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  • 本发明公开了一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器,涉及半导体射频器件领域。其中,体声波谐振器包括衬底,依次层叠于衬底上的下电极、压电层和上电极;衬底设有形成声学镜的空腔;所述压电层的至少一侧设有暴露所述下电极的阻断间隙,所述阻断间隙具有相对...
  • 本发明涉及一种基于多电极结构的横向激励体声波谐振器,属于微机电技术领域,包括:衬底;温度补偿层,形成在所述衬底上;压电层,形成在所述温度补偿层上;多电极阵列,形成在所述压电层上,用于消除杂散模态;空腔,形成在所述衬底中,所述温度补偿层处在所...
  • 本发明公开了一种基于SABAR和IPD的纵向集成器件及滤波器,属于滤波器技术领域,包括SABAR芯片和IPD芯片,SABAR芯片和IPD芯片在纵向方向上利用WLP键合方法通过键合连接构成集成体,集成体内设置有利用TSV加工方法加工的导电通道...
  • 本申请公开了一种采样信号电路的回采电流信号的滤波处理方法、设备及介质,涉及电流滤波处理技术领域,该方法包括:以触发周期为公差的等差数列的延时间隔,对回采电流信号进行以第一预设数量为采样数量的采样操作,并对每次的采样结果进行平均处理,得到每次...
  • 一种滤波器的形成方法,包括:在边缘区中形成遮盖初始电极指的第一掩膜之后,去除第一掩膜层侧部的初始叉指电极的部分厚度,形成汇流区的汇流条、以及中心区和边缘区的电极指,并在第一掩膜层和边缘区的电极指相交处形成位于电极指顶部的活塞结构;由于第一掩...
  • 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器的封装方法和薄膜体声波谐振器,其中,封装方法包括:提供谐振腔主体结构,谐振腔主体结构包括衬底以及形成在衬底上的压电叠层结构,衬底和压电叠层结构之间形成有第一空腔;在第一空腔区域外设置接合层于压电叠层结构远离衬...
  • 本公开提供一种时钟芯片封装结构及制作方法。具体地,通过将石英晶振模块和集成电路芯片绑定形成封装体,再将封装体嵌埋于基板的内部,不仅有助于减少外部电磁干扰对时钟信号的影响,提升稳定性,而且有助于提升产品的集成度,降低产品最终的厚度,促进最终电...
  • 本发明属于微波集成电路技术领域,具体涉及一种多模宽带微波功率放大器电路, 包括宽带输入匹配电路、可重构级间匹配电路、可重构输出匹配网络、第一级晶体管T1和第二级晶体管组;通过可重构级间匹配电路配合可重构输出匹配网络的设置,一方面实现了宽带与...
  • 本发明公开了一种超宽带可变增益放大器,包括依次连接的输入级匹配电路、输入共源放大电路、第一相位补偿电路、电流舵电路和共栅极交叉互联晶体管阵列、第二相位补偿电路、输出共源放大电路和输出级匹配电路;所述输入级匹配电路与信号输入端连接,所述输出级...
  • 本发明公开了一种可变增益放大单元及高频超声成像系统。所述可变增益放大单元包括全差分放大模块、以及堆叠MOS结构;所述全差分放大模块,包括共源的对称MOS对管M1和M1’,其中MOS管M1与MOS管M1’的栅极接入随时间线性变化的栅极控制电压...
  • 本发明公开了一种无反射失真抵消放大器架构,属于放大器技术领域;该架构旨在解决常规集成电路工艺下输入端口无反射及高线性度放大器设计的问题,通过设置多路失真抵消辅助路径,各辅助路径含辅助放大器且其输入/输出端设有对应主放大器非线性系数的信号缩放...
  • 本申请涉及运算放大电路技术领域,尤其涉及一种用于消除输入偏移电压的反相型运算放大电路。其包括用于接收输入电压的输入电阻;用于对输入电压反相放大后输出的运算放大器;串联于运算放大器的输出端与输入电阻之间的输出电阻部,该输出电阻部由多个输出电阻...
  • 本发明涉及运算放大电路技术领域,尤其涉及一种用于消除输入偏移电压的同相型运算放大电路。同相型运算放大电路包括:用于接收输入电压的输入端口;用于设定输入电压增益的基准电阻;连接于输出端口与输入端口之间的输出电阻部,输出电阻部包括多个串联的输出...
  • 本申请公开了一种JFET输入型运算放大器偏置电流补偿电路,通过PJFET晶体管PJ5和PJ6(或者LPNP晶体管LP20和LP21)构成偏置电流补偿结构,产生与温度成比例的补偿电流,当温度升高导致JFET栅极漏电流增加时,设计的电流补偿电路...
  • 本发明提供了一种基于抗辐射运算放大器的输入偏置电流补偿电路,包括放大电路、第一电流镜电路、第二电流镜电路、二极管钳位电路、第一电阻、第一电流源、第二电流源;放大电路包括超β晶体管,用于通过超β晶体管放大输入信号;第一电流镜电路和第二电流镜电...
  • 本发明公开了一种毫米波频段的低噪声放大器,包括:五个电容、十一个电感、两个场效应晶体管、一个电阻以及四个二极管,其中:限幅功能主要依靠第一到第四二极管和第一到第五电感这几个元件的配合完成。通过第一和第二电容,第一到第四二极管、第一到第六电感...
  • 本发明涉及一种PIN管与光电前端放大电路模组,属于光电前端放大技术领域,解决了现有技术中放大滤波电路整体面积大、功耗高、引入噪声大,以及链路寄生电感与寄生电容大的问题,封装包括:PIN管、光电前端放大电路芯片和片外电容;其中,PIN管的输出...
  • 本发明涉及一种用于谐波抑制的滤波匹配集成放大电路,包括功率器件、输入匹配电路、输出滤波匹配电路和射频输出端口;所述功率器件分别和输入匹配电路、输出滤波匹配电路连接;所述输出滤波匹配电路包括滤波匹配集成基板以及安装在所述滤波匹配集成基板上的滤...
  • 本发明涉及太赫兹光电探测技术领域;传统太赫兹混频器一般采用低介电常数的半导体材料,难以满足高频电路的散热需求,传统基板结构的介电损耗随着混频器频率的提升而显著增加,导致信号在微带传输时产生大量的能量损耗,影响高频信号的传输效率;本发明提供一...
  • 本发明涉及信号处理领域,具体涉及一种抑制四次杂散的二倍频器装置。装置包括:功分器‑90°,用于接收输入信号;两个二倍频器,所述两个二倍频器的输入端分别与功分器‑90°的两个输出端连接;功合器‑180°,所述功合器‑180°的输入端与两个二倍...
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