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最新专利技术
  • 半导体元件
    半导体元件_隆达电子股份有限公司_202510818055.1
    本发明公开一种半导体元件。半导体元件包括基底、发光二极管芯片及封装层。基底包含底部及岛状凸部，岛状凸部设置于底部上。发光二极管芯片设置于岛状凸部上。封装层设置于发光二极管芯片上。其中，岛状凸部的侧表面具有第一粗糙度，岛状凸部的顶表面具有第二...
    2026-01-02
  • 改善激光剥离的发光器件及其制备方法
    改善激光剥离的发光器件及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511078226.8
    本公开提供了一种改善激光剥离的发光器件及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光器件包括：衬底、布线层和多个像素芯片，多个所述像素芯片间隔排布在所述衬底上，各所述像素芯片均包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；至少部分相邻...
    2026-01-02
  • 灯板的制作方法、灯板和显示装置
    灯板的制作方法、灯板和显示装置_深圳市艾比森光电股份有限公司_202511198020.9
    本申请适用于显示技术领域，提供了一种灯板的制作方法、灯板和显示装置。其中，所述灯板的制作方法包括：识别底板上的光学定位标记，所述光学定位标记设置于所述底板的基准焊盘内；基于所述光学定位标记的位置，对所述底板上的非基准焊盘进行待安装器件的安装...
    2026-01-02
  • 拼接显示面板及其制备方法、显示模组及显示设备
    拼接显示面板及其制备方法、显示模组及显示设备_成都辰显光电有限公司_202410783166.9
    本申请提供一种拼接显示面板及其制备方法、显示模组及显示设备。该拼接显示面板的制备方法包括：提供盖板和多个显示屏；每一显示屏包括衬底和发光层；发光层包括多个发光单元，多个发光单元具有出光侧，并间隔设于衬底上；在每相邻两个发光单元之间形成第一遮...
    2026-01-02
  • 一种图形化ITO/Al复合p型高反射电极及其制备方法和应用
    一种图形化ITO/Al复合p型高反射电极及其制备方法和应用_北京大学_202410777803.1
    本发明公开了一种图形化ITO/Al复合p型高反射电极的制备方法和应用。本发明提供的复合电极，具有上、下两层结构；所述上层为Al反射层；所述下层为ITO接触层，所述ITO接触层具有孔结构。本发明所得到的图形化ITO/Al复合p型高反射电极可在...
    2026-01-02
  • 金黄光LED光源及其制备方法与应用
    金黄光LED光源及其制备方法与应用_旭宇光电(深圳)股份有限公司_202511131605.9
    本申请涉及照明技术领域，具体是一种金黄光LED光源及其制备方法与应用。提供了一种金黄色光LED光源，包括：450‑460nm的蓝光芯片和荧光胶，所述荧光胶由透明硅胶和荧光粉组合而成，所述荧光粉包括发射波长为530‑540nm的YAG黄色荧光...
    2026-01-02
  • 一种具有全向DBR的深紫外LED及其制备方法
    一种具有全向DBR的深紫外LED及其制备方法_广东技术师范大学_202511298493.6
    本发明公开了一种具有全向DBR的深紫外LED及其制备方法，应用于半导体光电技术领域。本发明包括N金属电极、P金属电极、以及沿生长方向依次层叠布置的衬底层、AlN缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱发光层、P型AlGaN层、P型GaN层和全向D...
    2026-01-02
  • 改善正面出光的发光二极管及其制备方法
    改善正面出光的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511078171.0
    本公开提供了一种改善正面出光的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层、第一绝缘层、顶面反射层和侧面反射层；所述第一绝缘层位于所述外延层的侧壁和所述外延层的顶面，所述顶面反射层和所述侧面反射层均间隔排布在所述第...
    2026-01-02
  • 发光元件和包括该发光元件的显示装置和电子装置
    发光元件和包括该发光元件的显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202510799382.7
    公开了一种发光元件和包括该发光元件的显示装置和电子装置。该发光元件包括：第一半导体层，掺杂有n型掺杂剂；第二半导体层，设置在第一半导体层上并且掺杂有p型掺杂剂；活性层，在第一半导体层与第二半导体层之间；电极层，设置在第二半导体层上；以及绝缘...
    2026-01-02
  • 具有高键结强度的微结构及其形成方法
    具有高键结强度的微结构及其形成方法_炬德光电有限公司_202410760102.7
    本申请提供一种具有高键结强度的微结构，其包含基材、堆积层及第一介电层。基材具有第一表面，第一表面具有披覆区及外露区；堆积层具有多个纳米金属粒子，堆积层设置于第一表面的披覆区，外露区系外露于堆积层，堆积层远离第一表面的一侧具有键结面；第一介电...
    2026-01-02
  • 一种石墨烯集成电极LED外延结构及芯片制备方法
    一种石墨烯集成电极LED外延结构及芯片制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511663759.2
    本申请公开了一种石墨烯集成电极LED外延结构及芯片制备方法，其外延结构从下至上依次包括GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型限制层、非掺杂量子阱结构、p型间隔层、p型电子阻挡层和p型GaP欧姆接触层；制备方法包括外延结构生长、p型ITO透明...
    2026-01-02
  • 一种发光二极管结构及其制备方法
    一种发光二极管结构及其制备方法_江苏宜兴德融科技有限公司_202511402944.6
    本发明提供一种发光二极管结构及其制备方法，所述发光二极管结构包括：P电极层、导电衬底、反射镜层、P型欧姆接触层、P型限制层、MQW发光层、N型限制层、粗化层、N型欧姆接触层及N电极层；其中，所述MQW发光层具有图案化结构，所述N电极层和N型...
    2026-01-02
  • 发光二极管及发光二极管的制作方法
    发光二极管及发光二极管的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511086520.3
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延结构、电极结构、钝化层、电极焊盘和保护层；所述电极结构位于所述外延结构上，所述钝化层位于所述外延结构上且覆盖所述电极结构，所述电极焊盘穿过所述钝化层与...
    2026-01-02
  • 一种稀土掺杂铝镓酸盐材料硅基电致发光器件的制备方法
    一种稀土掺杂铝镓酸盐材料硅基电致发光器件的制备方法_南开大学_202511314686.6
    本发明公开了一种稀土掺杂铝镓酸盐硅基电致发光器件及其制备方法，其整体器件结构从下到上依次包括：透明导电层、透明纳米层状介电层、稀土掺杂的铝酸盐和镓酸盐发光层、硅衬底、金属Al背电极。采用原子层沉积技术沉积稀土掺杂的Re3(Al, Ga)5O...
    2026-01-02
  • 半导体发光元件
    半导体发光元件_晶元光电股份有限公司_202510810934.X
    本发明公开一种半导体发光元件，包含：基板，包含第一上表面，其中第一上表面包含暴露区；半导体叠层，包含多个半导体单元以一间隔分开设置于第一上表面，其中半导体单元分别包含凹陷部面对彼此；其中，由一平面视图观之，暴露区被凹陷部围绕，暴露区与第一上...
    2026-01-02
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511143059.0
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、电流阻挡层、透明导电层、电极结构和钝化层；电流阻挡层包括间隔设置的第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构，第一电流阻挡结构和所述第二电流阻挡结构均位于外延结构的表面上，第一电流阻...
    2026-01-02
  • 一种RCLED器件
    一种RCLED器件_泉州市三安光通讯科技有限公司_202511225017.1
    本发明公开了一种RCLED器件，其包括衬底和设于衬底上的外延层，外延层由下至上包括下DBR、主动层和上DBR，上DBR一侧为出光面；上DBR的上方设有电极和连接所述电极的焊盘；其中在上DBR与主动层之间或上DBR中设有限制层，位于焊盘下方的...
    2026-01-02
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511132874.7
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，其包括有源层的发光结构和布拉格反射层，布拉格反射层被设置在发光结构的一侧处以反射从发光结构发射出的光，布拉格反射层包括起始层和在起始层上交替堆叠的第一膜堆和第二膜堆，第一膜堆包...
    2026-01-02
  • 图形化衬底的紫外倒装LED芯片的制备方法及倒装LED芯片
    图形化衬底的紫外倒装LED芯片的制备方法及倒装LED芯片_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202511389729.7
    本发明涉及一种图形化衬底的紫外倒装LED芯片的制备方法及倒装LED芯片，属于LED制备技术领域。方法包括：在衬底正面形成光刻掩膜图形，并将光刻掩膜图形转移到衬底正面，光刻掩膜图形包括RAM对位标记图形和应力释放图形；在衬底背面制备图形化衬底...
    2026-01-02
  • 一种稀土掺杂纳米结构硅基电致发光器件及其制备方法
    一种稀土掺杂纳米结构硅基电致发光器件及其制备方法_南开大学_202511314359.0
    本发明公开了一种稀土掺杂纳米结构硅基电致发光器件及其制备方法，用原子层沉积技术制备0.5‑5nm间隔稀土单原子层掺杂的纳米层状结构电致发光薄膜，其中纳米尺度的超薄稀土离子掺杂区作为发光层，未掺杂的纯净基质间隔层区作为过热电子加速层，使导带电...
    2026-01-02
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