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最新专利技术
  • 一种具有检测漏极的MOSFET器件及制备方法
    一种具有检测漏极的MOSFET器件及制备方法_上海维安半导体有限公司_202511284119.0
    本发明涉及MOSFET技术领域，具体涉及一种具有检测漏极的MOSFET器件及制备方法，包括形成在有源区外侧的场截止环；场截止环的内侧设置有截止环接触区，采集流向场截止环的漏极感测电流；截止环接触区的顶部通过感测接触孔穿过绝缘层连接感测漏极金...
    2026-02-02
  • 测试结构及其测试方法
    测试结构及其测试方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511274590.1
    本发明提供一种测试结构及其测试方法，测试结构包括：基底，基底包括衬底，衬底包括多个有源区；多个测试栅极，位于有源区上，且位于同一有源区上的测试栅极之间具有沿第一方向的第二间距；多个源漏掺杂区，分别位于测试栅极两侧的有源区的衬底内；多个第一导...
    2026-02-02
  • 芯片损伤检测结构和检测方法
    芯片损伤检测结构和检测方法_北京紫光青藤微系统有限公司_202511162981.4
    本公开涉及芯片设计技术领域，公开了一种芯片损伤检测结构和检测方法，芯片损伤检测结构包括芯片本体和检测结构，芯片本体包括芯片功能区和密封环，密封环围绕芯片功能区设置，密封环位于芯片功能区和芯片边缘之间；检测结构包括序列发生器、序列接收器、检测...
    2026-02-02
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511326667.5
    一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在基底上形成铜柱结构，铜柱结构包括若干层依次堆叠连接的铜柱段；其中，铜柱结构的形成方法包括：在基底上进行若干次光刻电镀工艺，每次光刻电镀工艺形成一层铜柱段，进而能够降低每次光刻电镀工艺...
    2026-02-02
  • 一种硅桥封装结构及对应的制作方法
    一种硅桥封装结构及对应的制作方法_华天科技(江苏)有限公司_202511231389.5
    本发明提供了一种硅桥封装结构，其省去了复杂工艺，缩短了工艺流程，降低了封装成本、缩短了加工周期，且大大节约了设备投资成本。其包括：有机载板；第一有机重布线层；第一塑封体；铜核锡球，所述铜核锡球的内核是铜球、外面裹着一层锡银材料；硅桥芯片；功...
    2026-02-02
  • 一种复合气密封装结构及其制备方法
    一种复合气密封装结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第二十九研究所_202511175100.2
    本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种复合气密封装结构及其制备方法，封装结构包括相对设置的第一封装基板和第二封装基板，第一封装基板和第二封装基板均设置基板电路和对外接口，第二封装基板上形成若干有机布线层并通过金属微柱与第一封装基板连通，...
    2026-02-02
  • 具有多孔层的半导体元件及其制造方法
    具有多孔层的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411599209.4
    本公开提供一种具有多孔层的半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括：一基板；一底部互连层，设置于该基板中；一底部介电层，设置于该基板上；一互连结构，沿着该底部介电层而设置，设置于该底部互连层上，并且设置于该底部介电层上；多个衬层，横向地设置...
    2026-02-02
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511110853.5
    本发明公开了一种半导体存储器件，衬底，包括器件隔离层和器件隔离层隔离出的多个有源区；绝缘夹层，位于衬底上；位线接触凹槽，位于衬底中；多根位线，位于绝缘夹层上且位于位线接触凹槽内，位于绝缘夹层上的位线与位于位线接触凹槽中的位线为交替排列；其中...
    2026-02-02
  • 铜和铝的导电结构及其制作方法
    铜和铝的导电结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410847065.3
    本发明公开一种铜和铝的导电结构及其制作方法，其中铜和铝的导电结构包含一铝导线，一第一介电层覆盖铝导线，一接触洞穿透第一介电层，一第一扩散阻障层填入接触洞并且接触接触洞的侧壁，一第一铜导线填入接触洞，其中第一扩散阻障层接触并环绕第一铜导线，一...
    2026-02-02
  • 一种功率模块的布局结构
    一种功率模块的布局结构_飞锃半导体(上海)有限公司_202511453661.4
    本申请提供一种功率模块的布局结构，所述功率模块的布局结构包括：绝缘基板；第一导电薄膜，位于所述绝缘基板表面，所述第一导电薄膜上形成有若干呈阵列分布的上桥芯片；第二导电薄膜，位于所述绝缘基板表面，同一列的上桥芯片的源极通过与所述绝缘基板的长度...
    2026-02-02
  • 封装的半导体器件及用于封装的方法
    封装的半导体器件及用于封装的方法_恩智浦美国有限公司_202410766717.0
    本公开涉及封装的半导体器件及用于封装的方法。一种封装的半导体器件包括：器件管芯、至少一个器件接触、基板、以及至少一个基板接触。器件管芯具有第一器件侧面和与第一器件侧面相反的第二器件侧面。至少一个器件接触布置于器件管芯的第一器件侧面。基板具有...
    2026-02-02
  • 引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法
    引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法_新光电气工业株式会社_202510744410.5
    一种抑制胶带剥离的引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法。引线框架具有：芯片垫、引脚、汇流条及胶带。芯片垫具有半导体芯片的搭载面。引脚配置在芯片垫的周围。汇流条设于芯片垫与引脚之间，由支承引脚支承。胶带被粘贴于引脚及支承引脚。支承引脚在从...
    2026-02-02
  • 半导体模块及半导体模块的制造方法
    半导体模块及半导体模块的制造方法_富士电机株式会社_202510705629.4
    提供一种半导体模块及半导体模块的制造方法，所述半导体模块具备：框体部，其收纳半导体芯片；至少一个端子，其与所述半导体芯片电连接；以及螺母保持部，其具有用于与所述端子连结的螺母，并沿着预先确定的插入方向插入所述框体部。所述螺母保持部可以具有第...
    2026-02-02
  • 芯片封装结构及其封装方法、电子设备
    芯片封装结构及其封装方法、电子设备_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511413411.8
    本发明提供一种芯片封装结构及其封装方法、电子设备，包括：透明基板；三维互连封装单元，设置于所述透明基板的第一表面；光学功能层，设置于所述透明基板的第二表面，所述光学功能层通过整面式键合工艺与所述透明基板键合；采用透明基板‑三维互连‑光学功能...
    2026-02-02
  • 一种TSV结构及其制备方法
    一种TSV结构及其制备方法_西安电子科技大学_202511283661.4
    本发明公开了一种TSV结构及其制备方法，该结构包括：沿硅衬底的厚度方向设置的硅通孔；硅通孔的开口轮廓呈跑道形，硅通孔的侧壁沿着硅衬底的厚度方向逐渐收缩，使得硅通孔在垂直截面上呈现出倒梯形轮廓；硅通孔的内表面上设置有绝缘层和金属填充层，且金属...
    2026-02-02
  • 半导体器件结构及其制造方法
    半导体器件结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511154460.4
    本发明的实施例提供了一种用于形成TSV结构的方法。在一些实施例中，缓冲结构与TSV区中的伪器件相邻形成。通过在TSV区中引入与伪器件的端部栅结构相邻的缓冲结构，可以消除残留的金属材料，从而避免在TSV结构的制造中产生电弧。本申请的实施例还涉...
    2026-02-02
  • 一种半导体结构及半导体器件
    一种半导体结构及半导体器件_成都高真科技有限公司_202511112043.3
    本申请涉及一种半导体结构及半导体器件。一种半导体结构，其包括：掺杂的衬底；掺杂的衬底包括N型掺杂衬底和/或P型掺杂衬底；在衬底上形成有介质层；在介质层上形成有焊盘结构，所述衬底位于所述焊盘结构正下方的区域内无掺杂阱。本申请减小了焊盘的输入电...
    2026-02-02
  • 半导体装置
    半导体装置_三美电机株式会社_202510655107.8
    本发明提供一种半导体装置，能够小型化。半导体装置具有：源极区域及漏极区域，其设置于半导体基板的主面；栅极绝缘膜，其在上述源极区域与上述漏极区域之间设置在上述主面上；栅极电极，其设置在上述栅极绝缘膜上；以及漏极配线，其与上述漏极区域电连接，上...
    2026-02-02
  • 一种节能散热型V形波纹微流道及散热器
    一种节能散热型V形波纹微流道及散热器_黄河水利职业技术大学_202511266294.7
    本发明公开了一种节能散热型V形波纹微流道及散热器，节能散热型V形波纹微流道包括V形波纹微流道和翅片，V形波纹微流道为截面为V形的波纹形状通道，V形波纹微流道的路径为沿第一预设方向周期性排列的正弦波纹；翅片由两个半翅片组成，两个半翅片沿第二预...
    2026-02-02
  • 芯片浸没冷却系统及其制作方法
    芯片浸没冷却系统及其制作方法_来达科技股份有限公司_202511185405.1
    本发明公开了一种芯片浸没冷却系统及其制作方法，包括：冷却单元、芯片单元和换热单元，冷却单元包括外壳、冷却槽和冷却介质，芯片单元包括基板和与基板电性连接的第一芯片，基板与外壳密封连接，第一芯片表面设有一层保护层，第一芯片设置于外壳内，保护层直...
    2026-02-02
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