度较大并伴随显著挥发，生长的晶体出现开裂严重的问题。激光晶体的分子式为：NaSrY1‑x‑y1‑x‑yErxxLayy(Mo...
    2026-03-23
  • 一种生长稀土梯度掺杂氟化物激光晶体的方法
    一种生长稀土梯度掺杂氟化物激光晶体的方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511396997.1
    本发明涉及一种生长稀土梯度掺杂氟化物激光晶体的方法，属于晶体生长技术领域。针对稀土掺杂氟化物晶体中稀土离子浓度分布难以实现人为设计或调控的技术问题，本发明采用包含上装料仓、下装料仓以及连通两者且在竖直方向上延伸的单晶生长通孔的微孔坩埚。首先...
    2026-03-23
  • 一种具有荧光磁性的非线性光学晶体及其制备方法和应用
    一种具有荧光磁性的非线性光学晶体及其制备方法和应用_河南省科学院半导体研究所_202511617518.4
    本发明属于非线性光学晶体材料领域，具体涉及一种非线性光学晶体及其制备方法和应用。所述非线性光学晶体的化学式为Zn44EuO(BO33)33，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为α＝90°，β＝100.193°，γ＝90°。本发明的晶体同时...
    2026-03-23
  • 一种衬底涂覆金刚石粉提升MPCVD金刚石多晶沉积的方法
    一种衬底涂覆金刚石粉提升MPCVD金刚石多晶沉积的方法_安徽尤品新材料有限公司_202511381552.6
    本发明公开了一种衬底涂覆金刚石粉提升MPCVD金刚石多晶沉积的方法，属于微波等离子体化学气相沉积技术领域。本发明在MPCVD异质外延生长过程中，对生长衬底表面进行金刚石粉涂覆的预处理，改变通入MPCVD设备的氧气、二氧化碳、氮气量，提升不同...
    2026-03-23
  • 一种GaN/陶瓷衬底异质结构复合材料及其制备方法和应用
    一种GaN/陶瓷衬底异质结构复合材料及其制备方法和应用_南京师范大学_202511487966.7
    本发明涉及半导体材料与器件制备技术领域，特别是涉及一种GaN/陶瓷衬底异质结构复合材料及其制备方法和应用。在衬底1上制备界面缓冲层，在所述界面缓冲层上制备GaN薄膜层，得到异质结构材料；将陶瓷衬底2进行抛光，得到抛光陶瓷衬底2；将异质结构材...
    2026-03-23
  • 一种无应力残余的GaN厚膜制备方法及其应用
    一种无应力残余的GaN厚膜制备方法及其应用_镓特半导体科技(铜陵)有限公司_202511288902.4
    本发明公开了一种无应力残余的GaN厚膜制备方法及其应用，其特征是：包括：(1)、提供一异质衬底；(2)、利用MOCVD沉积一层低温GaN，且在过程中掺杂Si、C、或O的其中一种掺杂源，形成预应力掩埋层；(3)、利用PECVD或磁控溅射技术在...
    2026-03-23
  • 石墨烯单晶晶圆的制备方法
    石墨烯单晶晶圆的制备方法_北京石墨烯研究院_202410917637.0
    本发明公开一种石墨烯单晶晶圆的制备方法，包括：在蓝宝石单晶晶圆表面沉积铜钴合金层，经过退火重结晶后得到铜钴(111)单晶晶圆；以所述铜钴(111)单晶晶圆作为生长衬底外延生长石墨烯单晶晶圆；以及在维持石墨烯生长气氛的条件下，降低体系的温度使...
    2026-03-23
  • 碳化硅薄膜外延生长过程控制方法
    碳化硅薄膜外延生长过程控制方法_江苏汉印机电科技股份有限公司_202511223675.7
    本发明公开了一种碳化硅薄膜外延生长过程控制方法，本发明涉及半导体材料制备技术领域，本发明通过在反应室集成紫外、可见、近红外三段光谱成像模块，同步采集衬底表面光信号并进行校准与预处理，得到多光谱图像；利用改进U‑Net模型分割缺陷区域并提取形...
    2026-03-23
  • 晶圆传送装置及外延设备
    晶圆传送装置及外延设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511203726.X
    本公开涉及晶圆传送装置及外延设备。在一方面中，提供了一种用于外延设备的晶圆传送装置，该晶圆传送装置包括：叶片，承载晶圆，并且叶片能够在外延设备的工艺腔室的外部与内部之间移动；加热元件，设置于叶片；以及控制器，电连接至加热元件，控制器控制加热...
    2026-03-23
  • 一种外延氧化镓薄膜的方法、β相氧化镓薄膜及应用
    一种外延氧化镓薄膜的方法、β相氧化镓薄膜及应用_镓国科技(常州)有限责任公司_202511475158.9
    本发明提供一种外延氧化镓薄膜的方法、β相氧化镓薄膜及应用，该方法包括：(1)将六方碳化硅衬底置于沉积区内；(2)将沉积区的温度升温至450~750℃，向沉积区内输入氧源和镓源，在六方碳化硅衬底的表面外延生长ε相氧化镓薄膜，外延生长时间为1~...
    2026-03-23
  • 进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法
    进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法_河北普兴电子科技股份有限公司_202511191011.7
    本发明提供一种进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法，属于半导体加工技术领域。利用进气装置中双进气阀、双孔道、互不相通的气体通路设计，实现生长气体与保护气体的物理隔离输送；再基于流量控制器和双进气阀，实现对生长气体与保护气体流量的精准调节，...
    2026-03-23
  • 石墨基座和发光二极管的制备方法
    石墨基座和发光二极管的制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511257652.8
    本公开提供了一种石墨基座和发光二极管的制备方法，属于外延生长技术领域。该石墨基座的表面具有多个开口，所述多个开口包括位于所述石墨基座的中心区域的多个内圈孔和位于所述石墨基座的周边边缘的多个外圈孔，多个所述外圈孔环绕多个所述内圈孔；所述外圈孔...
    2026-03-23
  • 一种用于分子束外延设备的源料回收系统及方法
    一种用于分子束外延设备的源料回收系统及方法_湖南烁科晶磊半导体科技有限公司_202511743442.X
    本发明公开了一种用于分子束外延设备的源料回收系统及方法，该源料回收系统用于回收高蒸气压的源料，包括预收集单元和终回收单元，预收集单元包括第一冷屏和第二冷屏，第一冷屏嵌套在分子束外延设备的生长腔室内，第二冷屏嵌套在第一冷屏内，以用于冷凝吸附外...
    2026-03-23
  • 一种在晶圆上生长外延层的方法和芯片
    一种在晶圆上生长外延层的方法和芯片_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410874545.9
    本申请涉及半导体领域，公开了一种在晶圆上生长外延层的方法和芯片，包括：当外延上新机台或者沉积腔室预护性维护后，获得表面沉积有第一外延层的晶圆；第一外延层的中心区域厚度大于边缘区域厚度；刻蚀第一外延层形成刻蚀后外延层；刻蚀时沉积腔室的温度小于...
    2026-03-23
  • 一体式碳化硅晶体生长装置及方法
    一体式碳化硅晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511791038.X
    本发明提供了一种一体式碳化硅晶体生长装置及方法，涉及半导体技术领域，将碳化硅的粉料合成和晶体生长集成在一套设备和工艺里完成，通过在坩埚盖和坩埚体的基础上增设隔离件，可以组成不同形态的坩埚结构，先让坩埚体、隔离件以及坩埚盖从下到上依次连接，坩...
    2026-03-23
  • 基于多参数协同调控的MPCVD金刚石高效长晶工艺
    基于多参数协同调控的MPCVD金刚石高效长晶工艺_宏芯半导体(苏州)有限公司_202511773370.3
    本发明属于金刚石加工技术领域，尤其为基于多参数协同调控的MPCVD金刚石高效长晶工艺，包括如下步骤：选择合适的晶种进行检测：对晶种进行预处理进行长晶步骤的实施；对制备而来的晶体进行后处理操作；进行清洁处理；进行切割处理；完成后的金刚石晶体进...
    2026-03-23
  • 一种MBE束源炉及其在线监测方法
    一种MBE束源炉及其在线监测方法_湖南烁科晶磊半导体科技有限公司_202511584631.7
    本发明公开了一种MBE束源炉及其在线监测方法，束源炉包括炉腔以及设置在炉腔上部的双层坩埚，双层坩埚包括嵌套设置的内层坩埚和外层坩埚，内层坩埚与外层坩埚之间嵌设有两组相互独立的信号传导件，其中一组为连续导通的导线，另一组为非连接状态的导电组，...
    2026-03-23
  • 一种缓冲层的分子束外延生长温度优化方法
    一种缓冲层的分子束外延生长温度优化方法_新磊半导体科技(苏州)股份有限公司_202511387737.8
    本发明提供一种缓冲层的分子束外延生长温度优化方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在衬底温度为第一温度下生长第一缓冲层；在温度从第一温度升温至第二温度的同时，生长第二缓冲层；在温度为第二温度下，生长第三缓冲层，获得缓冲层样品；改变第一温...
    2026-03-23
  • 一种具有应力释放结构的碳化硅单晶生长坩埚及生长方法
    一种具有应力释放结构的碳化硅单晶生长坩埚及生长方法_内蒙古清橙半导体科技有限公司_202511713639.9
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种具有应力释放结构的碳化硅单晶生长坩埚及生长方法。坩埚内部由下至上依次设置有：由外向内铺设的、粒径递减的第一与第二碳化硅粉料；覆盖于第一粉料表面的石墨盘；覆盖于第二粉料表面的多孔石墨板；支撑于石墨...
    2026-03-23
  • 晶体生长装置
    晶体生长装置_江苏集芯先进材料有限公司_202511451429.7
    本发明公开了一种晶体生长装置，包括：坩埚、导流筒、籽晶固定装置和温度梯度调节组件，导流筒设于坩埚内，坩埚内形成有位于导流筒下方的原料腔，导流筒内形成有生长通道，籽晶固定装置设于坩埚内且位于导流筒的顶部，温度梯度调节组件用于调整晶体生长的温度...
    2026-03-23
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